• 제목/요약/키워드: K-ToBI

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EXAFS에 의한 $Ba_{0.6}K_{0.4}BiO_3$ 단결정의 초전도 상태에서 $BiO_{6}$ octahedra 구조의 연구 (The study of the $BiO_{6}$ octahedra structure in superconducting $Ba_{0.6}K_{0.4}BiO_3$ single crystal by extended x-ray absorption spectroscopy)

  • 김봉준;김영철;김현탁;강광용;이재민
    • Progress in Superconductivity
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    • 제4권2호
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    • pp.148-152
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    • 2003
  • We have observed the temperature dependences of Bi $L_{III}$ edge spectra by extended X-ray absorption spectroscopy for a high quality single crystal and a powder of the $Ba_{0.6}K_{0.4}BiO_3$ superconductor. $Ba_{0.6}K_{0.4}BiO_3$ has the cubic structure and metallic states. The deformation of the $BiO_{6}$ octahedra, which is due to the anomalies of the Bi-O and Bi-Ba bond length, was showed by the double-shell fit. It was clearly found that these anomalies are owing to the difference in the strength of Bi-O bonds. The temperature dependences of both bond lengths and the Debye-Walter factor ${\sigma}^2$ of the Bi-O and Bi-(Ba,K) bond are discussed to illustrate local structural features of the $Ba_{0.6}K_{0.4}BiO_3$

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비증 설문문항 개발 (Developing Questionnaire of BiJeung(痺證) which is similar to Arthralgia and Paresthesia Syndrome)

  • 안지훈;이순호;박영재;박영배
    • 대한한의학회지
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    • 제34권3호
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    • pp.96-105
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    • 2013
  • Objectives: Bi Jeung (비증) is a pain syndrome derivative of pathological patterns of East Asian medicine. The purpose of this study was to develop a self-rated questionnaire for Bi Jeung. Methods: Twelve questionnaire items for Bi Jeung (3 items for the Wind Bi, 5 items for the Cold Bi, and 4 items for the Dampness Bi) were extracted through the literature review. These items were presented to the 18 Korean medical doctors who specialized in pain medicine to conduct two sessions of the Delphi method. The Korean medical doctors were asked to rate the importance of each item for the corresponding Bi syndromes, using a Likert 7-point scale, and were asked to propose which item should be additionally included to increase determinant power to each Bi syndrome. We determined the 4 points of the importance as a cut-off point of each item. Results: Through two sessions of the Delphi method, two items were deleted because their mean values of the importance were below 4 point. Korean medical doctors proposed to add three items for the Bi Jeung. However, the mean values of only two among the three items were over 4 points, so finally 12 items (3 items for the Wind Bi, 5 items for the Cold Bi, and 4 items for the Damp Bi) were determined for the Bi Jeung questionnaire. Conclusions: It is concluded that a 12 item-Bi Jeung questionnaire comprising the three subcategories of the Bi Jeung (Wind, Cold, and Dampness Bis) possesses contents validity through literature review and Delphi methods.

플라즈마 용사 및 열처리 공정을 통한 Bi-2212/2223 초전도체 thick film 제조의 기술 개발 (Technique development of Bi-2212/2223 superconductor thick film manufacturing by plasma spraying and heat treatment)

  • Lee, Seon-Hong;Cho, Sang-Hum;Ko, Young-Bong;Park, Kyeung-Chae
    • 대한용접접합학회:학술대회논문집
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    • 대한용접접합학회 2005년도 추계학술발표대회 개요집
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    • pp.262-264
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    • 2005
  • $Bi_{2}Sr_{2}CaCu_{2}O_{x}$(Bi-2212) and $Bi_{2}Sr_{2}Ca_{2}Cu_{3}O_{y}$(Bi-2223) high-$T_{c}$ superconductor(HTS) coating have been prepared by plasma spraying and heaat treatment. The Bi-2212 HTS coating later is synthesized through the peritectic reaction between Sr-Ca-Cu oxide coating layer and Bi-Cu oxide coating later, and $Bi_{2}Sr_{2}CaCu_{2}O_{y}$(Bi-2212) superconducting phase grow by partial melting process. The superconducting characteristic depends strongly on the conditions of the partial melting process. the Bi-2212 HTS layer consists of the whiskers grown in the diffusion direction. Above the 2212 layer, Bi-2223 phase and secondary phase was observed. The secondary phase is distributed uniformly over the whole surface. This is caused to the microcrack on the coatings surface. Despite everything, the film shows superconducting with an onset $T_{c}$ of about 115K. There are two changes steps. One changes (1step) at 115K is due to the diamagnetism of the Bi-2223 phase and the other changes (2step) at 78K is due to the diamagnetism of the Bi-2212 phase.

