본 논문에서는 고속의 내부 링크를 가진 ATM교환 시스템에서 다양한 인터페이스를 수용할 수 있는 가입자 정합장치의 다중화 구조를 살펴보고, 버퍼의 크기와 셀 지연을 분석하였다. 그리고 다중화 시 셀 손실을 최소화하고 새로운 ATC들을 수용할 수 있는 버퍼 제어 방법을 제안하였다.
A justification methodology which evaluates the tactical aspects of an FMS project is proposed. For evaluation of quantifiable tactical costs/savings a method of internal rate of return on incremental investment is developed while for the tactical ones which are difficult to quantify a weighted factor scoring model is proposed.
In this paper, we implemented a speaker-independent speech recognizer using the TMS320F28335 DSP which is optimized for control applications. For this implementation, we used a small-sized commercial DSP module and developed a peripheral board including a codec, signal conditioning circuits and I/O interfaces. The speech signal digitized by the TLV320AIC23 codec is analyzed based on MFCC feature extraction methed and recognized using the continuous-density HMM. Thanks to the internal SRAM and flash memory on the TMS320F28335 DSP, we did not need any external memory devices. The internal flash memory contains ADPCM data for voice response as well as HMM data. Since the TMS320F28335 DSP is optimized for control applications, the recognizer may play a good role in the voice-activated control areas in aspect that it can integrate speech recognition capability and inherent control functions into the single DSP.
XML을 이용한 사용자 인터페이스 개발은 플랫폼과 프로그래밍 언어에 독립적이며, 사용자가 배우기 쉽고, 사용하기 쉬운 장점을 가지고 있다. 그러나, 현재까지 개발된 XML 기반 사용자 인터페이스 언어들은 정형화된 모델을 사용하지 않고 있으며, 사용자 인터페이스와 내부 로직의 결합 및 이벤트 처리 부분이 미약한 단점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 본 논문에서는 MVP(Model-View-Presenter) 모델을 확장한 EMVP (Extended MVP)를 제시하고, EMVP를 기반으로 사용자 인터페이스를 개발할 수 있는 새로운 XML 응용프로그램인 XUIML을 소개한다. XUIML은 EMVP를 기반으로 인터페이스 형태, 이벤트 처리, 데이타 흐름, 인터페이스와 내부 로직의 결합을 기술할 수 있는 방법을 제공한다 XUIML 시스템은 텍스트 편집기와 그래픽 편집기 및 XUIML을 자바와 C# 코드로 변환할 수 있는 변환기를 제공한다. 한편, XUIML의 그래픽 편집기는 직접 조작 방식을 지원하기 때문에 GUI 디자인 도구와 같은 높은 생산성을 얻을 수 있다.
본 논문에서는 고속 인터페이스 비트오류율(BER, Bit Error Rate)의 수학적 모델을 기반으로, 간단하고 정확하게 시간마진을 추정할 수 있는 '선형 근사화 추정법(linear approximation method)'을 제안하였다. 기존의 Q-factor를 이용한 추정법과 제안한 선형 근사화 추정법을 이용하여 $10^{-13}$ 이하의 BER을 얻기 위한 시간마진을 추정한 결과는 실측한 값과 비교할 때 약 0.03UI 정도의 작은 오차를 갖는다. 이 중 선형 근사화를 이용한 가속 자가내장측정법(built-in self test)을 내부 BERT(BER Tester)를 포함한 하드웨어로 구현하였다. 3Gbps, 95% 신뢰 수준에서 $10^{-13}$ BER 기준의 시간마진을 직접 측정하는데 소요되는 시간이 약 5.6시간인데 반해, 가속 자가내장측정법은 0.6초 이내에 유사한 정확도로 시간마진을 추정한다. 시간마진 추정치는 시간마진을 내부 BERT로 직접 측정한 값과 0.045UI 이하의 작은 오차를 보였다.
양면에서 텅스텐 램프를 조사하는 실리콘 재결정시의 SOI(silicon-on-insulator) 다층구조에 대한 1차원적 온도 및 열원(열원)의 분포를 SOR(successive over-relaxation)방법을 이용하여 정상상태의 열방정식의 해로부터 구하였다. 열원의 분포는 광원의 스펙트럼, SOI sample 내부 계면에서의 다중반사, 광흡수 계수의 온도, 주파수 의존성 등을 고려하여 구하였으며, 열 방정식의 경계조건이 되는 wafer의 전면과 후면의 온도는 혹체복사 조건으로부터 구하였다. 내부계면에서는 전도열속(conduction heat flux)과 복사열속(radiation heat flux)에 의한 연속조건을 만족하도록 하였다. 본 문제에서의 온도분포와 열원의 분포는 상호간에 큰 영향을 주게 되므로, 두가지 변수가 일치되는 값을 보일 때까지 iteration을 계속하였다. Pyrometer을 이용하여 측정한 wafer 전면의 온도는 약1200°K이었고 이때의 simulation 결과는 1120°K 정도로 나타났다.
