Kim, Yong-Su;Jeon, Sang-Ho;Bostwick, Aaron;Rotenberg, Eli;Ross, Philip N.;Stamenkovic, Vojislav R.;Markovic, Nenad M.;Noh, Tae-Won;Han, Seung-Wu;Mun, Bong-Jin Simon
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.139-139
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2012
With angle resolved photoemission spectroscopy (ARPES), the surface electronic band structures of Pt3Co (111) and Pt3Ni (111) single crystals are investigated, which allow to study the bonding interaction between chemically absorbed atomic oxygen and its surfaces. The d-band electrons of subsurface TM are separated from the direct chemical bonding with atomic oxygen. That is, the TM does not contribute to direct chemical bonding with oxygen. From the density functional theory (DFT) calculations, it is identified that the main origin of improved oxygen absorption property, i.e. softening of Pt-O bonding, is due to the suppression of Pt surface-states which is generated from change of interlayer potential, i.e. charge polarization, between Pt-top and TM-subsurface. Our results point out the critical roles of subsurface TM in modifying surface electronic structures, which in turn can be utilized to tune surface chemical properties.
MgO based nanocomposite powder including ferromagnetic iron particle dispersions, which can be available for the magnetic and catalytic applications, was fabricated by the spray pyrolysis process using ultra-sonic atomizer and reduction processes. Liquid source was prepared from iron (Fe)-nitrate, as a source of Fe nano-dispersion, and magnesium (Mg)-nitrate, as a source of MgO materials, with pure water solvent. After the chamber were heated to given temperatures (500~$^800{\circ}C$), the mist of liquid droplets generated by ultrasonic atomizer carried into the chamber by a carrier gas of air, and the ist was decomposed into Fe-oxide and MgO nano-powder. The obtained powders were reduced by hydrogen atmosphere at 600~$^800{\circ}C$. The reduction behavior was investigated by thermal gravity and hygrometry. After reduction, the aggregated sub-micron Fe/MgO powders were obtained, and each aggregated powder composed of nano-sized Fe/MgO materials. By the difference of the chamber temperature, the particle size of Fe and MgO was changed in a few 10 nm levels. Also, the nano-porous Fe-MgO sub-micron powders were obtained. Through this preparation process and the evaluation of phase and microstructure, it was concluded that the Fe/MgO nanocomposite powders with high surface area and the higher coercive force were successfully fabricated.
Diagrams of $^{87}Sr/^{86}Sr$ versus Ba/Nb and MgO/FeO are scattered, and $^{87}Sr/^{86}Sr$ variation with the increase of $SiO_2$ are scattered in Gwangju granitoid. Diagrams of $(^{87}Sr/^{86}Sr)$i versus $(^{143}Nd/^{144}Nd)$i and ${\varepsilon}Nd$ versus 1/Nd variation are also scattered in Gwangju granitoid. It shows that the source magma of Gwangju granitoid are derived from partial melting materials of heterogeneous upper crust. Very low ${\varepsilon}Nd$ values (-15.19~-19.49) and very high ${\varepsilon}Sr$ values (92.72~308.85) mean that the source magma of Gwangju granitoid is derived from sedimentary substance melting. According to $(^{87}Sr/^{86}Sr)$ 180Ma, and the plot of ${\varepsilon}Sr$ versus ${\varepsilon}Nd$, the Gwangju granitoid shows that the source magma is derived from upper crust materials. Nd model ages of Gwangju granitoid (1.82~2.42G.A.) are older than meta-sediments of Okcheon formation (1.15~1.60G.A.) and similar or close to Pre-Cambrian gneiss complex of Ryoungnam massif (2.17~2.47G.A.or 2.11~2.38G.A.).Therefore, the source magma of the Gwangju granitoid could be derived from the partial melting of Pre-Cambrian gneiss complex of Ryoungnam massif.
