• 대한상한금궤의학회지
• /
• 제4권1호
• /
• pp.57-65
• /
• 2012

Objective : The purpose of this study is to evaluate the effectiveness of Sin-Ga-Tang in the treatment of Hypogalactia. Method : After 4 weeks of dosing Sin-Ga-Tang, observe the changes and analyze results in 3 cases. Result : 1. Hypogalactia is exacerbated by the postpartum fatigue and digestive dysfunction. 2. After dosing Sin-Ga-Tang, Postpartum fatigue and digestive dysfunction resolved, Showed beneficial effects in the treatment of Hypogalactia. Conclusion : Sin-Ga-Tang is effective on Hypogalactia associated with digestive disorders, However, in-depth study for digestive dysfunction affecting Hypogalactia should be considered as progress.

• 전력전자학회:학술대회논문집
• /
• 전력전자학회 2013년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.192-193
• /
• 2013

본 논문에서는 WBG(Wide Band Gap)특성을 갖는 GaN FET의 과도특성을 분석한다. 먼저, GaN(Gallium Nitride) FET의 공개된 정보를 바탕으로 스위칭 과도 특성과 관련된 파라미터들을 정량적으로 추출하고, GaN FET의 동특성을 반영하는 시뮬레이션 모델을 구성한다. 이 모델을 통하여 Si MOSFET과 비교하여 GaN FET의 성능을 예측한다.

• 생약학회지
• /
• 제39권1호
• /
• pp.50-55
• /
• 2008

"Ga Si O Gal Pi" is one of the Korean crude drugs used mainly to cure arthritis, acute gastritis, and beriberi. With regard to the botanical origin of "Ga Si O Gal Pi", it has been considered to be Acanthopanax species of Araliaceae, but there was no pharmacognostical confirmation on it. To clarify the botanical origin of "Ga Si O Gal Pi", the anatomical characteristics of the branch of Acanthopanax species growing wild in Korea and Japan, A. chiisanensis, A. divaricatus, A. koreanum, A. rufinerve, A. senticosus, A. seoulense, A. sessiliflorus, A. sieboldiaum were studied. As a result, it was clarified that "Ga Si O Gal Pi" was the branch and rarely the bark of branch of Acanthopanax senticosus.

• Journal of Electrical Engineering and information Science
• /
• 제2권6호
• /
• pp.106-110
• /
• 1997

The binding energies of the ground state of both the heavy-hole and light-hole excitons in a GaAs(In\ulcornerGa\ulcornerAs) quantum well sandwiched between two semi-infinite Al\ulcornerGa\ulcornerAs(InP) layers are calculated as a function of well width in the presence of an arbitray magnetic field. A variational approach is followed using very simple trial wave function. The applied magnetic field is assumed to be parallel to the axis of growth and the binding energies are calculated for a finite value of the height of the potential barrier. The exciton binding energies for a given value of the magnetic field are found to be increased than their values in a zero magnetic field due to the compression of their wave functions within the well with the applied magnetic field.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 D
• /
• pp.2305-2307
• /
• 2000

In this paper we propose a Neuro-Fuzzy modeling method using mGA for complex nonlinear system. mGA has more effective and adaptive structure than sGA with respect to using the changeable-length string. This paper suggest a new coding method for applying the model's input and output data to the number of optimul rules of fuzzy models and the structure and parameter identifications of membership function simultaneously. The proposed method realize optimal fuzzy inference system using the learning ability of Neural network. For fine-tune of the identified parameter by mGA, back-propagation algorithm used for optimulize the parameter of fuzzy set. The proposed fuzzy modeling method is applied to a nonlinear system to prove the superiority of the proposed approach through compare with ANFIS.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
• /
• 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 추계학술대회 발표 논문집
• /
• pp.109-116
• /
• 2003

