Metal-Oxide-Semiconductor (MOS)에서 사용되는 다양한 channel materials로 high electron mobility을 가지는 III-V compound semiconductor가 대두되고 있다 [1,2]. 하지만 이러한 III-V compound semiconductor는 Si에 비해 안정적인 native oxide가 부족하기 때문에 Si, Ge, Al2O3과 BeO 등과 같은 다양한 물질들의 interface passivation layers (IPLs)에 대한 연구가 많이 되고 있다. 이러한 IPLs 물질은 0.5~1.0 nm의 매우 얇은 physical thickness를 가지고 있고 또한 chemical inert하기 때문에 플라즈마 식각에 대한 연구가 되고 있지만 IPLs 식각 후 기판인 III-V compound semiconductor에 physical damage과 substrate recess를 줄이기 위해서 높은 선택비가 필요하다. 이러한 식각의 대안으로 원자층 식각이 연구되고 있으며 이러한 원자층 식각은 반응성 있는 BCl3의 adsorption과 low energy의 Ar bombardment로 desorption으로 self-limited한 one monolayer 식각을 가능하게 한다. 그러므로 본 연구에서는, III-V compound semiconductor 위에 IPLs의 adsorption과 desorption의 cyclic process를 이용한 원자층식각으로 다양한 물질인 SiO2, Al2O3 (self-limited one monolayer etch rate=about 1 ${\AA}$/cycle), BeO (self-limited one monolayer etch rate=about 0.75 ${\AA}$/cycle)를 얻었으며 그 결과 precise한 etch depth control로 minimal substrate recess 식각을 할 수 있었다.
본 연구에서는 구연산 수용액 전해질을 제조하여 전기도금 방식에 의해 III-V족 화합물 반도체 InSb를 전기화학적으로 합성하였다. 본 연구에서 제조된 InSb는 기존문헌에서 보고된 바와 달리 EPMA분석결과 In과 Sb의 조성비가 52:48로 화학양론을 정확하게 만족시키고 있고, XPS분석결과 전해질내의 구연산의 농도가 1.2M, pH가 4일 때 444.1 eV에서 InSb 화합물의 피크를 관찰하였으며 구연산의 농도가 1.2M보다 낮거나 pH가 4보다 낮을 때는 InSb화합물과 금속상태의 In이 혼재되어 있는 것을 확인하였다. 또한 XRD를 통하여 InSb(111)의 우선결정방위를 갖는다는 것을 확인하였고, I-V 특성 곡선 측정을 통해 rnSb가 고유한 반도체 특성을 보임을 확인하였다.
Small dense LDL(LDL III) is emerging as a major risk factor for coronary artery disease. LDL III generation is associated with high triglyceride concentration, high hepatic lipase activity, and high cholesterol ester transfer protein (CETP) levels. CETP polymorphisms have been reported to be associated with coronary artery disease. In this study, we investigated the relationship between CETP polymorphism and LDL III generation. VLDL1, VLDL2, IDL and LDL subfractions were measured in 87 normal healthy Korean subjects who had been SNP genotyped for Taq1B, I405v and A629C. We found no differences in LDL subfractions and lipoprotein composition between homozygotes for Taq1B2B2, and those for Taq1B1B1 and Taq1B1B2. There were no differences in LDL subfractions and lipoprotein composition between homozygotes for 629AA, and those for 629AC and -629CC. However, homozygotes for 405VV had a significantly lower LDL III concentration and proportion than those for 405II and 405IV. We concluded that, among the Taq1B, I405V and A629C polymorphisms, only the 1405V polymorphism was associated with the concentration and proportion of LDL III.
현재 미국, 유럽, 일본 등에서 III-V 화합물 반도체 태양전지 시스템에 대한 활발한 연구 및 상용화가 진행중이다. 국내에서는 그동안 III-V 화합물 반도체 분야의 투자가 매우 제한적으로만 있어 왔고 그 중에서도 특히 화합물 반도체 태양전지의 투자는 거의 없었다. 최근 들어 KIST, KANC, 아주대, 전북대, ETRI, KOPTI, KETI 등에서 III-V 화합물 반도체 태양전지 연구가 새로 시작되었다. KIST에서는 현재 월광모듈도 개발 중이다.
