A numerical simulation of the steady and pulsatile flow across the end-to-side anastomosis was performed In order to understand the role of flow dynamics in the preferential bevel opment of distal anastomotic intimal hyperplasla. The finite element technique was employed to solve two-dimensional unsteady pulsatile flow in that region. The results of the steady flow revealed that low shear stresses occur at the proximally occluded host artery and at the recirculation region in the Inner wall just distal to the toe region of the anastomosis. The nor- mal;zed wall shear rate was increased, as was the recirculation zone size in the host artery of the by-pass graft anastomosis, with increased anastomotic junction angle. In order to min imize the size of the low wall shear region which might result in the intimal hyperplasia in the by-pass graft anastomosis, a smaller anastomotic junction angle is recommended. The pulsatile flow simulation revealed flow that regions of low and ascillating mali shear do exist near the anastomosis as In the steady simulation. The shift of stagnation point depends on the pulsation of the flow. As the flow was accelerated at systole, the stagnation point moved downstream, disappered at early diastole and reappeared during late diastole. Low shear stress was also found along both walls of the occluded proximal artery. However, the diastolic flow behavior is quite different from the steady results. The vortex near the occluded artery moved downstream and inwardly during late systole, and disappeared during diastole. Recirculations proximal to the toe and heel regions were significant during diastole. Shear stress oscillation was found along the opposite wall. The results of the present study revealed that tow shear occurs at the proximally occluded host artery aud the recirculation region in the inner wall Just dlstal to the toe region of the anastomosis. The present study suggested that the regions of fluctuated wall shear stress wit flow separation is correlated with the preferential developing regions of anastomosis neointial fibrous hyperplasia.
스텔스 무인전투기 형상 주위 유동장의 수동에서의 흐름가시화 시험을 통한 기본 공력 특성 파악 연구가 수행되었다. 시험은 자유류 속도 12.7 cm/sec와 평균시위 기준 레이놀즈수 $1.4{\times}10^4$에서 수행되었다. 물감을 사용하여 가시화된 와류의 생성 및 붕괴 현상은 앞서 수행된 힘과 모멘트 측정 결과와 비교되었다. 시험 결과 낮은 받음각에서는 동체와 날개 junction 와류가 큰 영향을 주지만, 높은 받음각 영역에서는 전방동체 와류 거동이 공력에 지배적인 영향을 줌을 확인하였다.
대한치과보존학회 2003년도 제120회 추계학술대회 제 5차 한ㆍ일 치과보존학회 공동학술대회
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pp.546.1-546
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2003
Laser doppler flowmeter (LDF) has been applied to the measurement of pulpal blood flow (PBF) in human teeth. As far as we searched, the detection area of the pulp in the blood flow measurement has not been clarified, yet. Therefore, the purpose of this study was to obtain information of the detection area in PBF measurement using LDF. The experiments were performed on the artificial blood circulation in extracted human upper central incisors. The apical portions of examined teeth (n=6) were severed and root canals were enlarged from the apical end to the 2mm incisal to the level of enamel-cement junction. An individual resin cap of each tooth was prepared and a hole was drilled 2mm incisal to enamel-cement junction of the labial side of the cap. The measurement probe of LDF (MBF3D, Moor Instrument, UK) was plugged into the hole of the cap. Heparinized human peripheral blood, which was in advance collected and diluted 3 times with physiological saline, was pumped through the apical foramen of the teeth via a silicone tube and a disposable needle (o.d. 0.7mm) and blood flow signals were monitored. The flux signal significantly increased with the enlargement of the root canal to incisal direction (p<0.01, Friedman analysis). The result indicates that the performance of LDF in PBF with human teeth is limited.
터빈 익렬 내에서 발생하는 2차유동손실은 터빈 동익 또는 정익렬에서 전체 공기역학적 손실의 30~50%차지하며, 터빈 효율 향상에 있어 개선해야 될 중요한 부분으로 인식되고 있으며, 과거부터 2차유동에 의한 손실을 줄이기 위한 많은 연구들이 수행되었다. 본 논문에서는 2차유동손실을 일으키는 요인 중의 하나인 말굽와류의 강도를 감쇄시키기 위해 일반적인 날개 앞전에 모서리 홈을 설치하였으며, 설치 홈의 높이 및 깊이 등의 형상 변수를 변화시켜가면서 말굽와류의 발생 영역 및 강도의 감쇄 특성 및 구조에 대해 상용코드인 $FLUENT^{TM}$를 이용하여 수치해석적인 방법으로 연구하였다. 그리고 최상의 경우, 기준 모델의 경우보다 전압력 손실이 약 1.55% 감소함을 발견하였다.