Akram, Shakeel;Wu, Guangning;Gao, GuoQiang;Liu, Yang
Journal of Electrical Engineering and Technology
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제10권5호
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pp.2089-2098
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2015
With the continuous development in insulation of electrical equipment design, the reliability of the system has been enhanced. However, in the manufacturing process and during operation under continues stresses introduce local defects, such as voids between interfaces that can responsible to occurrence of partial discharge (PD), electric field distortion and accumulation of charges. These defects may lead to localize corrosion and material degradation of insulation system, and a serious threat to the equipment. A model of three layers of PI film with air gap is presented to understand the influence of interface and voids on exploitation conditions such as strong electrical field, PD activity and charge movement. The analytical analysis, and experimental results are good agreement and show that the lose contact between interfaces accumulate more residual charges and in consequences increase the electric field intensity and accelerates internal discharges. These residual charges are trapped charges, injected by the electrodes has often same polarity, so the electric field in cavities increases significantly and thus partial discharge inception voltage (PDIV) decreases. Contrary, number of PD discharge quantity increases due to interface. Interfacial polarization effect has opposite impact on electric field and PDIV as compare to void.
The increasing computational capability of processors is driving the need for high bandwidth links to communicate and store the information that is processed. Such links are often an important part of multi processor interconnection, processor-to-memory interfaces and Serial-network interfaces. This paper describes a 0.11-${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS 4 Gbp s/pin 3-Level transceiver using RSL/(Rambus Signaling Logic) for high bandwidth. This system which uses a high-gain windowed integrating receiver with wide common-mode range which was designed in order to improve SNR when operating with the smaller input overdrive of 3-Level. For multi-gigabit/second application, the data rate is limited by Inter-Symbol Interference (ISI) caused by low pass effects of channel, process-limited on-chip clock frequency, and serial link distance. In order to detect the transmited 4Gbps/pin with 3-Level data sucessfully ,the receiver is designed using 3-stage sense amplifier. The proposed transceiver employes multi-level signaling (3-Level Pulse Amplitude Modulation) using clock multi phase, double data rate and Prbs patten generator. The transceiver shows data rate of 3.2 ~ 4.0 Gbps/pin with a 1GHz internal clock.
비균일 단축결정(inhomogeneous uniaxal)매질 내에서 빛의 전파를 Berreman의 $4{\times}4$ 행렬을 사용하여 계산할 때, 광원이 단색광일 경우 매질 내의 불연속점에서 발생하는 다중 반사로 인한 Fabry-Perot 간섭효과에 의해, 투과광은 간섭효과가 나타나게 된다. 본 논문에서는 Berreman의 $4{\times}4$ 행렬 연산에서 Fabry-Perot 간섭효과를 제거하기 위한 apodization 방법을 제시하였다. 매질내에 k개의 불연속 경계면이 있을 경우, 새로운 apodization 방법은 최대 (k+1)개의 $4{\times}4$ 행렬을 부가적으로 곱하므로써 전체 전달행렬을 계산할 수 있다. 이를 twisted-nematic(TN) LC cell의 광투과 특성 계산에 적용한 결과 간섭 패턴을 효과적으로 제거할 수 있음을 확인하였다.
이 연구의 목적은 내측연결 임플랜트 시스템의 고정체-지대주-나사간의 계면 적합도를 알아보기 위한 것이다. 실험에 이용된 임플랜트 시스템은 Certain, Xive, Replace, Ankylos, SSII 이다. 이 시스템의 고정체와 지대주를 제조사의 권장 토크로 조인후 액상의 불포화 폴리에스터 용액에 고정한 후 절단하였다. 모든 표본은 절단, 연마후 주사전자 현미경으로 관찰하였다.내측연결 시스템의 적합도를 관찰한 결과, 각 제조사들 사이에 차이는 있으나 대부분의 내측연결 시스템의 경우엔 고정체와 지대주의 접촉은 긴밀히 접촉하는 경향을 가지고 있음을 알 수 있었다. 그러나 지대주와 나사, 고정체와 나사 간에는 다양한 형태의 틈이 존재하였다. 이러한 틈들이 나사의 불안정, 미생물의 군집, 악취 등에 어떠한 영향을 미칠지는 앞으로 계속적인 연구가 필요할 것으로 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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