• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.344-348
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• 2007

본 논문에서 높은 투과율을 가질 수 있는 PVA (Patterned Vertical Aligned) 액정 셀의 전극 구조를 제안하였다. 제안한 전극 구조의 결과를 확인하기 위해서 광학적 특성과 그리고 디렉터 모양의 계산은 'TechWiz LCD'라는 상용 시뮬레이터를 사용하였다. 보통 PVA 액정 셀의 투과율은 전극의 모양과 셀갭에 의해 크게 영향을 받는다. 본 논문에서 제안한 전극 구조의 게이트 라인과 데이터 라인 사이의 거리는 기존의 PVA 셀과 같다. 대신 전극의 끝단 (edge) 지역에서의 광손실을 줄이기 위하여 상층부 전극과 하층부 전극의 모양을 수정하였다. 결과를 비교하기 위하여 기존의 PVA 액정 셀과 제안한 PVA 액정 셀의 투과율을 비교하였다. 그 결과, 제안된 구조에 의해서 전극부근에서 발생하는 광학적 손실이 감소되는 것을 확인 할 수 있었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권3호
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• pp.340-351
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• 1995

Electrical, physical and optical properties of Aluminum(Al), Copper(Cu) thin films were investigated in order to establish the optimum sputtering parameters in Liquid Crystal Display (LCD) panel applications. DC-magnetron sputtered film on coming 7059 samples were fabricated with variations of deposition power densities, deposition pressures and substrate temperatures. Low resistivity films(AI;2.80 .mu..ohm.-cm, Cu:1.84 .mu..ohm-cm),which lower than the reported values, were obtained under sputtering parameters of power density(250W), substrate temperature(450-530.deg. C) and 5*10$\^$-3/ Torr deposition pressure. Expected columnar growth and stable grain growth of both films was observed through the Scanning Electron Microscope(SEM) micrographs. Dependency of the applicable defect-free film density upon depositon power and temperature was also characterized. Not too noticable variations in X-ray diffraction patterns were remarked under the alterations of sputtering parameters. High optical reflectivities of Al, Cu films, approximately 70-90 %, showed high degree of surface flatness.

• 제어로봇시스템학회논문지
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• 제14권4호
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• pp.336-341
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• 2008

Recently, research on a flat panel display(FPD) has focused on organic light-emitting display(OLED) which has wide angle of view, high contrast ratio and low power consumption. ITO(Indium-Tin-Oxide) films are the most widely used material as a transparent electrode of OLED and also in many other display devices like LCD or PDP. The performance and efficiency of OLED is related to the surface condition of ITO coated glass substrate. The typical surface defect of glass substrate is measured for electric characteristics and physical condition for transmittance and roughness. Since ITO coated glass substrate can be destroyed for inspection about surface roughness, sheet resistance, film thickness and transmittance, precise fabrication condition should be made based on the estimated relationship. In this paper, ITO films were prepared on the commercial glass substrate by the Ion-Plating method changing the partial pressure of gas(Ar, 02) and the chamber temperature between $200^{\circ}C$ and $300^{\circ}C$. The characteristics of films were examined by the 4-point probe, supersonic thickness measurement, transmittance measurement and AFM. We estimated the relationship between processing parameters(Ar gas, O2 gas, Temperature) and properties of ITO films (Sheet Resistance, Film Thickness, Transmittance, Surface Roughness).

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.71-71
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• 1999

