• 한국진공학회지
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• 제4권S2호
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• pp.75-78
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• 1995

Gas source molecular beam epitaxy have been used in the growth of InAlAsAnGaAs MSM-PD structure, in which InAlAs ultra thin layer was used as Schottky barrier enhancement material. High performance MSM-PDs have been constructed on the grown wafer. High breakdown voltage of >30V, low dark current density of $3pA/\mu \textrm{cm}^2$ at 10V bias and fast transient response of <20ps rise time / <40ps FWHM have been measured, which confirm the results that GSMBE is a superior method for the growth of materials with high layer and interfacial quality, especially for InP based InAIAdInGaAs system.

• 한국진공학회지
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• 제8권3A호
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• pp.218-223
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• 1999

We investigated the interfacial reactions between the $Y_2O_3$ film deposited by ICB processing and p-type (100) Si substrates upon annealing treatments in $O_2$ and Ar gas ambients. we also investigated the evolution of surface morphology of ICB deposited $Y_2O_3$ films upon annealing treatments. We observed that the root-mean-square(RMS) value of surface roughness measured by AFM increased with annealing time at $800^{\circ}C$ in $O_2$ ambient, while the change of surface roughness was not observed in Ar ambient. We also found the growth of $SiO_2$ layer and the formation of yttium silicate layer. From the capacitance values $(C_{acc})$ measured by C-V measurements, the relative didldctric constant of $Y_2O_3$ film in metal-insulator-semiconductor(MIS) structure was estimated to be about 9.

• Journal of Mechanical Science and Technology
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• 제20권6호
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• pp.882-895
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• 2006

Surface and interfacial waves in two superposed horizontal inviscid fluids of finite depths are studied. The flow is induced by translating a vertical rigid plate with a prescribed velocity. Analytical solutions that accurately predict the motion of the free surface and the interface are obtained by using a small-Froude-number approximation. Three different velocities of the plate are considered, while flows induced by any arbitrary motion of the plate can be easily analyzed by a linear superposition of the solutions obtained. It is shown that pinching of the upper layer can occur for a sufficiently thin upper layer, which leads to its rupture into small segments. Other interesting phenomena, such as primary and secondary wiggles generated on the interface near the wavemaker, are discussed.

• 산업기술연구
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• 제42권1호
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• pp.19-27
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• 2022

This review will discuss the effort to understand the interfacial reactions at the anode and cathode sides of all-solid-state batteries. Antiperovskite solid electrolytes have received increasing attention due to their low melting points and anion tunability which allow controlling microstructure and crystallographic structures of this material system. Antiperovskite solid electrolytes pave the way for the understanding relationship between critical current density and mechanical properties of solid electrolytes. Microstructure engineering of cathode materials has been introduced to mitigate the volume change of cathode materials in solid-state batteries. The hollow microstructure coupled with a robust outer oxide layer effectively mitigates both volume change and stress level of cathode materials induced by lithium insertion and extraction, thus improving the structural stability of the cathode and outer oxide layer, which results in stable cycling performance of all-solid-state batteries.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제8권4호
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• pp.19-21
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• 2006

Biaxially textured Ni was fabricated by electrodeposition process and delaminated from the biaxially textured cathode surface for further buffer layer deposition process. Those electrode posited Ni substrates showed well-developed biaxial texture and smooth surface. In order to improve the thermal stability of Ni substrates, Mn was alloyed by adding Mn precursor into the electrodeposition bath. Subsequently, $CeO_2$ buffer layers are deposited by MOD process to prevent interfacial reaction between superconductor and substrates. In particular, Bismuth oxide was added to $CeO_2$ to realize lower temperature processing of buffer layers. The microstructure and texture development of each layers have been investigated. Preliminary results shows that all electro/chemical process can be a candidate for cost effective route to YBCO coated conductor.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 추계학술대회 초록집
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• pp.72.2-72.2
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• 2010

