• 한국전자현미경학회:학술대회논문집
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• 1997.05a
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• pp.44-44
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• 1997

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2003.08a
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• pp.158-158
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• 2003

• Proceedings of the Korea Society of Environmental Biology Conference
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• 2005.12a
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• pp.138-138
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• 2005

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2004.05a
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• pp.56-56
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• 2004

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2004.02a
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• pp.162-162
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• 2004

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.201-201
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• 2009

반도체 레이저 다이오드(laser diode)는 도파로 내부의 굴절률 변화로 발생하는 필라멘테이션(filamentation) 문제와 벽개면 손상으로 인한 catastrophic optical damage(COD) 문제로 고품위/고출력 발진이 제한된다. 양자점 (quantum dot) 레이저 다이오드는 델타 함수 형태의 상태 밀도를 갖기 때문에 이론적으로는 zero 값의 선폭증가요소 특성을 가져 고출력 동작 시 필라멘테이션 문제를 제거할 수 있다. 또한 고출력 동작을 위한 COD 문제는 낮은 광 밀도를 갖는 활성층/도파로 영역의 에피구조 최적화를 통해 해결할 수 있다. 본 논문에서는 고출력 808 nm 양자점 반도체 레이저 다이오드 개발을 위한 에피구조 설계 및 최적화 연구를 수행하였다.

• 대한핵의학회:학술대회논문집
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• 1999.11a
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• pp.33.1-33.1
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• 1999

• Communications of the Korean Institute of Information Scientists and Engineers
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• v.34 no.9
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• pp.10-20
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• 2016

• Communications of the Korean Institute of Information Scientists and Engineers
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• v.34 no.2
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• pp.31-42
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• 2016

• Proceedings of the Korean Aquaculture Society Conference
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• 2005.05a
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• pp.159-160
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• 2005