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A Comparative Study on Intonation between Korean, French and English: a ToBI approach

  • Lee, Jung-Won
    • 음성과학
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    • 제9권1호
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    • pp.89-110
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    • 2002
  • Intonation is very difficult to describe and it is furthermore difficult to compare intonation between different languages because of their differences of intonation systems. This paper aims to compare some intonation phenomena between Korean, French and English. In this paper I will refer to ToBI (the Tone and Break Indices) which is a prosodic transcription model proposed originally by Pierrehumbert (1980) as a description tool. In the first part, I will summarize different ToBI systems, namely, K-ToBI (Korean ToBI), F-ToBI (French ToBI) and ToBI itself (English ToBI) in order to compare the differences of three languages within prosody. In the second part, I will analyze some tokens registered by Korean, French and American in different languages to show the difficulties of learning other languages and to find the prosodic cues to pronounce correctly other languages. The point of comparison in this study is the Accentual Phrase (AP) in Korean and in French and the intermediate phrase (ip) in English, which I will call ' subject phrase ' in this study for convenience.

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Synthesis and Characterization of 1-D BiSI and 2-D BiOI Nanostructures

  • Lee, Juheon;Min, Bong-Ki;Cho, Insu;Sohn, Youngku
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제34권3호
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    • pp.773-776
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    • 2013
  • We have prepared 1-D BiSI and 2-D BiOI nanostructures, and characterized them by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy (TEM), X-ray diffraction crystallography, thermogravimetric analysis/differential scanning calorimetry, and UV-visible absorption. Here, we first report clear HR-TEM image of BiSI. In addition, we first found that the growth direction of BiSI is [12-1] plane, with the neighboring distance of 0.30 nm. The crystal structures of BiSI and BiOI are found to be orthorhombic (Pnam) and tetragonal (P4/nmm), respectively. The absorption band gaps of BiSI and BiOI are measured to be 1.55 and 1.92 eV, respectively. Our study could further highlight the applications of V-VI-VII compounds.

계면활성제 용액속에서의 화학반응 (제1보). 미셀용액속에서의 탈인산화 반응에 미치는 2-알킬벤즈이미다졸음이온들의 치환기효과 (Chemical Reactions in Surfactant Solution (I). Substituent Effects of 2-Alkylbenzimidazolide ions on Dephosphorylation in CTABr Solutions)

  • 홍영석;박찬식;김정배
    • 대한화학회지
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    • 제29권5호
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    • pp.522-532
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    • 1985
  • CTABr 미셀용액속에서 benzimidazole 및 naphth-2,3-imidazol 음이온($BI^-$$NI^-$)에 의해 추진되는 p-nitrophenyldiphenylphosphate (p-NPDPP)의 탈인산화반응에 대한 속도론적 연구에서 이들 음이온은 친핵체로 작용하며 미셀은 반응을 급격히 촉진시킨다는 연구 결과를 밝힌바이다. 본 연구에서는 $BI^-$의 2위치에 알킬기가 치환된 음이온(R-$BI^-$)들에 의한 탈인산화반응을 다루었다. 미셀 용액속에서 R-$BI^-$에 의해 추진되는 반응은 $BI^-$에 의해 추진되는 반응보다 약 3배 느리게 일어난다. 이러한 속도의 감소효과를 밝히기 위하여 미셀의사층(micellar pseudophase) 내에 존재하는 $BI^-$와 R-$BI^-$의 농도비와 이들에 의해 추진되는 반응의 1차 및 2차 속도상수의 비를 비교하였다. 음이온 농도의 비([R-$B^-$]/[$BI^-$])에 비하여 반응의 1차 속도상수의 비$(k'_{R-BI^-}/k'_{BI^-})가 훨씬 적었다. 예를 들면$5 {\times}10^{-4}$M butyl-BI 용액속에서의 반응에서 농도의 비는 0.430인데 반하여 반응속도의 비는 0.089였다. 이 두 값의 차이(0.0341)는 butyl기의 영향이 70%에 이른다는 계산이 가능하다. 이것은 미셀의사층속에서 R-$BI^-$의 반응성이 그들의 알킬기의 영향으로 말미암아 $BI^-$의 반응성보다 작음을 의미한다. 또한 $10^{-4}$M R-BI 용액에서의 이 반응의 2차 반응속도 상수도 알킬기의 사슬이 길어질수록 미셀 의사층에서 R-$BI^-$에 의해 추진되는 반응이 $BI^-$에 의한 반응보다 현저하게 감소하였다. 예컨대 butyl-BI의 경우 이들의 반응속도의 비$(k_{m(R-BI^-)}/k_{m(BI^-)})$가 약 10배 감소하였다. R-$BI^-$들의 알킬기의 변화에 따른 1차 및 2차 반응속도의 변화를 정밀히 분석하여 다음과 같은 모델을 제시한다. 즉 미셀내에 존재하는 R-$BI^-$의 알킬기는 그들의 소수성과 입체장해 때문에 Stern층내에 자리하지 못하고 미셀의 핵(core)속으로 침투해 들어가게 될 것이며, 그 결과 분자 전체가 자유롭게 움직이지 못하고 한 곳에 고정될 것이다. 따라서 기질(p-NPDPP)과의 충돌빈도(collison frequency)가 감소하게 되고, 이로 말미암아 반응속도가 감소하게 될 것이다. 본인들은 이 효과를 "닻줄 효과"(anchor effect)라 명명하고자 한다. 이 효과는 R-$BI^-$의 알킬기가 길수록 그리고 이들의 농도가 증가할수록 현저하게 증가하였다.

