• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.609-612
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• 2008

Characteristics of indium-zinc-oxide (IZO)-Ag-IZO multilayer grown on a PET substrate were investigated for flexible organic emitting diodes. By inserting very thin Ag layer between amorphous IZO, IZO-Ag-IZO (IAI) multilayer anode exhibited remarkably reduced sheet resistance and high transmittance due to the surface plasmon resonance effect and Ag layer.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.1575-1577
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• 2009

We have investigated the characteristics of transparent indium zinc oxide(IZO)/Ag/IZO multilayer electrode grown on polyethylene terephthalate (PET) substrates using a specially designed roll-to-roll sputtering system for use in flexible device are described. By the continuous R2R sputtering of the bottom IZO, Ag, and top IZO layers at room temperature, we were able to fabricate an IZO-Ag-IZO multilayer electrode with a sheet resistance of 6.15 ${\Omega}$/square, optical transmittance of 87.4 %, and figure of merit value of 42.03 10-3 ${\Omega}$-1. In addition, the IZO-Ag-IZO multilayer electrode exhibited superior flexibility to the RTR sputter grown single ITO electrode, due to the existence a ductile Ag layer between the IZO layers. This indicates that the RTR sputtered IZO-Ag-IZO multilayer is a promising flexible electrode that can substitute for the conventional single ITO electrode grown by bath type sputtering for use in low cost flexible device, due to its low resistance, high transparency, superior flexibility and fast preparation by the R2R process.

• 한국산업보건학회지
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• 제24권3호
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• pp.263-271
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• 2014

Objectives: Along with the several cases of pulmonary disorders caused by exposure to indium that have been reported in Japan, China, and the United States, cases of Korean workers involved in processes that require handling of indium compounds with potential risk of exposure to indium compounds have also been reported. We performed biological monitoring for workers in various target manufacturing processes of indium, indium oxide, and indium tin oxide(ITO)/indium zinc oxide(IZO) in domestic factories. Materials: As biological exposure indices, we measured serum concentrations of indium using inductively coupled plasma mass spectrometry, and Krebs von den Lungen 6(KL-6) and surfactant protein D(SP-D) using enzyme-linked immunosorbent assays. We classified the ITO/IZO target manufacturing process into powdering, mixing, molding, sintering, polishing, bonding, and finishing. Results: The powdering process workers showed the highest serum indium level. The mixing and polishing process workers also showed high serum indium levels. In the powdering process, the mean indium serum concentration in the workers exceeded $3{\mu}g/L$, the reference value in Japan. Of the powdering, mixing, and polishing process workers, 83.3%, 50.0%, and 24.5%, respectively, had values exceeding the reference value in Japan. We suppose that the reason of the higher prevalence of high indium concentrations in powder processing workers was that most of the particles in the powdering process were respirable dust smaller than $10{\mu}m$. The mean KL-6 and SP-D concentrations were high in the powdering, mixing, and polishing process workers. Therefore, the workers in these processes who were at greater risk of exposure to indium powder were those who had higher serum levels of indium, as well as KL-6 and SP-D. We observed significant differences in serum indium, KL-6, and SP-D levels between the process groups. Conclusions: Five among the seven reported cases of "indium lung" in Japan involved polishing process workers. Polishing process workers in Korea also had high serum levels of indium, KL-6, and SP-D. The outcomes of this study can be used as essential bases for establishing biological monitoring measures for workers handling indium compounds, and for developing health-care guidelines and special medical surveillance in Korea.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.209.1-209.1
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• 2015

Indium gallium zinc oxide (IGZO), indium zinc oxide (IZO) 그리고 zinc tin oxide (ZTO) 같은 zinc oxide 기반의 산화물 반도체는 높은 이동도, 투과도 그리고 유연성 같은 장점을 갖고 있어, display application의 backplane 소자로 적용되고 있다. 또한 최근에는 산화물 반도체를 이용한 thin-film transistor (TFT) 뿐만아니라 resistive random access memory (RRAM), flash memory 그리고 pH 센서 등 다양한 반도체 소자에 적용을 위한 연구가 활발히 진행 중이다. 그러나 zinc oxide 기반의 산화물 반도체의 전기 화학적 불안정성은 위와 같은 소자에 적용하는데 제약이 있다. 산화물 반도체의 안정성에 영향을 미치는 다양한 요인들 중 한 가지는, sputter 같은 plasma를 이용한 공정 진행 시 active layer가 plasma에 노출되면서 threshold voltage (Vth)가 급격하게 변화하는 plasma damage effect 이다. 급격한 Vth의 변화는 동작 전압의 불안정성을 가져옴과 동시에 누설전류를 증가시키는 결과를 초래 한다. 따라서 본 연구에서는, IGZO 기반의 TFT를 제작 후 plasma 분위기에 노출시켜, power와 노출 시간에 따른 전기적 특성 변화를 확인 하였다. 또한, thermal annealing을 적용하여 열처리 온도와 시간에 따른 Vth의 회복특성을 조사 하였다. 이러한 결과는 추후 산화물 반도체를 이용한 다양한 소자 설계 시 유용할 것으로 기대된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.467-468
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• 2006

