Single phase of multicomponent oxide ZrTiO4 film could be prepared through surface sol-gel route simply by coating the mixture of 100 mM zirconium butoxide and titanium butoxide on $Pt/Ti/SiO_2Si(100)$ substrate, following pyro lysis at $450^{\circ}C$, and annealing it at 770 $^{\circ}C.$ The dielectric constant of the film was reduced as the film thickness decreased due to of the interfacial effects caused by layer/electrode and a few voids inside the multilayer. However, the dielectric property was independent of applied dc bias sweeps voltage (-2 to +2 V).The dielectric constant of bulk film, 31.9, estimated using series-connected capacitor model was independent of film thickness and frequency in the measurement range, but theoretical interfacial thickness, ti, was dependent on the frequency. It reached a saturated ti value, $6.9{\AA}$, at high frequency by extraction of some capacitance component formed at low frequency range. The dielectric constant of bulk ZrTiO4 pellet-shaped material was 33.7 and very stable with frequency promising as good applicable devices.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.20
no.10
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pp.183-190
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2003
Major device failures such as die cracking, interfacial delamination and warpage in flip chip packages are due to excessive heat and thermal gradients- There have been significant researches toward understanding the thermal performance of electronic packages, but the majority of these studies do not take into account the combined effects of thermo-mechanical interactions of the different package constituents. This paper investigates the thermo-mechanical performance of flip chip package constituents based on the finite element method with thermo-mechanically coupled elements. Delaminations with different lengths between the silicon die and underfill resin interfaces were introduced to simulate the defects induced during the assembly processes. The temperature gradient fields and the corresponding stress distributions were analyzed and the results were compared with isothermal case. Parametric studies have been conducted with varying thermal conductivities of the package components, substrate board configurations. Compared with the uniform temperature distribution model, the model considering the temperature gradients provided more accurate stress profiles in the solder interconnections and underfill fillet. The packages with prescribed delaminations resulted in significant changes in stress in the solder. From the parametric study, the coefficients of thermal expansion and the package configurations played significant roles in determining the stress level over the entire package, although they showed little influence on stresses profile within the individual components. These observations have been implemented to the multi-board layer chip scale packages (CSP), and its results are discussed.
In this paper, the joining characteristics of GDC-LSM ceramics with Crofer 22 APU metal alloys was investigated at different brazing temperatures and holding times by reactive air brazing. Brazing was performed using Ag-10 wt% CuO filler, at three different temperatures (1000, 1050, and 1100℃ for 30 minutes) as well as for three different holding times (10, 30, and 60 minutes at 1050℃). The interfacial microstructures were examined by scanning electron microscopy and the joining strengths were assessed by measuring shear strengths at room temperature. The results show that with increasing brazing temperature and holding time, joint microstructure changed obviously and shear strength was decreased. Shear strength varied from a maximum of 100±6 MPa to a minimum of 18±5 MPa, depending on the brazing conditions. These changes were attributed to an increase in the thickness of the oxide layer at the filler/metal alloy interface.
The effect of Nb on interfacial bonding characteristics of Ni-Cr alloy for porcelain fused to metal crown (PFM) has been studied in order to investigate oxide layer. A specimens of Ni-Cr alloy, which is 0.8mm in thickness, within the porcelain furnace of 1,000$^{\circ}C$ with four tests such as air, vacuum, air for 5 minutes and vacuum for 5 minutes in order to examine an oxide behavior of alloy surface generated by the adding of Nb to be controlled at a rate of 0, 1, 3 and 5. Oxide film was observed form of the fired specimens with scanning electron microscope (SEM), and at the same time it measured Electron Probe Micro Analyzer (EPMA). The result of this study were as follows: 1. Cr oxide film and Nb oxide film were observed from the surface of specimen to be controlled at a rate of Nb 1%. 2. Nb oxide film was observed from the interface of specimens to be controlled at a rate of Nb 1% and 3%. 3. The stability of oxide films that treated in air were more stable than treated under vacuum.
Refined analysis depicting mass transportation and physicochemical reaction and reasonable computing load with acceptable DOFs are the two major challenges of numerical simulation for concrete durability. Mesoscopic numerical simulation for chloride diffusion considering binder, aggregate and interfacial transition zone is unable to be expended to the full structure due to huge number of DOFs. In this paper, a multiscale approach of combining both mesoscopic model including full-graded aggregate and equivalent macroscopic model was introduced. An equivalent conversion of chloride content at the Interfacial Transition Layer (ITL) connecting both models was considered. Feasibility and relative error were discussed by analytical deduction and numerical simulation. Case study clearly showed that larger analysis model in multiscale model expanded the diffusion space of chloride ion and decreased chloride content in front of rebar. Difference for single-scale simulation and multiscale approach was observed. Finally, this paper addressed some worth-noting conclusions about the chloride distribution and rebar corrosion regarding the configuration of rebar placement, rebar diameter, concrete cover and exposure period.