Amorphous GaN Quantum dots(a-GaN QDs) with particle diameters less than bohr radius(~11nm) were successfully fabricated at room temperature by a laser ablation of high densified GaN target. Transmission electron microscopy, SAED diffraction pattern and X-ray photoelectron spectroscopy confirmed the presence of a-GaN QDs with particle size of 7.9, 6.9, 4.4nm under the Ar gas pressures of 50, 100 and 200 Pa, respectively. The room temperature PL and absorbance spectra showed a strong band emission centered at 3.9 eV in a-GaN QDs made under the gas pressures of 100 and 200 Pa, which is nearly 0.5eV blueshifted with respect to the bulk crystal band gap.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 D
• /
• pp.1952-1954
• /
• 2001

In this paper, we propose the neuro-fuzzy modeling method using VmGA (Virus messy Genetic Algorithm) for the complex nonlinear system. VmGA has more effective and adaptive structure than sGA. in this paper, we suggest a new coding method for applying the model's input and output data to the optimal number of rules in fuzzy models and the structure and parameter identification of membership functions simultaneously. The proposed method realizes the optimal fuzzy inference system using the learning ability of neural network. For fine-tune of parameters identified by VmGA, back- propagation algorithm is used for optimizing the parameter of fuzzy set. The proposed fuzzy modeling method is applied to a nonlinear system to prove the superiority of the proposed approach through comparing with ANFIS.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
• /
• pp.121-124
• /
• 2004

We have grown GaN layers with in-situ SiN mask by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) and study the physical properties of the GaN layer. We have also investigate the effect of the SiN mask on its optical property. By inserting a SiN mask, (102) the full width at half maximum(FWHM) decreased from 480 arcsec to 409 arcsec. The PL intensity of GaN with SiN mask improved 2 times to that without SiN mask. We have thus shown that the SiN mask improved significantly the physical and optical properties of the GgN layer.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제21권5호
• /
• pp.544-546
• /
• 2000

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.325-325
• /
• 2012

1차원구속 반도체인 nanowires (NWs)는 전기적, 광학적으로 일반 bulk구조와 다른 특성을 가지고 있어서 현재 많은 연구가 되고 있다. 일반적으로 NWs는 Au 등의 금속 촉매를 이용하여 성장을 하게 되는데 이때 촉매가 오염물로 작용을 해서 결함을 만들어서 bandgap내에 defect level을 형성하게 된다. 본 연구는 Si (111) 기판 위에 GaAs NWs 와 InAs NWs를 촉매를 이용하지 않고 성장 하였다. vapour-liquid-solid (VLS)방법으로 성장하는 GaAs NWs는 Ga의 droplet을 이용하게 되는데 Ga이 Si 기판위에 자연 산화막에 존재하는 핀홀(pinhole)로 이동하여 1차적으로 Ga droplet 형성하고 이후 공급되는 Ga과 As은 SiO2 보다 GaAs와 sticking coefficient 가 좋기 때문에 Ga drolept을 중심으로 빠른 선택적 성장을 하게 되면서 NWs로 성장을 하게 된다. 반면에 InAs NWs를 성장 할 시에 droplet 방법으로 성장을 하게 되면 NWs가 아닌 박막 형태로 성장을 하게 되는데 이것으로 InAs과 GaAs의 $SiO_2$와의 sticking coefficient 의 차이를 추측을 할 수 있다. InAs NWs는 GaAs NWs는 달리 native oxide를 이용하지 않고 InAs 과 Si 사이의 11.5%의 큰 lattice mismatch를 이용한다. 이종의 epitaxy 방법에는 크게 3종류 (Frank-van der Merwe mode, Stranski-Krastanov mode, Volmer-Weber mode)가 있는데 각기 다른 adatom 과 surface의 adhesive force로 나누어지게 된다. 이 중 Volmer-Weber mode epitaxy는 adatom 의 cohesive force가 surface와의 adhesive force보다 큰 경우 성장 되는 방식으로 InAs NWs 는 이 방식을 이용한다. 즉 droplet을 이용하지 않는 vapour-solid (VS) 방법으로 성장을 하였다. 이 때 In 의 migration을 억제하기 위해서 VLS mode 의 GaAs NWs 보다 As의 공급을 10배 이상 하였다. FE-SEM 분석 결과 GaAs NWs는 Ga droplet을 확인 할 수 있었고 InAs NWs는 droplet이 존재하지 않았다. GaAs와 InAs NW는 density와 length가 V/III가 높을수록 증가 하였다.