• Journal of applied mathematics & informatics
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• 제27권1_2호
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• pp.49-58
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• 2009

For $1{\leq}k{\leq}r$, let ${\sigma}$($K_{r,r}$ - ke, n) be the smallest even integer such that every n-term graphic sequence ${\pi}$ = ($d_1$, $d_2$, ..., $d_n$) with term sum ${\sigma}({\pi})$ = $d_1$ + $d_2$ + ${\cdots}$ + $d_n\;{\geq}\;{\sigma}$($K_{r,r}$ - ke, n) has a realization G containing $K_{r,r}$ - ke as a subgraph, where $K_{r,r}$ - ke is the graph obtained from the $r\;{\times}\;r$ complete bipartite graph $K_{r,r}$ by deleting k edges which form a matching. In this paper, we determine ${\sigma}$($K_{r,r}$ - ke, n) for even $r\;({\geq}4)$ and $n{\geq}7r^2+{\frac{1}{2}}r-22$ and for odd r (${\geq}5$) and $n{\geq}7r^2+9r-26$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.413-413
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• 2008

최근 잉크젯, 스크린, 그라비아 등 기존의 인쇄 방식과 인쇄 기술을 이용하여 저가의 전자회로 혹은 전자 소자를 제조하고자 프린팅 소재 및 공정 개발에 대한 산업계의 관심이 증가하고 있다. 특히 PCB, RFID, 디스플레이, 태양전지 분야의 전극재료의 개발에 많은 연구가 진행 중에 있으며, 다양한 인쇄 방법 중 미세회로의 구현이 가능한 잉크젯 프린팅을 통한 전극 형성방법에 주목하고 있다. 본 연구는 잉크젯 프린팅 방식을 통해 배선을 형성하고자 이에 적합한 다양한 농도의 잉크를 배합하여 평가하였으며, 첨가제 및 소결, 건조 조건의 변화를 통해 기재와의 부착력, 배선의 크랙을 조절하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.145-148
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• 2007

The authors report on the fabrication of thin film transistors (TFTs) that use amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) channel and have the channel length (L) and width (W) patterned by dry etching. To prevent the plasma damage of active channel, a 100-nm-thckness $SiO_{x}$ by PECVD was adopted as an etch-stopper structure. IGZO TFT (W/L=10/50${\mu}m$) fabricated on glass exhibited the high performance mobility of $35.8\;cm^2/Vs$, a subthreshold gate voltage swing of $0.59V/dec$, and $I_{on/off}$ of $4.9{\times}10^6$. In addition, 4.1” transparent QCIF active-matrix organic light-emitting diode display were successfully fabricated, which was driven by a-IGZO TFTs.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 2005년도 추계학술발표회
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• pp.422-423
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• 2005

• 청정기술
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• 제17권2호
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• pp.181-188
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• 2011

본 논문은 청정생산분야의 정부R&D투자에 대한 기업R&D투자의 대응방식(보완 또는 대체효과)을 조사하고, 기업R&D투자의 보완 대체의 효과성에 영향을 주는 주요 결정요인과의 상관관계를 분석하였다. 정부R&D지원을 받은 조사대상 207개 중에서 95개(45.9%)는 기업R&D투자가 증가하였고, 38개(18.4%)에서는 감소한 것으로 나타났다. 로지스틱 회귀분석(logistic regression analysis)을 통한 상관관계의 분석 결과, 해당기업의 R&D투자집약도가 클수록 정부R&D투자가 기업R&D투자를 보완하는 효과를 나타내고 있는 것으로 분석되었다. 반면 기업규모, 정부지원 비중, R&D인력집약도 등에서는 기업R&D투자의 보완 대체효과에 대해서 유의미한 결과가 나타나지 않았다. 이에 따라 정부의 청정생산R&D 지원효과를 높이기 위해서는 매출액 대비 R&D투자를 많이 하고 있는 기업에 보다 중점적으로 지원하는 것이 필요하다. 아울러 정부R&D사업의 선정과 지원을 보다 효과적으로 하기 위해서는 그간 추진되어왔던 R&D사업별로 사업특성에 따라 보다 미시적인 분석이 필요할 것이다.

• 대한수학회논문집
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• 제10권2호
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• pp.349-355
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• 1995

Let $D \subset C^n$ be a smoothly bounded pseudoconvex domain and let ${\bar{D}_r}_r$ be a family of smooth perturbations of $\bar{D}$ such that $\bar{D} \subset \bar{D}_r$. Let $K_D(z, w)$ be the Bergman kernel function on $D \times D$. Then $lim_{r \to 0} K_{D_r}(z, w) = K_D(z, w)$ locally uniformally on $D \times D$.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1998년도 IUMRS-ICEM ABSTRACT BOOK
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• pp.41.1-41
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• 1998

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 2004년도 추계학술발표회 발표논문집
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• pp.1373-1374
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• 2004

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 2005년도 춘계학술발표회
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• pp.1144-1145
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• 2005

• 시스템엔지니어링학술지
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• 제4권1호
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• pp.19-29
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• 2008

Traditionally gas plant R&D has had a world-wide weak position in terms of high technology. Especially System engineering did not exactly apply to gas plant construction. So, Gas Plant R&D Center is determined to make the establishment of the system engineering for the standard of gas plant. Gas Plant R&D Center has two projects. Firstly, the establishment of the R&D management system. Secondly, the system engineering which is included in the VE concept of EPC parts. But Gas Plant R&D Center exists in the particular conditions for successful development of the new process and core equipments. Now we will describe the establishment of R&D management system and particular conditions(Risk Conditions) for gas plant.