• 제목/요약/키워드: Il Woo Lee

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  • Han, Cheon-Woo;Hwang, Su-Young;So, Yeon-Hee;Lee, Myung-Jin;Lim, Ka-Ram;Lee, Woo-Gul;Lee, Sun-Young;Back, Sun-Hee;Woo, Yeon-Kyoung;Yoon, Mi-Sun;Kim, Sung-Il
    • 한국HCI학회:학술대회논문집
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    • 한국HCI학회 2006년도 학술대회 1부
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    • pp.893-901
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    • 2006
  • The major limitation of the traditional Intelligent Tutoring Systems (ITS) is that interface is mainly focused on the cognitive factors. However, the new direction of ITS is shifting form the cognitive perspectives to the motivational perspectives reflecting the individual differences. In this study, the specific design guidelines for motivational interface of ITS are proposed to promote learner's motivation to learn during the interaction with the ITS. First, ITS should be able to reflect individual differences in cognitive abilities, interest and motivation, and ongoing changes of the interestingness and comprehensibility during learning activities. Second, it is essential for ITS to guarantee learner controllability, diverse learning activities, curiosity, self-relevance, and challenge to enhance the level of motivation and situational interest. Third, the game-like properties are also needed to maximize the motivational effect of learning with ITS.

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전해액에서 금속막의 전기화학적 반응 고찰 (A Study on the Electrochemical Reaction of Metal at Electrolyte)

  • 이영균;박성우;한상준;이성일;최권우;이우선;서용진
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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    • pp.88-88
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    • 2007
  • Chemical mechanical polishing (CMP) 공정은 그 어원에서 알 수 있듯이 슬러리의 화학적인 요소와 웨이퍼에 가해지는 기계적 압력에 의해 결정되는 평탄화 기술이다. 최근, 금속배선공정에서 높은 전도율과 재료의 값이 싸다는 이유로 Cu률 사용하였으나, 디바이스의 구조적 특성을 유지하기 위해 높은 압력으로 인한 새로운 다공성 막(low-k)의 파괴와, 디싱과 에로젼 현상으로 인한 문제점이 발생하게 되었다. 이러한 문제점을 해결하고자, 본 논문에서는 Cu 표면에 Passivation layer를 형성 및 제거하는 개념으로 공정시 연마제를 사용하지 않으며, 낮은 압력조건에서 공정을 수행하기 위해, 전해질의 농도 변화에 따른 선형추의전압전류법과 순환전압전류법을 사용하여 전압활성화에 의한 전기화학적 반응이 어떤 영향을 미치는지 연구하였다.

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$KNO_3$ 전해액을 이용한 Cu 전극의 전기 화학적 반응 특성 고찰 (A study on the Electrochemical Reaction Characteristic of Cu electrode According to the $KNO_3$ electrolyte)

  • 한상준;박성우;이성일;이영균;전영길;최권우;서용진;이우선
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.49-49
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    • 2007
  • 최근 반도체 소자의 고집적화와 나노 (nano) 크기의 회로 선폭으로 인해 기존에 사용되었던 텅스텐이나 알루미늄 금속배선보다, 낮은 전기저항과 높은 electro-migration resistance가 필요한 Cu 금속배선이 주목받게 되었다. 하지만, Cu CMP 공정 시 높은 압력으로 인하여 low-k 유전체막의 손상과 디싱과 에로젼 현상으로 인한 문제점이 발생하게 되었다. 본 논문에서는, $KNO_3$ 전해액의 농도가 Cu 표면에 미치는 영향을 알아보기 위해 Tafel Curve와 CV (cyclic voltammograms)법을 사용하여 전기화학적 특징을 알아보았고 scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive spectroscopy (EDS), X-ray Diffraction (XRD) 분석을 통해 금속표면을 비교 분석하였다.

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CMP공정의 전압 활성화로 인한 전기화학적 반응 특성 연구 (Voltage-Activated Electrochemical Reaction of Chemical Mechanical Polishing (CMP) Application)

  • 한상준;박성우;이성일;이영균;최권우;이우선;서용진
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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    • pp.81-81
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    • 2007
  • Chemical mechanical polishing (CMP) 공정은 deep 서브마이크론 집적회로의 다층배선구조률 실현하기 위해 inter-metal dielectric (IMD), inter-layer dielectric layers (ILD), pre-metal dielectric (PMD) 층과 같은 절연막 외에도 W, Al, Cu와 같은 금속층을 평탄화 하는데 효과적으로 사용되고 있으며, 다양한 소자 제작 및 새로운 물질 등에도 광범위하게 응용되고 있다. 하지만 Cu damascene 구조 제작으로 인한 CMP 응용 과정에서, 기계적으로 깨지기 쉬운 65 nm의 소자 이하의 구조에서 새로운 저유전상수인 low-k 물질의 도입으로 인해 낮은 하력의 기계적 연마가 필요하게 되었다. 본 논문에서는 전기화학적 기계적 연마 적용을 위해, I-V 특성 곡선을 이용하여 active, passive, transient, trans-passive 영역의 전기화학적 특성을 알아보았으며, Cu 막의 표면 형상을 알아보기 위해 scanning electron microscopy (SEM) 측정과 energy dispersive spectroscopy (EDS) 분석을 통해 금속 화학적 조성을 조사하였다.

