Metal halide perovskite nanocrystals, due to their high absorption coefficient, high diffusion length, and photoluminescence quantum yield, have received significant attention in the fields of optoelectronic applications such as highly efficient photovoltaic cells and narrow-line-width light emitting diodes. Their energy band structure can be controlled via chemical exchange of the halide anion or monovalent cations in the perovskite nanocrystals. Recently, it has been demonstrated that chemical exfoliation of the halide perovskite crystal structure can be achieved by addition of organic ligands such as n-octylamine during the synthetic process. In this study, we systematically investigated the quantum confinement effect of methylammonium lead bromide (CH3NH3PbBr3, MAPbBr3) nanocrystals by precise control of the crystal thickness via chemical exfoliation using n-octylammonium bromide (OABr). We found that the crystalline thickness consistently decreases with increasing amounts of OABr, which has a larger ionic radius than that of CH3NH3+ ions. In particular, a significant quantum confinement effect is observed when the amounts of OABr are higher than 60 %, which exhibited a blue-shifted PL emission (~ 100 nm) as well as an increase of energy bandgap (~ 1.53 eV).
CM-chitin 분자의 고유특성을 규명하기 위하여 물성학적 방법으로 저농도 용액에서의 CM-chitin의 고유특성인 사슬배좌와 전해질 거동에 대하여 조사하였다. 비교란 상태에서 CM-chitin 사슬의 양단간 거리는 $127{\AA}$효에서 $113{\AA}$으로 분자량이 작을수록 양단간 거리는 좁혀지는 경향을 보였다 회전반경의 경우에도 $52{\AA}$에서 $46{\AA}$으로 양단간 거리와 같은 경향을 보였다. 팽창인자는 분자량에 관계없이 거의 일정하게 나타났으며, 결합사슬의 길이는 $14.5{\AA}$이었다. 그리고 교란 상태에서 CM-chitin의 Flory 점도상수는 $2.35\times10^{21}$이었다. CM-chitin의 이온강도에 따른 고유점도의 변화에 있어서 이온강도가 0.02일 때 고유점도는 1.95d1/g이었으며, 이온강도 1.0일 때는 고유점도가 1.06dl/g로 이온강도가 증가함에 따라 고유점도는 감소하는 경향을 보여 CM-chitin이 전해질임이 확인되었다. 그리고 전하를 완전히 제거한 상태에서의 CM-chitin의 고유점도$([\eta]_\infty)$는 0.91dl/g이었다. 한편 사슬의 유연성은 k-carrageenan과 거의 같은 것으로 나타났다.
본 연구는 합성 모데나이트(Na6.6Al6.6Si41.4O96·20.4H2O, Na-MOR)를 이용한 다양한 중금속의 포획 연구를 하기 위한 기초 단계로, 고분해능 X-선 분말 회절을 이용하여 치환체의 격자상수 및 부피 변화를 이해하기 위한 목적으로 실험을 진행하였다. 열중량 분석법(Thermogravimetric analysis, TGA)으로 측정한 결과, 1가 양이온 치환체(Cs-MOR, Na-MOR)는 단위포 당 19.4, 20.4개의 물분자가 존재하였으며, 2가 양이온 치환체(Pb-MOR, Sr-MOR, Cd-MOR)는 단위포 당 21, 23.1, 23.2개가 존재하는 것을 확인하였다. 측정한 모든 물질은 사방정계에 속하는 Cmcm의 공간군을 가지는 것으로 확인할 수 있었다. 치환 전 물질인 Na-MOR과 비교했을 때, 치환체의 (110)면과 (200)면의 회절강도가 명확하게 변화하였으나, 전체적인 피크의 위치는 거의 유사하게 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 또한 Na-MOR에서는 확인이 되지 않았던 (220)면의 피크가 Pb-, Cd-, Sr-MOR에서 뚜렷하게 관찰되었다. 이를 통해서 양이온 치환에 따른 원자들의 분포 변화가 주로 ab-평면상에서 나타나지만, 격자상수의 변화는 미세할 것으로 짐작할 수 있었다. Whole profile fitting 방법을 사용하여 치환된 모데나이트의 미세한 격자상수의 변화를 관찰하였다. 치환체의 격자상수 및 격자부피의 변화는 치환된 양이온의 반경 및 전하수에 따라 서로 다른 경향성을 보였다. 1가 양이온의 경우, 이온반경이 증가할수록 a-축의 길이는 증가하지만, 반면에 b- 및 c-축의 길이는 감소하였다. 2가 양이온의 경우, 이온반경이 증가할수록 대체적으로 a-축의 길이가 감소하고, b- 및 c-축의 길이는 증가하였다. 격자부피는 1가 또는 2가 양이온 치환체들이 각각 독립된 경향성을 가지며, 이온반경에 따라 증가하는 것을 확인할 수 있었다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제13권4호
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pp.171-176
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2012
