• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제29권12호
• /
• pp.750-758
• /
• 2016

For the channel doping of shallow junction and retrograde well formation in CMOS, indium can be implanted in silicon. The retrograde doping profiles can serve the needs of channel engineering in deep MOS devices for punch-through suppression and threshold voltage control. Indium is heavier element than B, $BF_2$ and Ga ions. It also has low coefficient of diffusion at high temperatures. Indium ions can be cause the erode of wafer surface during the implantation process due to sputtering. For the ultra shallow junction, indium ions can be implanted for p-doping in silicon. UT-MARLOWE and SRIM as Monte carlo ion-implant models have been developed for indium implantation into single crystal and amorphous silicon, respectively. An analytical tool was used to carry out for the annealing process from the extracted simulation data. For the 1D (one-dimensional) and 2D (two-dimensional) diffused profiles, the analytical model is also developed a simulation program with $C^{{+}{+}}$ code. It is very useful to simulate the indium profiles in implanted and annealed silicon autonomously. The fundamental ion-solid interactions and sputtering effects of ion implantation are discussed and explained using SRIM and T-dyn programs. The exact control of indium doping profiles can be suggested as a future technology for the extreme shallow junction in the fabrication process of integrated circuits.

• Korean Chemical Engineering Research
• /
• 제44권5호
• /
• pp.520-527
• /
• 2006

본 연구에서는 FC(fluorocarbon) 플라즈마 반응기에서 입사하는 이온에너지에 따른 고분자 증착, 식각과 증착의 경쟁반응 및 물리적 스퍼터링 등의 여러 표면 현상들을 모델링하였다. $SiO_2$ 식각에 대한 표면반응은 식각반응 영역을 잘 혼합된 CSTR(continuous stirred tank reactor) 가정을 도입하여 이온 도움에 의한 식각으로 모사되었다. 정상상태 고분자층을 통한 식각과 증착의 경쟁반응의 모델링은 이온 도움에 의한 고분자 생성 및 분해 메커니즘을 제안하여 수행하였다. 이러한 메커니즘은 최근 발표된 실험 및 분자동력학적 전산모사 결과에 기초하였으며,모델 계수들은 빔실험 결과 및 플라즈마 실험결과들을 이용하여 구하였다. 최종 개발된 모델의 결과들은 타당성을 검증하기 위해 문헌에 보고된 실험결과들과 비교하였다.

• Mass Spectrometry Letters
• /
• 제7권4호
• /
• pp.111-115
• /
• 2016

Glycerol was identified and isolated from endogenous interferences during analysis of human urine using high-resolution mass spectrometry (HRMS) for doping control. Urinary sample preparation was simple; the samples were diluted with an organic solvent and then analyzed using a liquid chromatography-mass spectrometry ("dilute and shoot" method). Although the interfering ion peaks were observed at the similar retention time of glycerol, the inference could be identified by isolation with HRMS and further investigation. Thus, creatinine was identified as the endogenous interference for glycerol analysis and it also caused ion suppression resulting in the decrease of glycerol signal. This study reports the first identification and efficient isolation of endogenous interferences in human urine for "dilute and shoot" method. The information about ion suppression could be novel to prevent overestimation or a false result for antidoping analysis.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
• /
• pp.237-242
• /
• 2003

