Journal of Korean Society of Industrial and Systems Engineering
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v.37
no.2
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pp.77-84
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2014
The purpose of this research is to identify and develop technology protection plans for small and medium-sized enterprises (SMEs) by analyzing past technology leakage patterns which were experienced by SMEs. We identified factors which affect the technology leakage, and analyzed patterns of the influences using a data mining algorithms. A decision tree analysis showed several significant factors which lead to technology leakage, so we conclude that preemptive actions must be put in place for prevention. We expect that this research will contribute to determining the priority of activities necessary to prevent technology leakage accidents in Korean SMEs. We expect that this research will help SMEs to determine the priority of preemptive actions necessary to prevent technology leakage accidents within their respective companies.
According to the statistics of the National Industrial Security Center under the National Intelligence Service, 209 national technologies have been leaked abroad in the past 5 years. Small and medium-sized enterprises and leakage by insiders accounted for 73% and 80% of them, respectively. This suggests that all the capabilities for preventing leakage of industrial technology should be focused on small and medium-sized enterprises and leakage by insiders. Related studies have been actively conducted on legal consideration of industrial technology leakage crimes, improvement of industrial security policies, and industrial security measures for preventing leakage of industrial technology, but adequate empirical studies have not been carried out on factors of leakage of industrial technology. In particular, there have been few studies on the effect of the experience of industrial technology leakage and enterprise scale(large enterprise, small and medium-sized enterprise) on achieving results in leakage prevention. Therefore, this study extracted factors affecting performance to prevent industrial technology leakage by analyzing previous related papers and to empirically analyze relationships with performance by applying the TAM model after classifying variables into the TOE framework by characterizing these properties.
Kim, Jongseok;Kim, HyungTae;Kim, Seungtaek;Choi, Won-Jin;Jung, Hyundon
Current Optics and Photonics
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v.3
no.6
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pp.516-521
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2019
The electrical leakage levels of GaN-based light-emitting diodes (LEDs) containing leakage paths are estimated using photoluminescence (PL) and photovoltaic properties under photoexcitation conditions. The PL intensity and open-circuit voltage (VOC) decrease because of carrier leakages depending on photoexcitation conditions when compared with reference values for typical LED chips without leakage paths. Changes of photovoltage-photocurrent characteristics and PL intensity due to carrier leakage are employed to assess the leakage current levels of LEDs with leakage paths. The current corresponding to the reduced VOC of an LED with leakage from the photovoltaic curve of a reference LED without leakage is matched with the leakage current calculated using the PL intensity reduction ratio and short-circuit current of the LED with leakage. The current needed to increase the voltage for an LED with a leakage under photoexcitation from VOC of the LED up to VOC of a reference LED without a leakage is identical to the additional current needed for optical turn-on of the LED with a leakage. The leakage current level estimated using the PL and photovoltaic properties under photoexcitation is consistent with the leakage level measured from the voltage-current characteristic obtained under current injection conditions.
Industrial secrets that companies own recently protected by various act related industrial security such as Trade Secret Act, Act on Prevention of Divulgence and Protection of Industrial Technology, etc. However, despite such protection infringement and leakage accidents of industrial secrets is increasing every year. According to a survey conducted by KAITS(Korean Association for Industrial Technology Security) annual average of estimated damage by industrial secrets leakage is estimated to be "50 trillion won." This is equivalent to the amount of annual revenue of small businesses more than 4,700 units. Following this, industrial secrets leakage causes serious damages to competitiveness of nation and companies and economic. However investment and effort to the industrial secrets leakage crime is lack of level compared to the scale of damage. Actually, most companies except some major companies are lack of response action about industrial secrets leakage because of shortage of separate organization, workforce, budget for industrial secrets leakage security. This paper aims to understand the overall flow of the industrial secrets leakage crime through various taxonomy such as cause of occurrence and leakage pathway and grasp the condition of damage from industrial secrets leakage through analyzation of internal and external industrial secrets leakage crime. This is expected to be the basis for related research.