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.26
no.3
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pp.288-296
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2009
In this study, the silica-based hybrid material with high barrier property was prepared by incorporating ethylene-vinyl alcohol (EVOH) copolymer, which has been utilized as packaging materials due to its superior gas permeation resistance, during sol-gel process. In preparation of this EVOH/$SiO_2$ hybrid coating materials, the (3-glycidoxy-propyl)-trimethoxysilane (GPTMS) as a silane coupling agent was employed to promote interfacial adhesion between organic and inorganic phases. As confirmed from FT-IR analysis, the physical interaction between two phases was improved due to the increased hydrogen bonding, resulting in homogeneous microstructure with dispersion of nano-sized silica particles. However, depending on the range of content of added silane coupling agent (GPTMS), micro-phase separated microstructure in the hybrid could be observed due to insufficient interfacial attraction or possibility of polymerization reaction of epoxide ring in GPTMS. The oxygen barrier property of the mono-layer coated BOPP (biaxially oriented polypropylene) film was examined for the hybrids containing various GPTMS contents. Consequently, it is revealed that GPTMS should be used in an optimum level of content to produce the high barrier EVOH/$SiO_2$ hybrid material with an improved optical transparency and homogeneous phase morphology.
As the engine design change to get high efficiency and performance of commercial diesel engine, surface wear of the cam follower becomes an important issues as applied load increasing at the contact face between cam follower and cam. Purpose of this study is the developing of the ceramic cam follower made of silicon nitride ceramic which is more wear resistant than the cast iron and sintered cam follower. Ceramic cam follower was made by direct brazing of thin ceramic disk to steel can follower body using active bracing alloy. Effect of joining condition on the interfacial phases and joining strength wer examined at bvarious joining temperatures, times, and cooling rates. Crowning resulted from the difference of thermal expansion coefficient after direct brazing without using any stress-relieving inter layer was measured. Interfacial phases are mainly titanium silicide and titanium nitride which are the products between active metal(Ti) in brazing alloy and silicon nitiride. Maximum joining strength of the ceramic metal joint, measured by DBS method, was 334MPa. Crowning(R) of the prototype ceramic cam follower was 1595mm. As machining for crowning is not necessary, production cost can be reduced.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.33A
no.3
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pp.117-125
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1996
The variation of the interfacial and the electrical properties of SiO$_{2}$TiW layers as a function of anneal temperature was extensively investigated. During the deposition of SiO$_{2}$ on TiW chemical bonds such as SiO$_{2}$, TiW, WO$_{3}$, WO$_{2}$ TiO$_{2}$ Ti$_{2}$O$_{5}$ has been created at the SiO$_{2}$/TiW interface. At the anneal temperature of 300$^{\circ}C$, WO$_{3}$ and TiO$_{2}$ bonds started to break due to the reduction phenomena of W and Ti and simultaneously the metallic W and Ti bonds started to create. Above 500$^{\circ}C$, a part of Si-O bonds was broken and consequently Ti/W silicide was formed. Form the current-voltage characteristics of Al/Sico$_{2}$(220$\AA$)/TiW antifuse structure, it was found that the breakdown voltage of antifuse device wzas decreased with increasing annealing temperature for SiO$_{2}$(220$\AA$)/TiW layer. When r, the insulating property of antifuse device of the deterioration of intermetallic SiO$_{2}$ film, caused by the influw of Ti and W.W.
Journal of the Korea Institute of Military Science and Technology
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v.6
no.3
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pp.44-53
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2003
Cu/C films were prepared at room temperature under $Cu(hfac)_2-Ar-H_2$ atmosphere in order to obtain metallized polymer by using ECR-MOCVD(Electron Cyclotron Resonance Metal Organic Chemical Vapor Deposition) coupled with a DC bias system. The room temperature MOCVD on polymer substrate could be possible by collaboration of ECR and a DC bias. Structural analysis of the films by ECR was found that fine copper grains embedded in an amorphous polymer matrix with indistinctive interfacial layer. The increase in $H_2$ contents brought on copper-rich film formation with low electric resistance. On the other hand carbon-rich films with low sheet electric resistance were prepared in argon atmosphere. The electric sheet resistance of Cu/C films with good interfacial property were controlled at $10^8$~$10^0$ Ohm/sq. ranges by the $H_2$/Ar mole ratio and the shielding effectiveness of the film showed maximum up to 45dB in the our experimental range.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.24
no.9
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pp.693-696
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2011
Recently, amorphous oxide semiconductors (AOSs) based thin-film transistors (TFTs) have received considerable attention for application in the next generation displays industry. The research trends of AOSs based TFTs investigation have focused on the high device performance. The electrical properties of the TFTs are influenced by trap density. In particular, the threshold voltage ($V_{th}$) and subthreshold swing (SS) essentially depend on the semiconductor/gate-insulator interface trap. In this article, we investigated the effects of Ar plasma-treated $SiO_2$ insulator on the interfacial property and the device performances of amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO) TFTs. We report on the improvement in interfacial characteristics between a-IGZO channel layer and gate insulator depending on Ar power in plasma process, since the change of treatment power could result in different plasma damage on the interface.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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