Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference (한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집)

The Korean Microelectronics and Packaging Society (한국마이크로전자및패키징학회)
권호 표지

Characterization of reactive sputtering TaN fate electrode on $HfO_2$ dielectrics

$HfO_2$ dielectrics를 이용한 reactive sputtering TaN gate electrode 의 특성분석

  • Kim Youngsoon (Department of Materials Science & Engineering, Hanyang University) ;
  • Lee Taeho (Department of Materials Science & Engineering, Hanyang University) ;
  • Ahn Jinho (Department of Materials Science & Engineering, Hanyang University)
  • Published : 2003.11.01
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Abstract

고유전물질인 $HfO_2$ 극박막에 사용될 TaN metal 전극에 대한 특성에 대한 연구를 하였다. 고유전물질인 $HfO_2$는 4" p-type wafer를 SCI cleaning후 ALD(atomic layer deposition)을 통해 $50\AA$를 증착하였다. Ff source는 TEMAH를 이용하였으며 Oxygen source는 $H_2O$를 이용하였다. 이렇게 증착한 $HfO_2$ 극박막에 Ta target을 이용하여 질소 가스를 Ar가스에 첨가하여 reactive sputtering을 통해서 TaN 전극을 증착하였다. TaN 박막의 증착두께는 a--step과 TEM을 통해서 확인하였으며 면저항은 four point probe를 이용하여 측정하였다. 이렇게 증착된 $HfO_2/TaN$구조에 대한 전기적 특성을 측정하였다.

Keywords