Kim, Jongseok;Kim, Seungtaek;Kim, HyungTae;Choi, Won-Jin;Jung, Hyundon
Current Optics and Photonics
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v.3
no.2
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pp.164-171
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2019
Photoluminescence (PL) properties of GaN-based light-emitting diodes (LEDs) were analyzed to study the effects of carrier leakage on the luminescence properties at room temperature. The electrical leakage and PL properties were compared for LEDs showing leakages at forward bias and an LED with an intentional leakage path formed by connecting a parallel resistance of various values. The leakages at the forward bias, which could be observed from the current-voltage characteristics, resulted in an increase in the excitation laser power density for the maximum PL efficiency (ratio of PL intensity to excitation power) as well as a reduction in the PL intensity. The effect of carrier leakages on PL properties was similar to the change in PL properties owing to a reduction of the photovoltage by a reverse current since the direction of the carrier movement under photoexcitation is identical to that of the reverse current. Valid relations between PL properties and electrical properties were observed as the PL properties deteriorated with an increase in the carrier leakage. The results imply that the PL properties of LED chips can be an indicator of the electrical properties of LEDs.
Purpose: To attain advanced performance certification, safety aspects along with functionality and performance are essential. Hence, this study suggests radiation leakage assessment methods for aviation security equipment during its performance certification. Methods: Detection technology guided the choice of radiation leakage assessment targets. We then detailed measurement and evaluation methods based on equipment type and operation mode. Equipment was categorized as container or box types for establishing measurement procedures. Results: We've developed specific radiation leakage assessment procedures for different types of aviation security equipment, crucial for ensuring airport safety. Using these procedures allows efficient evaluation of compliance with radiation leakage standards. Conclusion: The suggested radiation leakage assessment method aims to enhance aviation security and reliability. Future research will focus on identifying risks in novel aviation security equipment detection technologies and establishing safety standards.
Kim, Yong-Seong;Jang, Sung-Il;Choi, Jung-Hwan;Kim, Kwang-Ho
Journal of Industrial Technology
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v.34
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pp.61-66
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2014
Recently, Because the consumption of electricity is increased, having stable electricity supply and diagnosis of the power device is important. In this paper, I propose a diagnostic techniques of the leakage current for switchgear based on LabVIEW NI's. Using the data obtained from the leakage current sensor installed in switchgear panels, in performed continuously diagnosis, notifications and warnings can be the administrator immediately results. It is expected accordingly, the administrator will be able to take prompt action. Using the virtual switchgear with a PXI NI's, war tested the proposed techniques.
The purpose of this study was to analyze their status of underground storage tank(UST) facilities and level of soil contamination, and to establish its management criteria. DB program was developed to analyze the correlation between specific characteristic of UST and level of soil contamination. For a suitable management of UST, leakage monitoring and inspection method of UST was investigated. Inspection period was established based on the leakage rate. The most dominant factor for leakage seemed to be caused by the corrosion. Therefore, main factor, construction method and installation year of UST, and corrosion protection system were suggested for optimal protection of UST. Considering the present management status of UST in Korea, inspection and management criteria of UST should be accomplished in term of contamination protection of leakage, and flexible regulation act should be introduced for each specific site.
According to the document from the National Industrial Security Center in 2015, from 2003 to 2014 the disclosure number of industrial spy in South Korea was 438, and the damages due to the industrial technology leakages amounted 50 trillion won annually. Because the industrial technology leakage exercises great influence on the enterprises and the country. countermeasures against industrial technology leakages should be established. Therefore, the purpose of this research is to suggest measures preventing industrial technology leakages and related crimes in enterprises by applying the Crime Prevention Through Environmental Design(CPTED) technique. This research analyzed the recent technology leakage cases and used an analysis of literature research. From the result of this research, we suggested 1) Access Control, 2) Surveillance Enhancement, 3) Territoriality of Reinforcement, and 4) Activity Support by applying the CPTED technique for preventing industrial technology leakages. The limitations of this research and the recommendations for future research were discussed at the last part of this research.
Journal of Korea Society of Industrial Information Systems
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v.16
no.5
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pp.1-8
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2011
This paper proposes a new input pattern generator for minimal leakage power in the nanometer CMOS technology considering all the leakage current components (sub-threshold leakage, gate tunneling leakage, band-to-band tunneling leakage). Using the accurate macro-model, a heuristic algorithm is developed to generate a input pattern for the minimum leakage. The algorithm applies to ISCAS85 benchmark circuits, and the results are compared with the results of Hspice. The simulation result shows that our method's accuracy is within a 5% difference of the Hspice simulation results. In addition, the simulation time of our method is far faster than that of the Hspice simulation.
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