We report on the fabrication of P3HT-based thin-film transistors (TFT) that consist of indium-zinc-oxide (IZO), PVP (poly-vinyl phenol), and Ni for the source-drain (S/D) electrode, gate dielectric, and gate electrode, respectively. The IZO S/D electrodes of which the work function is well matched to that of P3HT were deposited on a P3HT channel by thermal evaporation of IZO and showed a moderately low but still effective transmittance of ~25% in the visible range along with a good sheet resistance of ${\sim}60{\Omega}/{\square}$. The maximum saturation current of our P3HT-based TFT was about $15{\mu}A$ at a gate bias of -40V showing a high field effect mobility of $0.05cm^2/Vs$ in the dark, and the on/off current ratio of our TFT was about $5{\times}10^5$. It is concluded that jointly adopting IZO for the S/D electrode and PVP for gate dielectric realizes a high-quality P3HT-based TFT.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.99-100
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• 2007

마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 $100^{\circ}C$미만의 저온에서 플라스틱 기판위에 IZO(Indium Zinc Oxide) 박막을 증착하였다. 저전압 방전을 위하여 RF 중첩형 DC 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하였으며, 인가 power에 따른 IZO 박막의 전기적, 광학적 특성과 굽힘에 대한 신뢰성을 평가하였다. 플라스틱 기판이 변형되지 않도록 $90\;^{\circ}C$ 이하의 범위에서 기판온도와 산소분압을 변화하여 $2{\times}10^{-4}$ ${\Omega}$ cm의 비저항, 95 % 이상의 가시광 투과도를 가지는 IZO 박막을 증착할 수 있었다. 또한 본 연구에서 비가열의 플라스틱기판 위에 증착한 IZO 투명전극을 이용하여 유연성 OLED를 제작하였으며, 제작된 소자의 특성은 13.7 %의 최대양자 효율과 32.7 lm/W의 전력효율을 보였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.89-90
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• 2007

마그네트론 스퍼터링 공정을 이용하여 $100^{\circ}C$미만의 저온에서 산소유량을 변화시켜 Indium Zinc Oxide(IZO) 박막을 증착하였다. 기판온도의 영향과 산소유량의 변화에 따른 IZO 박막의 전기적 특성 변화를 조사하였다. 그 결과 가열하지 않고 증착한 경우 산소유량비의 증가와 함께 IZO 박막의 비저항이 증가되었고, $80^{\circ}C$로 증착온도를 가열한 경우 산소유량비 조절조건에 따라 최소 비저항이 얻어졌다. IZO 박막의 최저 비저항은 증착온도 $80^{\circ}C$, 산소유량비 1%조건에서 $2{\times}10^{-4}$ ${\Omega}$ cm로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.183-183
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• 2009