Microchannel plates (MCPs) have been developed by introducing new materials and process technologies. Main body was made of alumina by programmable punching, laminating, and firing. The channel walls of pore arrays of an MCP were deposited with thin films by electroless copper plating and sol-gel process. Our MCP has advantages such as easy fabrication, durability, high temperature endurance, and applicability to the large size comparing with the conventional MCPs. Experiments on the brightness of an MCP incorporated FED revealed that the FED with a MCP is three to four times brighter than a conventional FED. Moreover, the focusing in a FED is improved. Incorporating an MCP into a FED is one of promising methods to enhance the characteristics of the FED. In addition, amplification yield of the MCP is measured for varying the aspect ratio and the input current.
In order to make a quiet zone, one can consider various methods. Of the methods, this paper deals with the method using control materials such as absorption materials. This method controls sound fields by changing boundary conditions. First, this paper shows that the control material is essentially on the same road as active noise control (ANC) That is, we can consider the control material as the control source of ANC. However we cannot control the source strength. Second, this paper shows that the position of the control material is an important variable by a numerical simulation. And the strategy to optimize the position is addressed.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2000.04a
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pp.97-102
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2000
We have studied etching characteristic of Ta film using Electron Cyclotron Resonance (ECR) etcher system. Microwave source power. RF bias power. and working pressure were varied to investigate the etch Profile. And we have used two step etching method to acquire the goWe have studied etching characteristic of Ta film using Electron Cyclotron Resonance (ECR) etcher system. Microwave source power. RF bias power. and working pressure were varied to investigate the etch Profile. And we have used two step etching method to acquire the good etch profile preventing the microloading effect.od etch profile preventing the microloading effect.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2003.11a
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pp.185-190
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2003
고유전물질인 $HfO_2$ 극박막에 사용될 TaN metal 전극에 대한 특성에 대한 연구를 하였다. 고유전물질인 $HfO_2$는 4" p-type wafer를 SCI cleaning후 ALD(atomic layer deposition)을 통해 $50\AA$를 증착하였다. Ff source는 TEMAH를 이용하였으며 Oxygen source는 $H_2O$를 이용하였다. 이렇게 증착한 $HfO_2$ 극박막에 Ta target을 이용하여 질소 가스를 Ar가스에 첨가하여 reactive sputtering을 통해서 TaN 전극을 증착하였다. TaN 박막의 증착두께는 a--step과 TEM을 통해서 확인하였으며 면저항은 four point probe를 이용하여 측정하였다. 이렇게 증착된 $HfO_2/TaN$구조에 대한 전기적 특성을 측정하였다.
Kim, Dong-Min;Kim, Dae-Sup;Ro, Jae-Sang;Choi, Kyu-Hwan;Lee, Ki-Yong
Journal of Information Display
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v.5
no.1
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pp.1-6
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2004
Ion shower doping with a main ion source of $P_2H_x$ using a source gas mixture of $PH_3/H_2$ was conducted on excimer-laser- annealed (ELA) poly-Si. The crystallinity of the as-implanted samples was measured using a UV-transmittance. The measured value of as-implanted damage was found to correlate well with the one calculated through/obtained from TRIM-code simulation. The sheet resistance was found to decrease as the acceleration voltage increased from 1 kV to 15 kV at a doping time of 1 min. However, it increases as the acceleration voltage increases under severe doping conditions. Uncured damage after furnace annealing is responsible for the rise in sheet resistance.
Cho Yu Jung;Han Kil Jin;Kim Yeong Cheol;Seo Hwa Il
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.4
no.3
s.12
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pp.1-4
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2005
Silicon oxynitride films were deposited using ammonia as a nitrogen source via PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) to study the physical properties of the films. Silane and nitrous oxide were used as silicon and oxygen sources, respectively. The composition of the silicon oxynitride films was well controlled by changing the ratios of the sources and confirmed by XPS. The silicon oxynitride films with high oxygen content showed bigger compressive stress and less refractive index, while the values of surface roughness were around 1 nm, irrespective of the variation of the source ratios.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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