평판형 고체산화물 연료전지 스택의 고온 밀봉 구조에 대하여 설명하고 스택 운전 후 사후 분석을 통하여 밀봉재와 금속 분리판의 계면반응에 대하여 고찰하였다. 대표적인 고온 밀봉재인 Barium-Silicate 계 결정화 유리와 Fe-Cr 계 금속 분리판은 스택의 작동온도인 $700{\sim}850^{\circ}C$ 에서 고온 반응을 통하여 계면에 반응생성물을 형성하는 것이 확인되었다. 이러한 계면반응은 장기 운전시 SOFC 스택 성능 저하의 원인이 되고, 열 싸이클(작동온도${\leftrightarrow}$상온)을 가하면 계면반응 생성물이 delamination 되어 밀봉구조가 파괴되어 수명을 단축시키게 된다. 계면반응은 Fe-Cr 계 금속 분리판의 산화물인 Cr 산화물, Fe 산화물이 밀봉유리 소재와 반응을 일으키는 것이 주요 원인으로 판명되었다. SOFC 스택에서 열 싸이클시 계면반응에 의하여 기밀도가 감소하는 현상이 확인되었으며, 밀봉 구조의 어느 부분에서 계면반응이 진행되는지 관찰하였다. 이러한 계면반응을 막기 위해서는 금속 분리판과 밀봉유리 사이에 계면반응을 억제하는 보호층을 형성하는 방법이 효과적이다. 본 연구에서는 보호층으로서 밀봉유리 및 Fe-Cr 계 금속 분리판과의 계면반응성이 낮고 열팽창 계수가 비슷한 Yttria Stabilized Zirconia 층을 APS(Atmospheric Plasma Spray) 공정을 이용하여 형성하였다. 밀봉유리/YSZ 보호층/금속분리판은 gas-tight 한 밀봉 구조를 형성하였으며, YSZ 보호층은 밀봉유리와 Fe-Cr 계 금속 분리판 소재와 계면반응을 효과적으로 억제하는 것이 확인되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.3-3
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• 2008

21 세기 제 3의 산업혁명을 가져올 것으로 기대되는 나노기술(NT), 정보기술(IT), 바이오기술(BT)은 전 세계 과학자들의 마음을 사로잡고 있다. 이 가운데 나노기술은 전자산업에 응용시 그 기대효과는 우리가 상상하는 이상의 것이라 예상하고 있다. 나노기술에 특히 관심을 가지는 이유는 물질이 마이크로미터 크기로 작아져도 벌크 물질의 물리적 특성이 그대로 유지되지만, 나노미터 크기가 되면서 우리가 경험하지 못했던 새로운 물리적 특성들이 발현되기 때문이다. 그 특성에는 양자구속효과, Hall-Petch 효과, 자기효과 등이 있다. 나노기술의 구현은 양자점과 같은 영차원 나노입자, 나노와이어, 나노막대, 나노리본 등과 같은 직경이 100nm 이하의 일차원 구조의 나노물질 및 나노박막과 기타 100nm 이하의 나노구조물들이 사용된다. 현재 일차원 구조를 이용한 전자디바이스화 연구는 결정성장을 정확하게 조절하는 합성기술 합성된 일차원 나노물질의 물리적 특성을 지배하는 각종 파라미터들과 물리적 특성들과의 상관관계 정립, 나노와이어를 이용한 Bottom-up 방식에 의한 조립기술 확보를 위해 활발히 진행 중이다. 하지만 나노구조의 특성을 확인하는 형태의 연구일 뿐, 실제 디바이스화에는 여전히 많은 과제를 안고 있다. 본 연구에서는 산화아연을 기반으로 한 고품위 능동형 산화물 나노구조의 다양한 성장방법 및 물성 평가에 대해 연구하였다. 성장장비로는 MOCVD와 스퍼터링을 이용하여 대면적 균일 성장을 이룰 수 있었다. 특히 실제 광전소자에 응용요구에 알맞은 Bottom-up 방식에 의한 수직성장 기술, 길이/직경 비 향상 기술, 결정성 향상 기술, 저온성장 기술, Dimension 조절 기술 Interfacial layer 제거 기술 등을 중점적으로 연구하였다. Dimension 조절 기술로 p-Si 기판위에 성장된 나노 LED에서는 밝은 emission을 관찰하였으며, 세계에서 최초로 스퍼터링을 이용하여 4인치 웨이퍼에 대면적 수직 성장하였다. 최근에는 선택적 삼원계 씨앗층을 이용한 길이/직경 비가 매우 향상된 MgZnO 나노와이어를 Interfacial layer 없이 수직으로 성장하여 산화물 전계방출 에미터로서의 가능성을 확인하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제11권1호
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• pp.1-6
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• 2004