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90% $Bi_2Te_3-10% Bi_2Se_3$ 단결정의 밴드갭 에너지와 열전특성 (Band-Gap Energy and Thermoelectric Properties of 90% $Bi_2Te_3-10% Bi_2Se_3$ Single Crystals)

  • 하헌필;현도빈;황종승;오태성
    • 한국재료학회지
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    • 제9권4호
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    • pp.349-354
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    • 1999
  • Dopant를 첨가하지 않은 시료와 donor dopant로 $CdI_2$를 첨가한 $Bi_2Te_3-10%$ 단결정을 Bridgman법으로 성장시키고 Hall 계수, 전하이동도, 전기비저향, Seebeck 계수, 열전도도 빛 성능지수를 77~600K의 온도범위에서 측정하였다. Dopant를 첨가하지 않은 90% $Bi_2Te_3-10% Bi_2Se_3$ 단결정에서 포화정공농도는 $5.85\times10_{18}cm^{-3}$ 이고 degenerate 온도는 127K 이었£며, 전하 이동에 대한 산란인자는 -0.23 이고 전자이동도와 정꽁이동도의 비 ($\mu_e/\mu_h)$는 1.45 이었다. 90% $Bi_2Te_3-10% Bi_2Te_3$ 단결정의 OK 에서의 밴드갭 에너지는 0.200 eV 로서 $Bi_2Te_3-Bi_2Se_3$계 단결정에서눈 $Bi_2Se_3$의 놓도가 증가할수록 밴 드갭 에너지가 증가하였다. Donor dopant로 $CdI_2$를 첨가한 90% $Bi_2Te_3-Bi_2Se_3$ 조성의 n형 단결정에서 성능지수의 최대값은 $CdI_2$를 0.05 wt% 첨가한 경우에 약 230K에서 $3.2\times10^{-3}/K$를 나타내었다.

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In vitro에서 핵산치환인자 BAP이 단백질-분자 샤페론 복합체 해리에 미치는 영향 (A Nucleotide Exchange Factor, BAP, dissociated Protein-Molecular Chaperone Complex in vitro)

  • 이명주;김동은;이태호;정영기;김영희;정경태
    • 생명과학회지
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    • 제16권3호
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    • pp.409-414
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    • 2006
  • 소포체는 세포막의 합성뿐만 아니라 세포막에 존재하거나 세포외로 분비되어져야 할 단백질을 합성하는 세포내 소기관이다. 소포체에서 단백질이 합성되어질 경우 이황화결합이 형성되고 glycosylation 등의 수식이 일어나며, 이와 동시에 folding과 assembly과정을 거쳐 삼차원적 구조로 성숙이 되는데 이 과정은 folding enzyme과 molecular chaperone의 도움을 받아 이루어진다. 소포체 내에 존재하는 molecular chaperone 중 가장 잘 알려진 것으로 BiP이 있다. BiP의 기능은 N-terminus의 ATPase domain에 의해 조절되고 ATPase domain은 이것과 선택적으로 결합하는 조절인자에 의해 ATPase의 활성이 영향을 받는다. BiP의 핵산치환조절인자로서 발견된 BAP은 ATPase domain에 결합된 ADP를 ATP로 치환하는 것으로 기능이 알려져 있다. 이 BAP의 핵산치환기능이 BiP의 샤페론 작용에 어떤 영향을 미치는지를 in vitro에서 항체 heavy chain을 이용하여 알아보았다. BAP은 ATP보다 ADP가 결합되어 있는 BiP과 더 잘 결합을 하며, in vitro에서 BiP과 결합하고 있는 unfolded 단백질을 BAP은 BiP으로부터 해리하였다. 또한 소포체내에 존재하는 Hsp70 homologue chaperone인 BiP과 Grp170에 대한 BAP의 결합특이성을 anti-Grp170과 anti-BAP 항체로 co-immunoprecipitation을 하여 확인한 결과 BAP은 Grp170과 결합을 하지 않았다. 따라서 BAP은 ER내에 존재하는 동일한 family group에 속하는 Grp170과 BiP에 대하여 BiP에만 특이성을 갖는 것으로 나타났다.