한국초전도학회 2000년도 High Temperature Superconductivity Vol.X
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pp.15-20
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2000
We demonstrated a single balanced mixer of the combination of high-T. superconductor (HTS) and III-V GaAs beam lead Schottky diodes operating in the mini-cryogenic chamber. The HTS hybrid mixer was designed with a center frequency of 27.5 GHz and a bandwidth of 1 GHz, and consisted of a rat-race coupler circuit with beam-lead diodes attached to its balanced ports. The HTS hybrid mixer with 1 GHz RF bandwidths exhibits a conversion loss of 6 dB. A LO-to-RF isolation was greater than 40 dB in the range of operating frequencies. Since the HTS/III-V hybrid mixer devices have lower noise and conversion loss, this technique provide us with new capabilities that can be effectively utilized in the field of local-point distribution service (LMDS) systems.
Film growth rate of InP and GaAs using TMI, TMG, TBA and TBP is numerically predicted and compared to the experimental results. Obtained results show that the film growth rate is very sensitive to the thermal condition in the reactor. To obtain exact thermal boundary conditions at the reactor walls, we analyzed the gas flow and heat transfer in the reactor including outer tube as well as the inner reactor parts using a full three-dimensional model. The results indicate that the exact thermal boundary conditions are important to get precise film growth rate prediction.
III-V족 반도체 GaP GaAs 및 InP의 계단형 pn 접합에서의 항복전압을 위한 해석적 식을 유도하였다. 해석적 항복전압을 위해 각 물질에 대한 이온화계수 파라미터를 이용하여 유효 이온화계수를 추출하였고, 이의 이온화 적분을 통해 얻은 해석적 항복전압 결과는 수치적 결과 및 실험 결과와 10% 오차 범위 이내로 잘 일치하였다.
Up to now, there have been rare clinical studies on leaders and aerobics athletes. To get the useful data for protecting from auditory disorder, we selected 15 female aerobics leaders (experimental group) and 15 females (control group) unexperienced in aerobics and a without neurological and octolaryngological disorder. The average age was $34.87{\pm}8.80$ (experimental group) and $34.07{\pm}8.45$ (control group) years, and the average career of an aerobics leader (experimental group) was $8.33{\pm}4.73$ years. We measured the auditory evoked potential (AEP) of the two groups treated with 70, 75 and 85 dB intensity from January 2006 to May 2006 and analyzed the absolute latency (AL) and interpeak latency (IPL) by the SPSS/pc+ 12.0 program. In the comparison of the AL between the experimental group and the control group according to intensity, both ears treated with 70 and 75 dB had a significant difference (p<0.05) in the I, III, V wave and in the I, V wave respectively, and the experimental group treated with 85 dB showed a difference in the I, III, V wave (left ear) and in the I wave (right ear) respectively. The IPL of the two groups treated with various intensities had no prolongation. In the comparison of the AL between the experimental group and the control group according to ages, the experimental group in their 20s treated with 70 dB showed a significant difference (p<0.05) in the V wave (left ear) and in the I, III, V wave (right ear), and the experimental group in their 20s treated with 75 dB in the I, III wave (left ear) and in I, III, V wave (right ear), and experimental group in their 20s treated with 85 dB in the V wave (left ear) and in the III, V wave (right ear). The experimental group in their 30s treated with 70 dB had a significant difference (p<0.05) only in the V wave (right ear). Only in the IPL of subjects in their 20s treated with 85 dB, III-V and I-V of both ears was extended. In the comparison of the AL and IPL according to career, there was no significant difference between the two groups. From this results, we concluded that the lower sound intensity (70 dB) showed a more significant difference in the experimental group than the control group. We concluded that the leader of aerobics exposed to louder sounds than normal people are affected by auditory neurological and octolaryngological disorders. So we think that the leaders of aerobics need to control the noise level for protecting themselves against a disease.
지질매체에서 흔하게 발견되는 호기성 박테리아인 Pseudomonas aeuginosa에 대하여 영양분을 공급하지 않은 상태에서 As(V) 및 As(III) 흡착실험을 수행하였다. As(111)의 경우 P. aeruginosa에 의한 소규모의 흡착이 관찰된 반면, As(V)는 효과적인 흡착이 적용되지 않음을 확인할 수 있었다 이는 As(V)는 수용액 상태에서 음전하 화합물로 존재하고 박테리아 표면 역시 음전하를 띠고 있기 때문에 상호 인력이 작용하지 않기 때문인 것으로 파악된다. 그러나 바이오필름 상태의 박테리아는 많은 양의 용존 As(V)를 As(III)로 환원하는 것으로 나타났다. 이는 빈영양 환경인 대부분의 지질환경에서도 미생물이 용존 비소의 거동에 미치는 영향이 크다는 것을 의미한다. 다양한 중금속으로 오염된 지하수를 처리하기 위하여 구축된 미생물 반응벽체는 비소의 흡착을 촉진하기보다는 오히려 비소의 독성과 이동도를 증가시키는 부의 효과를 유도할 수도 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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