자동차 전장품의 시험환경 조건이 엄격해짐에 따라, 전장품 개발 기술자들은 이에 부합하는 성능, 신뢰성, 비용 등을 고려한 보다 효과적인 제품 설계를 위해 노력하고 있다. 본 논문에서는 ECM 알루미나 기판의 플라즈마 세척 영향과 리플로우 후 Sn-37wt%Pb 솔더와 패드 접합부 계면에서 형성되는 금속간 화합물을 관찰하였다. 기판의 플라즈마 세척은 계면 접착력을 저해하였던 C에 의한 유기 잔류물 층이 제거되어 계면 접착력을 향상시키는 효과가 있다. 또한 AFM 분석 결과 도체 패드의 표면 거칠기는 304 nm에서 330 m로 증가하였다. 리플로우 과정에서 솔더와 TiWN/Cu 패드 계면에서 형성된 $Cu_6/Sn_5$는 리플로우 횟수가 증가할 수록 결정립의 크기도 조대화되었다. 솔더와 Ag-Pd 도체패드 계면에서는 세포질 형태의 $Ag_3Sn$화합물이 관찰되었다. $Ag_3Sn$은 지름이 약 0.1∼0.6 $\mu\textrm{m}$이며, 솔더 내부에서는 침상 모양도 관찰되었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제20권4호
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• pp.53-58
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• 2013

An innovative packaging solution, Flip Chip with Copper (Cu) Column bond on lead (BOL) Enhanced Process (fcCuBE$^{(R)}$) delivers a cost effective, high performance packaging solution over typical bond on capture pad (BOC) technology. These advantages include improved routing efficiency on the substrate top layer thus allowing conversion functionality; furthermore, package cost is lowered by means of reduced substrate layer count and removal of solder on pad (SOP). On the other hand, as electronic packaging technology develops to meet the miniaturization trend from consumer demand, reliability testing will become an important issue in advanced technology area. In particular, electromigration (EM) of flip chip bumps is an increasing reliability concern in the manufacturing of integrated circuit (IC) components and electronic systems. This paper presents the results on EM characteristics on BOL and BOC structures under electrical current stressing in order to investigate the comparison between two different typed structures. EM data was collected for over 7000 hours under accelerated conditions (temperatures: $125^{\circ}C$, $135^{\circ}C$, and $150^{\circ}C$ and stress current: 300 mA, 400 mA, and 500 mA). All samples have been tested without any failures, however, we attempted to find morphologies induced by EM effects through cross-sectional analysis and investigated the interfacial reaction characteristics between BOL and BOC structures under current stressing. EM damage was observed at the solder joint of BOC structure but the BOL structure did not show any damage from the effects of EM. The EM data indicates that the fcCuBE$^{(R)}$ BOL Cu column bump provides a significantly better EM reliability.

• 대한기계학회논문집
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• 제17권2호
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• pp.237-247
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• 1993

본 연구에서는 CFRP 적층재를 구조재료로 사용할 경우 우수한 인장강도를 갖 지만, 충격하중에 취약한 특성을 갖기 때문에 구조안정성에 관한 큰 문제의 하나로 충 격손상을 받은 적층판의 잔류 압축강도가 현저히 저하되는 것이 문제점으로 지적되어 왔다.특히, 충격손상에 의한 압축강도의 저하는 인장강도보다 압축강도에 중점을 두는 항공기의 강도설계에서 중요한 문제가 되므로, 저속충격에 의한 복합재료 구조체 의 충격파괴의 문제를 잘 이해하는 것이 요구된다. 지금까지의 연구에 의하면 CFRP 복합적층재의 손상은 주로 층간박리현상과 손상역의 크기변화를 실험적으로 고찰하였 다.