• 제목/요약/키워드: Ion Probe

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Atom Probe Tomography를 이용한 나노 스케일의 조성분석: II. 전자소자 및 나노재료에서의 응용 (Nano Scale Compositional Analysis by Atom Probe Tomography: II. Applications on Electronic Devices and Nano Materials)

  • 정우영;방찬우;장동현;구길호;박찬경
    • Applied Microscopy
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    • 제41권2호
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    • pp.89-98
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    • 2011
  • Atom Probe Tomography는 원자 수준의 분해능으로 원소의 위치 및 조성 정보를 3차원으로 제공해 주는 분석 장비이다. APT의 우수한 성능에도 불구하고 반도체 등, 저전도성 물질 분석에는 그 동안 적용이 어려웠다. 그러나 특정 시료 내 위치의 시편을 가공할 수 있는 FIB 시편 제조법과 laser펄스를 이용한 전계증발법의 개발로 APT의 분석 영역이 반도체에서 절연체까지 크게 확대 되고 있다. 본 논문에서는 최근에 적용되기 시작한 MOS-FET, GaN LED, Si-Nanowire 등 전자소자에서의 APT분석 응용사례에 대하여 살펴보았다.

Atom Probe Tomography를 이용한 나노 스케일의 조성분석: I. 이론과 설비 (Nano Scale Compositional Analysis by Atom Probe Tomography: I. Fundamental Principles and Instruments)

  • 정우영;방찬우;구길호;박찬경
    • Applied Microscopy
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    • 제41권2호
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    • pp.81-88
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    • 2011
  • 최근 나노 영역에서의 구조분석과 조성분석의 중요성이 증대되고 있으나, 기존의 분석장비들은 한계에 부딪히고 있다. 최근 개발된 APT는 nm 이하의 공간분해능과 수십 ppm수준의 detection limit으로 원소의 3차원분포와 조성정보를 제공해 주는 분석장비로서, 이러한 기존 분석의 한계를 극복할 수 있는 새로운 분석장비이다. 그러나 국내에는 아직 잘 알려지지 않아 활용이 미비한 실정이다. 따라서, 본 논문에서는 APT에 대한 이해를 돕기 위해 APT분석의 원리와 시편준비에 대해 소개하였다.

Low temperature pulsed ion shower doping for poly-Si TFT on plastic

  • Kim, Jong-Man;Hong, Wan-Shick;Kim, Do-Young;Jung, Ji-Sim;Kwon, Jang-Yeon;Noguchi, Takashi
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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    • pp.95-97
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    • 2004
  • We studied a low temperature ion doping process for poly-Si Thin Film Transistor (TFT) on plastic substrates. The ion doping process was performed using an ion shower system, and subsequently, excimer laser annealing (ELA) was done for the activation. We have studied the crystallinity of Si surface at each step using UV-reflectance spectroscopy and the sheet resistance using 4-point probe. We found that the temperature has increased during ion shower doping for a-Si film and the activation has not been fulfilled stably because of the thermal damage against the plastic substrate. By trying newly a pulsed ion shower doping, the ion was efficiently incorporated into the a-Si film on plastic substrate. The sheet resistance decreased with the increase of the pulsed doping time, which was corresponded to the incorporated dose. Also we confirmed a relationship between the crystallinity and the sheet resistance. A sheet resistance of 300 ${\Omega}$/sq for the Si film of 50nm thickness was obtained with a good reproducibility. The ion shower technique is a promising doping technique for ultra low temperature poly-Si TFTs on plastic substrates as well as those on glass substrates.

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Micro/nano Tribological and Water Wetting Characteristics of Ion Beam Treated PTFE Surfaces

  • Yoon, Eui-Sung;Oh, Hyun-Jin;Yang, Seung-Ho;Kong, Hosung
    • KSTLE International Journal
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    • 제3권1호
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    • pp.12-16
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    • 2002
  • Micro/nano tribological and water wetting characteristics of ion beam treated PTFE (polytetrafluoroethylene) surfaces were experimentally studied. The ion beam treatment was performed with a hollow cathode ion gun at different argon ion dose conditions in a vacuum chamber to modify the topography of PTFE surface. Micro/nano tribological characteristics, water wetting angles and roughness were measured with a micro tribe tester, SPM (scanning probe microscope), contact anglemeter and profilometer, respectively. Results showed that surface roughness increased with the argon ion dose. Water wetting angle of the ion beam treated samples increased with the ion dose, so the surface shows an ultra-hydrophobic nature. Micro-adhesion and micro-friction depend on the wetting characteristics of the PTFE samples. However, nano-tribological characteristics showed different results. The scale effect of surface topography on tribological characteristics was discussed. Also, the water wetting characteristics of modified PTFE samples were discussed in terms of the surface topographic characteristics.

$Ga^+$ 이온 빔 조사량에 따른 자기 조립 단분자막의 습식에칭 특성 (Effect of $Ga^+$ Ion Beam Irradiation On the Wet Etching Characteristic of Self-Assembled Monolayer)

  • 노동선;김대은
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 2005년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.326-329
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    • 2005
  • As a flexible method to fabricate sub-micrometer patterns, Focused Ion Beam (FIB) instrument and Self-Assembled Monolayer (SAM) resist are introduced in this work. FIB instrument is known to be a very precise processing machine that is able to fabricate micro-scale structures or patterns, and SAM is known as a good etch resistance resist material. If SAM is applied as a resist in FIB processing fur fabricating nano-scale patterns, there will be much benefit. For instance, low energy ion beam is only needed for machining SAM material selectively, since ultra thin SAM is very sensitive to $Ga^+$ ion beam irradiation. Also, minimized beam spot radius (sub-tens nanometer) can be applied to FIB processing. With the ultimate goal of optimizing nano-scale pattern fabrication process, interaction between SAM coated specimen and $Ga^+$ ion dose during FIB processing was observed. From the experimental results, adequate ion dose for machining SAM material was identified.