투어멀린(Tourmaline)은 비대칭 쌍극자를 가진 유극성 결정체로 광물 중에서 영구적으로 전기분극 특성을 띄고 있는 유일한 물질로써, 일명 "전기석"이라고 알려져 있다. 자체의 미약 전류(약 0,06mA)와 함께 음이온 및 원적외선의 발생으로 최근 우리 주변에서 건강과 환경정화를 위한 관심 대상의 투어멀린은 육방정계의 압전성 및 초전성을 띄는 붕규산염으로, 물분자를 만나면 수소($H^+$)와 수산기($OH^-$)로 분해하여 친수기와 소수기를 구분하여 발생하며, $H^+$와 $OH^-$는 각각 $H_2O$와 결합하여 활성이 강한 hydronium ion($H_3O^+$)과 계면활성 작용이 있는 hydroxyl ion($H_3O_2^-$)을 생성한다. 물속에서 불안정한 상태로 존재하는 수산기는 hydroxyl (-)ion을 형성하여 약 알카리성($pH{\sim}7.4$)을 띄고, 물의 클러스터(cluster)를 세분화하는 수질개선 기능과 함께 살균, 항균 및 세균번식억제 효과를 갖는 것으로 확인되었다. 따라서 투어멀린 소결체를 활용하여 그 처리수의 특성조사 및 기능개발과 함께 대장균의 번식억제 작용 및 살균작용과 수질개선 기능 등 유용한 결과의 분석으로부터 다양한 응용성을 확보하였다.

• 전기화학회지
• /
• 제25권3호
• /
• pp.113-118
• /
• 2022

본 연구에서는 polyethylene glycol (PEG)이 구리전해도금에 미치는 영향을 cyclic voltammetry를 이용해 분석해보았다. PEG의 흡착은 함께 존재하는 음이온의 특이흡착에 따라 변화되었다. 가장 일반적인 도금액 성분인 sulfate 이온(SO₄^2-)이 존재하는 경우, PEG의 흡착이 억제되었으며 그로 인해 미약한 억제 효과가 관찰되었다. 실제로 도금액이 SO₄^2- 없이 특이흡착하지 않는 perchlorate 이온(ClO₄^-)으로만 이뤄진 경우, PEG는 도금 반응을 강하게 억제하였으며 억제 효과는 PEG의 분자량에 비례하여 나타났다. 반면, 염소 이온(Cl^-)의 특이흡착이 존재하는 경우 오히려 PEG의 억제 효과는 강화되었다. RDE 분석을 통해 강한 억제 효과는 PEG와 Cl^-간의 흡착구조체 형성에 의한 것임을 확인하였으며, 이러한 흡착 구조체 형성은 용액 조성에 따라 달라지는 특성을 나타내었다. 특히, 소수성 특성이 증가된 PEG 유도체의 경우 억제 효과가 더욱 강화되는 것으로 미루어, PEG와 Cl^-간의 흡착 구조체 형성에 PEG의 소수성 특성이 중요함을 확인하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• 제13권4호
• /
• pp.188-191
• /
• 2012

This paper introduces a new method regarding deuterium incorporation in the gate dielectric including deuterium implantation and post-annealing at the back-end-of-the process line. The control device and the deuterium furnace-annealed device were also prepared for comparison with the implanted device. It was observed that deuterium implantation at a light dose of $1{\times}10^{12}-1{\times}10^{14}/cm^2$ at 30 keV reduced hot-carrier injection (HCI) degradation and negative bias temperature instability (NBTI) within our device structure due to the reduction in oxide charge and interface trap. Deuterium implantation provides a possible solution to enhance the bulk and interface reliabilities of the gate oxide under the electrical stress.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.346-349
• /
• 2002

High Power and high dose ion implantation is essentially needed to make power MOSFET devices based on SiC wafers, because the diffusivities of the impurities such as Al, N, p, B in SiC crystal are very low. In addition, it is needed high temperature annealing for electrical activation of the implanted species. Due to the very high annealing temperature, the surface morphology after electrical activation annealing becomes very rough. We have found the different surface morphologies between implanted and unimplanted region. The unimplanted region showed smoother surface morphology It implies that the damage induced by high energy ion implantation affects the roughening mechanism. Some parts of Si-C bonding are broken in the damaged layer, s\ulcorner the surface migration and sublimation become easy. Therefore the macrostep formation will be promoted. N-type 4H-SiC wafers, which were Al ion implanted at acceleration energy ranged from 30kev to 360kev, were activated at 1600$^{\circ}C$ for 30min. The pre-activation annealing for damage relaxation was performed at 1100-1500$^{\circ}C$ for 30min. The surface morphologies of pre-activation annealed and activation annealed were characterized by atomic force microscopy(AFM).