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스크린 프린팅을 이용한 태양전지 에미터 형성에 관한 연구 (Characterization of Screen Printed phosphorous Diffusion Paste for Silicon Solar Cells)

  • 공대영;양두환;김선용;이용우;권태영;윤석우;이광일;이준신
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.111-113
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    • 2009
  • This paper shows that you can achieve high quality N+ emitter layers using a screen printable phosphorous diffusion paste and firing in an infrared belt furnace. Spreading resistance measurement from a beveled sample is used to measure carrier concentration as a function of depth for different phosphorous concentrations. Contours of estimated sheet resistance are shown for different processing conditions. This paper describes newly developed low cost phosphorous pastes. It shows the characterization of the newly developed phosphorous paste (DP99-038). This low cost pastes can easily be printed and make 16% efficiency.

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혼합 연마제 슬러리를 이용한 Oxide CMP 특성에 관한 연구 (A Study on the Oxide CMP Characteristics of using Mixed Abrasive Slurry(MAS))

  • 이성일;박성우;이우선;서용진
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 A
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    • pp.601-602
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    • 2006
  • Chemical mechanical polishing (CMP) technology has been widely used for global planarization of multi-level interconnection for ULSI applications. However, the cost of ownership and cost of consumables are relatively high because of expensive slurry. In this paper, we studied the mixed abrasive slurry(MAS). In order to save the costs of slurry, the original silica slurry was diluted by de-ionized water (DIW). And then, $ZrO_2$,$CeO_2$, and $MnO_2$ abrasives were added in the diluted slurry in order to promote the mechanical force of diluted slurry. We have also investigate the possibility of mixed abrasive slurry for the oxide CMP application.

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혼합 연마제 슬러리를 이용한 Oxide CMP 특성에 관한 연구 (A Study on the Oxide CMP Characteristics of using Mixed Abrasive Slurry(MAS))

  • 이성일;박성우;이우선;서용진
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 D
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    • pp.2233-2234
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    • 2006
  • Chemical mechanical polishing (CMP) technology has been widely used for global planarization of multi-level interconnection for ULSI applications. However, the cost of ownership and cost of consumables are relatively high because of expensive slurry. In this paper, we studied the mixed abrasive slurry(MAS). In order to save the costs of slurry, the original silica slurry was diluted by de-ionized water (DIW). And then, $ZrO_2$, $CeO_2$,and $MnO_2$ abrasives were added in the diluted slurry in order to promote the mechanical force of diluted slurry. We have also investigate the possibility of mixed abrasive slurry for the oxide CMP application.

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혼합 연마제 슬러리를 이용한 Oxide CMP 특성에 관한 연구 (A Study on the Oxide CMP Characteristics of using Mixed Abrasive Slurry(MAS))

  • 이성일;박성우;이우선;서용진
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 D
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    • pp.2235-2236
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    • 2006
  • Chemical mechanical polishing (CMP) technology has been widely used for global planarization of multi-level interconnection for ULSI applications. However, the cost of ownership and cost of consumables are relatively high because of expensive slurry. In this paper, we studied the mixed abrasive slurry(MAS). In order to save the costs of slurry, the original silica slurry was diluted by de-ionized water (DIW). And then, $ZrO_2$, $CeO_2$,and $MnO_2$ abrasives were added in the diluted slurry in order to promote the mechanical force of diluted slurry. We have also investigate the possibility of mixed abrasive slurry for the oxide CMP application.

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Xe 가스 첨가에 따른 방전 특성 시뮬레이션 분석 (A Simulation Analysis of the Discharge Characteristics with the Xe Gas Contents)

  • 유일;손영주;이영민;옥정우;남춘우;이돈규
    • 전기학회논문지
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    • 제61권11호
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    • pp.1650-1655
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    • 2012
  • AC-PDPs have recently achieved good performance and their image quality can sufficiently compete with the LCD TV. However, it is necessary more effort to improve the luminance and luminous efficacy in the PDP technology. The gas mixture ratio plays a very important role in discharge characteristics, but the mechanism of gas discharge is complex and complicated. In this paper, we investigate the mechanism of gas discharge with Ne+Xe miture ratio through zero and two dimensional fluid simulation.

악하선염을 유발한 선타석증 2례보고 (Report of 2 Cases of Submaxillary Gland Stones Involving Chronic Sialadenitis)

  • 남일우;조근태;김봉환;정상주;이수웅;정호균;이우영
    • 대한치과의사협회지
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    • 제11권7호
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    • pp.455-458
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    • 1973
  • The authors have treated 2 patients with submaxillary gland stones involving sialadenitis. The 2 cases were observed in the right submaxillary gland of 51 years old woman and left submaxillary gland of 54 years old man. The 2 patients with salivary stones were reated by toatal sialolithectomy and glandectomy. The enucleated sialolithes were 18㎜ x 12㎜ and 8㎜ x 6㎜ in size.

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