Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2009.11a
- /
- Pages.201-201
- /
- 2009
고출력 808 nm 레이저 다이오드의 구조 최적화 연구
- Kim, Hui-Dong ;
- Kim, Gyeong-Chan ;
- Chan, Trevor ;
- Jeong, Ho-Yeong ;
- Jeong, Byeong-Seon ;
- Seo, Yu-Jeong ;
- An, Ho-Myeong ;
- Kim, Dong-Ho ;
- Jeong, Gang-Min ;
- Yang, Ji-Won ;
-
Kim, Tae-Geun
- 김희동 (고려대학교) ;
- 김경찬 (고려대학교) ;
- ;
- 정호영 (고려대학교) ;
- 정병선 (고려대학교) ;
- 서유정 (고려대학교) ;
- 안호명 (고려대학교) ;
- 김동호 (고려대학교) ;
- 정강민 (고려대학교) ;
- 양지원 (고려대학교) ;
-
김태근
(고려대학교)
- Published : 2009.11.12
Abstract
반도체 레이저 다이오드(laser diode)는 도파로 내부의 굴절률 변화로 발생하는 필라멘테이션(filamentation) 문제와 벽개면 손상으로 인한 catastrophic optical damage(COD) 문제로 고품위/고출력 발진이 제한된다. 양자점 (quantum dot) 레이저 다이오드는 델타 함수 형태의 상태 밀도를 갖기 때문에 이론적으로는 zero 값의 선폭증가요소 특성을 가져 고출력 동작 시 필라멘테이션 문제를 제거할 수 있다. 또한 고출력 동작을 위한 COD 문제는 낮은 광 밀도를 갖는 활성층/도파로 영역의 에피구조 최적화를 통해 해결할 수 있다. 본 논문에서는 고출력 808 nm 양자점 반도체 레이저 다이오드 개발을 위한 에피구조 설계 및 최적화 연구를 수행하였다.