OLED소자의 양극재료로써 현재는 산화인듐주석(ITO : indium tin oxide) 박막이 널리 이용되고 있다. 그러나 낮은 전기 비저항과 높은 투과도를 갖는 ITO 박막을 얻기 위해서는 $300^{\circ}C$ 이상의 고온에서 성막되어야 하며, 원료 물질인 인듐의 수급량 부족으로 인한 문제점과 독성, 저온증착의 어려움, 스퍼터링 시 음이온 충격에 의한 막 손상으로 저항의 증가의 문제점이 있고, 또한 유기발광소자의 투명전극으로 쓰일 경우에 유기물과의 계면 부적합성, 액정디스플레이의 투명전극으로 사용될 경우에 $400^{\circ}C$정도의 놓은 온도와 수소 플라즈마 분위기에서 장시간 노출 시 열화로 인한 광학적 특성변화가 문제가 된다. 이러한 문제점을 지닌 ITO 박막을 대체할 수 있는 물질로 산화 인듐아연(lZO) 박막이 많은 각광을 받고 있다. IZO(Indium Zinc Oxide) 박막은 저온 ($100^{\circ}C$ 이상)에서 증착이 가능하고 추가적인 열처리 없이도 가시광 영역에서 90% 이상의 광 투과도와 ${\sim}10^{-4}{\Omega}cm$ 이하의 낳은 전기 비저항을 갖는 것으로 알려져 있다. 이러한 IZO박막은 성막 후 고온의 열처리 과정이 필요 없기 때문에 폴리카보네이트와 같은 유기물 기판을 사용하여 제작 가능한 유연한 평판형 표시 소자의 제작에도 적용될 수 있다. IZO(Indium Zinc Oxide) 박막은 상온 공정에서도 우수한 전기적, 광학적, 표면 특성을 나타낼 뿐만 아니라 양극재료로써 높은 일함수를 가지고 있어 고효율의 유기 발광 소자를 구현하는데 유리한 재료라 판단된다. 본 연구에서는 TCO 박막의 면 저항과 표면 거칠기가 OLED 소자의 성능에 미치는 영향을 조사하였다. R.F Magnetron Sputtering을 이용하여 투명 전도막을 성막 형성 하였으며, 기판온도와 증착과정에서 주입되는 산소, 수소의 유랑 변화가 박막의 구조적, 전기적 특성에 어떠한 영향 미치는 것인가를 자세히 규명하였다 ITO 와 IZO박막은 챔버 내 다양한 가스 분위기(Ar, $Ar+O_2$ and $Ar+H_2$) 에서 R.F Magnetron Sputtering 방법으로 증착했다. TCO박막의 구조적인 이해를 돕기 위해서 X-ray diffraction 과 FESEM으로 분석했다. 광학적 투과도와 박막의 두께는 Ultraviolet Spectrophotometer(Varian, cary-500)와 Surface profile mersurement system으로 각각 측정하였다. 면저항, charge carrier농도, 그리고 TCO박막의 이동성과 길은 전기적특성은 Four-point probe와 Hall Effect Measurement(HMS-3000)로 각각 측정한다. TCO 박막의 표면 거칠기에 따른 OLED소자의 성능분석 측면에서는 TCO 박막의 표면 거칠기 조절을 위해 photo lithography 공정을 사용하여 TCO 박막을 에칭 하였다. 미세사이즈 패턴 마스크가 사용되고 에칭의 깊이는 에칭시간에 따라 조절한다. TCO박막의 표면 형태는 FESEM과 AFM으로 관찰하고 그리고 나서 유기메탈과 음극 전극을 연속적으로 TCO 박막위에 증착한다. 투명전극으로 사용되는 IZO기판 상용화를 위해 IZO기판 위에 $\alpha$-NPB, Alq3, LiF, Al순서로 OLED소자를 제작하였다. 전류밀도와 전압 그리고 발광과 OLED소자의 전압과 같은 전기적 특성은 Spectrometer (minolta CS-1000A) 에 의하여 I-V-L분석을 했다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제28권12호
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• pp.2396-2400
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• 2007

Transparent In-doped (1 at.%) zinc oxide (IZO) thin films are deposited by pulsed DC magnetron sputtering with H2 mixed Ar atmosphere on glass substrate without any heating process. Even at room temperature, highly c-axis oriented IZO thin films were grown in perpendicular to the substrate. The hydrogenated IZO (IZO:H) film isolated in H2 atmosphere for 30 min exhibited an average optical transmittance higher than 85% and low electrical resistivity of less than 2.7 × 10?3 Ω·cm. These values are comparable with those of commercially available ITO. Each of the IZO films was used as an anode contact to fabricate organic light-emitting diodes (OLEDs) and the device performances studied. At the current density of 1 × 103 A/m2, the OLEDs with IZO:H (H2) anode show excellent efficiency (11 V drive voltage) and a good brightness (8000 cd/m2) of the light emitted from the devices, which are as good as the control device built on a commercial ITO anode.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권7호
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• pp.537-542
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• 2011

Recently, n-InZnO/p-CuO oxide diode has attracted great attention due to possible application for selector device of 3-dimensional cross-point resistive memory structures. To investigate the detailed properties of InZnO (IZO), we have deposited IZO films on the fused quartz substrate using PLD (pulsed laser deposition) method at oxygen pressure of 1~100 mTorr and substrate temperature of RT$\sim600^{\circ}C$. The influence of oxygen pressure and substrate temperature on structural, optical and electrical of IZO films is analyzed using XRD (x-ray diffraction), SEM (scanning electron microscopy), UV-Vis spectrophotometry, spectroscopic ellipsometry (SE) and hall measurements. The XRD results shows that the deposited thin films are polycrystalline over $300^{\circ}C$ of substrate temperature independent of oxygen pressure. The resistivity of films was increased as oxygen pressure and substrate temperature decrease. The thickness and optical constants of the deposited films measured with UV-Vis spectrophotometer were also compared with those of broken SEM and SE results.