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제13권1호
• /
• pp.22-27
• /
• 2013

Detailed study on how the plasma process during the sidewall spacer formation suppresses the formation of silicide is done. In non-patterned wafer test, it is found that both fluorocarbon reactive ion etch (RIE) and TEOS plasma-enhanced deposition processes modify the Si surface so that the silicide reaction is chemically inhibited or suppressed. In order to investigate the cause of the chemical modification, we analyze the elements on the silicon surface through Auger Electron Spectroscopy (AES). From the AES result, it is found that the carbon induces chemical modification which blocks the reaction between silicon and nickel. Thus, protecting the surface from the carbon-containing plasma process prior to nickel deposition appears critical in successful silicide formation.

• 한국재난관리표준학회지
• /
• 제3권2호
• /
• pp.65-71
• /
• 2010

본 연구는 우리 조상의 소중한 목조 문화재가 화재로 인해 소멸되는 것을 방지하기 위하여 화재진압 방법 중 하나인 가스소화설비를 이용하여 목조문화재 적심부의 화재진압 방법에 관한 것이다. 목조문화재는 적심부로 연소 전이시 진압이 매우 곤란하기 때문에 적심부 연소시 파괴를 수반하지 않는 화재 진압은 불가능하다. 스프링클러설비 등과 같이 현대 건축물에 설치되는 소방시설은 소화효과는 높은 반면에 설치와 작동에 따른 문화재 손상의 우려가 높아 목조문화재에 대한 적용성이 낮으므로 이러한 문제점을 최소화하면서 소화효과를 거둘 수 있는 소화설비 개발의 필요성을 제기하였고 타당성이 입증된 시험결과를 토대로 설치방안의 필요성을 제시하였으며, 적심부는 한국 고유의 건축방식으로 외국에 유사사례를 찾아 볼 수 없어 고정소화장치 개발을 통한 화재진압의 신속성과 효율성을 제고한 가스계 소화설비 소화방법을 개발하여 문화재의 손상을 최소화하면서 효용성을 검증하기 위한 실험을 연구하였다. 연구내용으로는 연구 실험 모형틀을 제작하여 소화방법을 수립, 소화시설을 설치하여 1차로 개판 천공 주수공 설치의 화재진압 효과성을 실험하였고 2차로 개판 천공 소화가스 주입구 설치의 화재 진압 효과성을 실험하였으며 그에 따라 숭례문과 유사한 목조 문화재의 경우 지붕의 적심부가 화재진압의 성패를 결정함으로 향후 유사사건의 발생시 신속하고 효율적인 화재진압을 위하여 소화방법에 관한 의견을 제시하였으며 그에 따라 목조 건축물(문화재) 진압대책 수립을 위한 객관적 데이터를 확보하였고 가스계 고정소화설비의 설치를 통한 문화재 방화대책 효과의 과학적 검증을 제시하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1998년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
• /
• pp.735-736
• /
• 1998

Reduction of hot carrier degradation in MOS devices has been one of the most serious concerns for MOS-ULSIs. In this paper, three types of LDD structure for suppression of hot carrier degradation, such as spacer-induced degradation and decrease of performance due to increase of series resistance will be investigated. LDD-nMOSFETs used in this study had three different drain structure. (1) conventional ${\underline{S}}urface$ type ${\underline{L}}DD$(SL), (2) ${\underline{B}}uried$ type ${\underline{L}}DD$(BL), (3) ${\underline{S}}urface$urface ${\underline{I}}mplantation$ type LDD(SI). As a result, the surface implantation type LDD structure showed that improved hot carrier lifetime to comparison with conventional surface and buried type LDD structure.