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벌크 마이크로머시닝을 이용한 Bump형 Probe Card의 제조 (Fabrication of Bump-type Probe Card Using Bulk Micromachining)

  • 박창현;최원익;김용대;심준환;이종현
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제3권3호
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    • pp.661-669
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    • 1999
  • 프로브 카드는 IC(integrated circuit) 칩을 테스트할 때, 테스트 시스템의 가장 중요한 부분의 하나이다. 본 연구는 다수의 반도체 칩을 동시에 테스트 할 수 있는 범프(bump)형 수직형 프로브 카드에 관한 것이다. 프로브는 범프 팁을 가지는 실리콘 캔틸레버로 구성되어 있다. 캔틸레버의 최적 크기를 결정하기 위하여 캔틸레버의 크기는 유한요소해석에 의하여 결정되었다. 프로브는 SDB웨이퍼를 사용하여 RIE, 등방성 에칭, 그리고 벌크 마이크로머시닝에 의하여 제조되었다. FEM에 의해 결정된 최적 크기로 제작된 프로브 카드는 범프의 높이가 30$\mum$, 캔틸레버의 두께가 $\mum$, 빔의 폭이 100 $\mum$, 길이가 400 $\mum$, 이었다. 제조된 프로브 카드의 접촉 테스트에서 측정된 접촉 저항은 $2 \Omega$ 미만이고, 2만회의 접촉동안 접촉 저항의 변화가 거의 없는 특성을 보였다. 따라서 20,000회 이상의 수명을 가질 수 있음을 알 수 있었다.

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흡기중의 수증기분압과 점화시기 및 연료 변화에 따른 스파크 점화기관의 화염 전파 특성 분석 (An Experimental Analysis of the Effects of Water Vapor Partial Pressure in Inlet Air, Spark Advance and Fuel Type on the Flame Propagation in a Spark Ingnition Engine)

  • 이택헌;전광민
    • 한국자동차공학회논문집
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    • 제6권5호
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    • pp.191-198
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    • 1998
  • In this study, the effects of water vapor in inlet air, spark advance and fuel type in the spark ignition engine were investigated through the experiments of combustion and flame arriving pattern analysis using ionization probe. The results of flame propagation experiment using ionization probe show that the flame which ignited from spark plug located at the center of the combustion chamber propagated faster in exhaust side than in intake side due to the mixture flow motion inducted into combustion chamber from intake tumble port at all conditions. And as the partial vapor pressure increased, the flame propagation became slower in all direction. Especially effects were greater for intake side than the exhaust side.

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Development of Pocket Insertion style Magnetic Curer that Apply $2^{loop}\;3^{pulsed}$ Variable Magnetic type Probe for Urinary Treatment

  • Kim, Whi-Young
    • Journal of information and communication convergence engineering
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    • 제6권1호
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    • pp.73-79
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    • 2008
  • Result that study magnet nerve curer for treatment induced current generation and current of ion for development in main point incontinence, prostate, sphincter, nervous system, rigidity, headache, retrogression arthritis, ligament damage, Rheumatism arthritis, peripheral nerve etc., can classify by 4. Embodied do first, full bridge magnet occurrence chapter, and communication with PC is available, confirmed various action loops an experiment. Could confirm correct treatment probe second, woman and man disease person. Third, derived so that healing may be possible naturally by addition of apron form according to disease. Because composition of finally, treatment probe composes by act of negative plate form, manufacture is easy and cooling designed for easy direction. More superior result of cooling appeared than existing in incidental and ingredients, cooling efficiency, composition, complexity, convenience etc. that expense and composition manufacture very straightforwardly and experimental by 2 - Tank ways.

4탐침 측정기술이 비저항 측정 정밀 정확도에 미치는 영향 (The Effects of the Four Point Probe Measurement Technique on the Precision and Accuracy in Electrical Resistivity Measurements.)

  • 강전홍;유광민;김한준;한상옥;김종석
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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    • pp.267-269
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    • 2003
  • 반도체 웨이퍼 및 각종 박막의 면/비저항(sheet/resistivity resistance)의 측정에 비교적 간단히 측정할 수 있고 측정정확도가 높은 4탐침(four-point probe)방법이 널리 사용되고 있다 또한 4탐침 측정방법은 높은 분해능의 contour map작성과 ion implantation의 doping accuracy 및 doping uniformity의 측정에도 사용된다. 최근 재료의 소형, 박막화 경향으로 볼 때 정확한 비저항 측정의 필요성이 요구되고 있으며 이에 따라 4탐침 측정기술인 single 및 dual configuration method로 실리콘 웨이퍼에 대한 비저항의 측정 정확도를 고찰한 결과 dual configuration 측정방법이 single configuration측정 방법에 비하여 정밀 정확도가 더 좋은 것으로 고찰되었다.

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