As langasite $A_3BC_3D_2O_{14}$ compounds with piezoelectric properties exhibit no phase transition up to the melting point of 1,400-$1,500^{\circ}C$, many high temperature applications are expected for the SAW filter, temperature sensor, pressure sensor, and so on, based on the digital transformation of wider bandwidth and higher-bit rates. It has a larger electromechanical coupling factor compared to quartz and also nearly the same temperature stability as quartz. The $La_3Ga_5SiO_{14}$ (LGS) crystal with the $Ca_3Ga_2Ge_4O_{14}$-type crystal structure was synthesized and the crystal structure was analyzed by Mill et al. It is also an important feature that the growth of the single crystal is easy. In the case of three-element compounds such as $[R_3]_A[Ga]_B[Ga_3]_C[GaSi]_DO_{14}$ (R=La, Pr and Nd), the piezoelectric constant increases with the ionic radius of R. In this study, crystal structures of four-element compounds such as $[A_3]_A[B]_B[Ga_3]_C[Si_2]_DO_{14}$ (A = Ca or Sr, B = Ta or Nb) are analyzed by a single crystal X-ray diffraction, and the mechanism and properties of the piezoelectricity depending on the species of cation was clarified based on the crystal structure.
In fabricating plasma display panels, the photolithographic process is used to form patterns of barrier ribs with high accuracy and high aspect ratio. It is important in the photolithographic process to control the refractive index of the photosensitive paste. The composition of this paste for photolithography is based on the $B_2O_3-SiO_2-Al_2O_3$ glass system, including additives of alkali oxides and rare earth oxides. In this work, we investigated the density, structure and refractive index of glasses based on the $B_2O_3-SiO_2-Al_2O_3$ system with the addition of $Li_2O$, $K_2O$, $Na_2O$, CaO, SrO, and MgO. The refractive index of the glasses containing K2O, Na2O and CaO was similar to that of the [BO3] fraction while that of the SrO, MgO and Li2O containing glasses were not correlated with the coordination fraction. The coordination number of the boron atoms was measured by MAS NMR. The refractive index increased with a decrease of molar volume due to the increase in the number of non-bridging oxygen atoms and the polarizability. The lowest refractive index (1.485) in this study was that of the $B_2O_3-SiO_2-Al_2O_3-K_2O$ glass system due to the larger ionic radius of $K^+$. Based on our results, it has been determined that the refractive index of the $B_2O_3-SiO_2-Al_2O_3$ system should be controlled by the addition of alkali oxides and alkali earth oxides for proper formation of the photosensitive paste.
Orthorhombic and hexagonal lanthanum(III) hydroxycarbonate ($LaCO_3OH$) and $Ln^{3+}$-doped $LaCO_3OH$ ($LaCO_3OH:Ln^{3+}$, where Ln = Ce, Eu, Tb, and Ho) powders were prepared by a hydrothermal reaction under ambient pressure and characterized by thermogravimetry, powder X-ray diffraction, infrared and luminescence spectroscopy, and field-emission scanning electron microscopy. The polymorph of $LaCO_3OH$ depended on the reaction temperature, inorganic salt additive, species of $Ln^{3+}$ dopant, and solvent. The calcination of orthorhombic $LaCO_3OH:Ln^{3+}$ (2 mol %) powers at $600^{\circ}C$ yielded a mixture of hexagonal and monoclinic $La_2O_2CO_3:Ln^{3+}$ powders. The relative quantity of the latter increased with decreasing ionic radius of the $Ln^{3+}$ dopant ion and increasing doping concentrations. On the other hand, the calcination of hexagonal $LaCO_3OH:Ln^{3+}$ (2 mol %) powders at $600^{\circ}C$ resulted in a pure hexagonal $La_2O_2CO_3:Ln^{3+}$ powder, regardless of the species of $Ln^{3+}$ ions (Ln = Ce, Eu, and Tb). The luminescence spectra of $LaCO_3OH:Ln^{3+}$ and $La_2O_2CO_3:Ln^{3+}$ were measured to examine the effect of their polymorph on the spectra.