플라즈마분자선에피탁시법으로 성장한 산화비스무스아연 박막의 구조특성 (Structural Characterization of Bismuth Zinc Oxide Thin Films Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy)

  • 임동석;신은정;임세환;한석규;이효성;홍순구;정명호;이정용;조형균
    • 한국재료학회지
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    • 제21권10호
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    • pp.563-567
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    • 2011
  • We report the structural characterization of $Bi_xZn_{1-x}O$ thin films grown on c-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. By increasing the Bi flux during the growth process, $Bi_xZn_{1-x}O$ thin films with various Bi contents (x = 0~13.17 atomic %) were prepared. X-ray diffraction (XRD) measurements revealed the formation of Bi-oxide phase in (Bi)ZnO after increasing the Bi content. However, it was impossible to determine whether the formed Bi-oxide phase was the monoclinic structure ${\alpha}-Bi_2O_3$ or the tetragonal structure ${\beta}-Bi_2O_3$ by means of XRD ${\theta}-2{\theta}$ measurements, as the observed diffraction peaks of the $2{\theta}$ value at ~28 were very close to reflection of the (012) plane for the monoclinic structure ${\alpha}-Bi_2O_3$ at 28.064 and the reflection of the (201) plane for the tetragonal structure ${\beta}-Bi_2O_3$ at 27.946. By means of transmission electron microscopy (TEM) using a diffraction pattern analysis and a high-resolution lattice image, it was finally determined as the monoclinic structure ${\alpha}-Bi_2O_3$ phase. To investigate the distribution of the Bi and Bi-oxide phases in BiZnO films, elemental mapping using energy dispersive spectroscopy equipped with TEM was performed. Considering both the XRD and the elemental mapping results, it was concluded that hexagonal-structure wurtzite $Bi_xZn_{1-x}O$ thin films were grown at a low Bi content (x = ~2.37 atomic %) without the formation of ${\alpha}-Bi_2O_3$. However, the increased Bi content (x = 4.63~13.17 atomic %) resulted in the formation of the ${\alpha}-Bi_2O_3$ phase in the wurtzite (Bi)ZnO matrix.

Ni 캡의 전기도금 및 SnBi 솔더 Debonding을 이용한 웨이퍼 레벨 MEMS Capping 공정 (Wafer-Level MEMS Capping Process using Electrodeposition of Ni Cap and Debonding with SnBi Solder Layer)

  • 최정열;이종현;문종태;오태성
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제16권4호
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    • pp.23-28
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    • 2009
  • Si 기판의 캐비티 형성이 불필요한 웨이퍼-레벨 MEMS capping 공정을 연구하였다. 4인치 Si 웨이퍼에 Ni 캡을 전기도금으로 형성하고 Ni 캡 rim을 Si 하부기판의 Cu rim에 에폭시 본딩한 후, SnBi debonding 층을 이용하여 상부기판을 Ni 캡 구조물로부터 debonding 하였다. 진공증착법으로 형성한 SnBi debonding 층은 Bi와 Sn 사이의 심한 증기압 차이에 의해 Bi/Sn의 2층 구조로 이루어져 있었다. SnBi 증착 층을 $150^{\circ}C$에서 15초 이상 유지시에는 Sn과 Bi 사이의 상호 확산에 의해 eutectic 상과 Bi-rich $\beta$상으로 이루어진 SnBi 합금이 형성되었다. $150^{\circ}C$에서 유지시 SnBi의 용융에 의해 Si 기판과 Ni 캡 구조물 사이의 debonding이 가능하였다.

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