현재 소자 제작에 응용되는 수소화된 비정질 실리콘은 PECVD 방법으로 제작하는 것이 보편적인 방법이다. 그러나 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 band gap edge 근처에서 국재준위가 많아 mobility가 작으며 상온에서 조차 불안정하여 신뢰성이 높지 않고, 도핑된 비정질 실리콘의 높은 비저항 등의 단점으로 인하여 고속 회로에 응용이 불가능하다. 반면 다결정질 실리콘 박막 트랜지스터는 a-Si:H TFT 에 비해 재현성이 우수하고 high resolution, high resolution, high contrast LCD에 응용할 수 있다. 하지만, 다결정 실리콘의 grain boundary로 인해 단결정에 비해 많은 defect 들이 존재하여 전도성을 감소시킨다. 따라서 Mobility를 증가시키기 위해서 grain size를 증가시키고 grain boundary 내에 존재하는 trap center를 감소시켜야 한다. 따라서 본 실험에서는 PECVD 장비로 초기 기판을 plasma 처리하여 다결정 실리콘 박막을 제작하여, 기판 처리에 대한 다결정 실리콘 박막의 성장의 특성을 조사하였다. 실험 방법으로는 PECVD 시스템을 이용하여 SiH4 gas와 H2 gas를 선택적으로 증착시키는 LBL 방법을 사용하여 $\mu$c-Si:H 박막을 제작하였다. 비정질 층을 gas plasma treatment 하여 다결정질 실리콘의 증착 initial stage 관찰을 주목적으로 관찰하였다. 다결정 실리콘 박막의 구조적 성질을 조사하기 위하여 Raman, AFM, SEM, XRD를 이용하여 grain 크기와 결정화도에 대해 측정하여 결정성장 mechanism을 관측하였다. LBL 방법으로 증착시킨 박막의 Raman 분석을 통해서 박막 증착 초기에 비정질이 증착된 후에 결정질로 상태가 변화됨을 관측할 수 있었고, SEM image를 통해서 증착 회수를 증가시키면서 grain size가 작아졌다 다시 커지는 현상을 볼 수 있었다. 이 비정질 층의 transition layer를 gas plasma 처리를 통해서 다결정 핵 형성에 영향을 관측하여 적정한 gas plasma를 통해서 다결정질 실리콘 박막 증착 공정을 단축시킬 수 있는 가능성을 짐작할 수 있었고, 또한 표면의 roughnes와 morphology를 AFM을 통하여 관측함으로써 다결정 박막의 핵 형성에 알맞은 증착 표면 특성을 분석 할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권3호
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• pp.245-249
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• 2007

The liquid crystal display (LCD) applications treated on the organic overcoat thin film surfaces by ion beam irradiation was successfully studied. The good LC aligning capabilities treated on the organic overcoat thin film surfaces with ion beam exposure of $60^{\circ}$ for 2 min above ion beam energy of 1200 eV can be achieved. But, the alignment of defect of NLC on the organic overcoat surface at low energy of 600 eV was measured. The pretilt angle of NLC on the organic overcoat thin film surface with ion beam exposure of $60^{\circ}$ for 2 min at energy of 1800 eV was measured about 1 degree. Finally, the good thermal stability of LC alignment on the organic overcoat thin film surface with ion beam exposure of $60^{\circ}$ for 2 min until annealing temperature of $200^{\circ}C$ can be measured.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.148-148
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• 2011

Recently, there have been many research activities to develop the large-area plasma source, which is able to generate the high-density plasma with relatively good uniformity, for the plasma processing in the thin-film solar cell and display panel industries. The large-area CCP sources have been applied to the PECVD process as well as the etching. Especially, the PECVD processes for the depositions of various films such as a-Si:H, ${\mu}c$-Si:H, Si3N4, and SiO2 take a significant portion of processes. In order to achieve higher deposition rate (DR), good uniformity in large-area reactor, and good film quality (low defect density, high film strength, etc.), the application of VHF (>40 MHz) CCP is indispensible. However, the electromagnetic wave effect in the VHF CCP becomes an issue to resolve for the achievement of good uniformity of plasma and film. Here, we propose a new electrode as part of a method to resolve the standing wave effect in the large-area VHF CCP. The electrode is split up a series of strip-type electrodes and the strip-type electrodes and the ground ones are arranged by turns. The standing wave effect in the longitudinal direction of the strip-type electrode is reduced by using the multi-feeding method of VHF power and the uniformity in the transverse direction of the electrodes is achieved by controlling the gas flow and the gap length between the powered electrodes and the substrate. Also, we provide the process results for the growths of the a-Si:H and the ${\mu}c$-Si:H films. The high DR (2.4 nm/s for a-Si:H film and 1.5 nm/s for the ${\mu}c$-Si:H film), the controllable crystallinity (~70%) for the ${\mu}c$-Si:H film, and the relatively good uniformity (1% for a-Si:H film and 7% for the ${\mu}c$-Si:H film) can be obtained at the high frequency of 40 MHz in the large-area discharge (280 mm${\times}$540 mm). Finally, we will discuss the issues in expanding the multi-electrode to the 8G class large-area plasma processing (2.2 m${\times}$2.4 m) and in improving the process efficiency.