본 연구에서는 4대강 살리기 사업 후 퇴적현상이 지배적으로 발생하는 남한강과 섬강 합류부 구간을 대상으로 2차원 수치모형인 CCHE2D 모형을 이용하여 하천의 흐름 및 하상변동에 대한 해석을 수행하였다. 대상지점 합류부는 남한강 본류의 만곡부에 지류 섬강이 유입되는 특성을 갖는다. CCHE2D 모형은 비평형 유사이송을 해석하며 소류사와 부유사 조정거리가 중요한 입력변수로 대상지점에서는 소류사 조정거리가 하상변동에 가장 큰 영향을 주는 것으로 나타났다. 수치모의 결과 유량비($Q_r$) 변화가 남한강과 섬강 합류부 지점에서 흐름 및 하상변동에 영향을 미쳤으며, $Q_r{\leq}2.5$인 경우에는 합류전 본류의 유속이 증가하여 흐름박리구역을 감소시켰으며 이로 인해 합류부 내측의 퇴적이 감소하였다. $Q_r$>2.5이면 합류부 구간에 퇴적이 증가하여 사주가 형성될 가능성이 높은 것으로 나타났다. 수치모의를 통해 2013년에 발생한 유량비 변화에 의해 합류부에 고정사주가 형성된 것을 알 수 있었다.
Aerodynamic characteristics of three-dimensional wings in ground effect for Aero-levitation Electric Vehicle(AEV) are numerically investigated for various ground clearances and wing spans at the Reynolds number of $2\times10^6$. Numerical results show that a sizeable three-dimensional flow separation occurs with formation of an arch vortex at the junction of main and vertical wings, and that this is conjectured a primary cause for the high lift-to-drag(L/D) reduction rate of the main wing, when the wing span is decreased. Improvements on L/D ratios of the wings with small spans are pursued by breaking the coherence of superimposed adverse pressure gradients at the wing junction.
This paper was developed and described core-process to implement low on resistance which was the most important characteristics of SJ (super junction) MOSFET. Firstly, using process-simulation, SJ MOSFET optimal structure was set and developed its process flow chart by repeated simulation. Following process flow, gate level process was performed. And source and drain level process was similar to genral planar MOSFET, so the process was the same as the general planar MOSFET. And then to develop deep trench process which was main process of the whole process, after finishing photo mask process, we developed deep trench process. We expected that developed process was necessary to develop SJ MOSFET for automobile semiconductor.
N type single crystal CdTe is grown by doping Gallium as 0.01 percent, by using zone melting method. And also p type CdTe is grown by doping Ag, Sb, and Te as 0.01%. Resistivity and Concentration of the n.p type single crystal are measured. And then Li ions are implanted on the n type CdTe by high voltage accellerator with different amount of impurity. Indium is evaporated on the p type in high vacuum condition. These sample are heated so as to make P-N Junction in Argon gas flow. Electrical properties for solar cell are investigated. Photovoltage and current are found to be varyed according to following factor: 1) amount of impurity 2) diffusion thickness 3) temperature and time for making P-N junction. Efficiency of the P-N Junction evaporated Indium is 6.5 when it is heated at 380.deg. C for 15 minutie.
The Si-SiO$_2$interface trap and nitride bulk trap distribution of SONOSFET(polysilicon-oxide-nitride-oxide-semiconductor)NVSM(nonvolatile semiconductor memory) cell were investigated by single charge pumping method. The used device was fabricated by 0.35 7m standard logic fabrication including the ONO cell process. This ONO dielectric thickness is tunnel oxide 24 $\AA$, nitride 74 $\AA$, blocking oxide 25 $\AA$, respectively. Keeping the pulse base level in accumulation and pulsing the surface into inversion with increasing amplitudes, the charge pumping current flow from the single junction. Using the obtained I$_{cp}$-V$_{h}$ curve, the local V$_{t}$ distribution, doping concentration, lateral interface trap distribution and lateral memory trap distribution were extracted. The maximum N$_{it}$($\chi$) of 1.62$\times$10$^{19}$ /cm$^2$were determined.mined.d.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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