To obtaingood resolution in PDP, one of the important factors is to achieve the accuracy of barrier ribs. The photolithographic process can be used to form patterns of barrier rib with high accuracy and a high aspect ratio. The composition for photolithography is based on the $B_2O_3-SiO_2-Al_2O_3$ glass system including additives such as alkali oxides and alkali earth oxides. The refractive index and thermal properties in glass system are changed by amount of alkali oxides and alkali earth oxides. Therefore, it is important that additives are controlled to have proper refractive index and thermal properties. The additives are contributed to non-bridging oxygen within the glass network, causing a change of density. In addition to a change of the structural cross-link density, the refractive index, dielectric and thermal properties glass are correlated with ionic radius and polarizability of cations. In this study, we investigated the refractive index and the thermal properties such as glass transition temperature, glass softening temperature and coefficient of thermal expansion by changing composition in the $B_2O_3-SiO_2-Al_2O_3$ glass system.
ZnO and Al-doped ZnO thin films were prepared by sol-gel dip-coating method and electrical and optical properties of films were investigated. Using the zinc acetate dihydrate and acetylaceton(AcAc) as a chelating agent stable ZnO sol was synthesized with HCl catalyst. Adding aluminium chloride to the ZnO sol Al-doped ZnO sol could be also synthesized. As Al contents increase the crystallinity of ZnO thin film was retarded by increased compressive stress in the film resulted from the difference of ionic radius between Zn2+ and Al3+ The thickness of ZnO and Al-doped ZnO thin film was in the range of 2100~2350$\AA$. The resistivity of ZnO thin films was measured by Van der Pauw method. ZnO and Al-doped ZnO thin films with annealing temperature and Al content had the resistivity of 0.78~1.65$\Omega$cm and ZnO and Al-doped ZnO thin film post-annealed at 40$0^{\circ}C$ in vacuum(5$\times$10-5 torr) showed the resistivity of 2.28$\times$10-2$\Omega$cm. And the trans-mittance of ZnO and Al-doped ZnO thin film is in the range of 91-97% in visible range.
Transition metal ions doped $TiO_2$ nanostructured powders were prepared with simply heating aqueous $TiOCl_2$ solutions, contained various metal ions (Ni, Al, Fe, Zr, and Nb) of 1.47 mol% added as metal-chlorides, at $100^{\circ}C$ for 4 hrs by homogeneous precipitation process under suppressing conditions of water vaporization. The characterizations for prepared $TiO_2$ powders were carried out to observe doping of metal ions, their concentrations and microstructures using XRD, UV-VIS (DRS), XPS, SEM, TEM and ICP. Also, photo-oxidative abilities were evaluated by decomposition of 4-chlorophenol (4CP) under ultraviolet light irradiations. No secondary oxide phases were formed in all the $VTiO_2$ powders, showing doping with various transition metal ions. When adding ions ($Ni^{2+}$ or$ Al^{3+ }$ and $Zr^{4+}$ ) having valance states or ionic radii greatly different from those of $Ti^{4+}$ , the $TiO_2$ powders of mixed anatase and rutile phases were formed, whereas in the case of additions of $^Fe{3+ }$ and $Nb^{ 5+}$ as well as no addition of metal ion the powders with pure rutile phase alone were formed. Among the prepared $TiO_2$ powders, Ni$^{2+}$ doped $TiO_2$ powders, containing a small amount of anatase phase, showed excellent photo-oxidative ability in 4CP decomposition because of relative decreases in electron-hole recombination and poisoning of $TiO_2$ surface during the photoreaction.n.
상용의 Mn-Zn 훼라이트에 $GeO_{2}$와 $SnO_{2}$를 0.05, 0.3, 1.0 wt% 첨가하여 투자율의 온도특성, 손실인자 및 미세구조변화를 X-선 회절분석기, 주사전자현미경 및 LCR meter를 이용하여 관찰 하였다. $SnO_{2}$, $GeO_{2}$의 첨가량이 증가함에 따라, 투자율의 SPM(Secondary Peak Maximum)는 약 $80^{\circ}C$로부터 상온이하로 이동하였다. 미세구조의 현격한 변화없이 수반된 이러한 SPM의 이동은 이온 반경이 다른 Sn과 Ge이 주격자에 고용되었기 때문으로 판단된다. 투자율 및 손실인자의 주파수 의존성은 투자율이 100 kHz까지 모든조성에서 큰 변화가 없음을 알수있었고 손실인자는 10 kHz에서 최대값을 얻을 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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