• 제목/요약/키워드: I/O interface

검색결과 408건 처리시간 0.023초

Zinc tin oxide 투명박막트랜지스터의 특성에 미치는 열처리 효과 (Thermal treatments effects on the properties of zinc tin oxide transparent thin film transistors)

  • 마대영
    • 전기전자학회논문지
    • /
    • 제23권2호
    • /
    • pp.375-379
    • /
    • 2019
  • Zn와 Sn의 원자비가 2:1인 타겟을 고주파 스파터링하여 $ZnO-SnO_2(ZTO)$박막을 증착하고 열처리에 따른 구조적 특성변화를 조사하였다. 이 ZTO박막을 활성층으로 사용하여 투명박막트랜지스터(TTFT)를 제조하였다. 약 100 nm 두께의 $SiO_2$위에 100 nm의 $Si_3N_4$막을 기른 후 TTFT의 게이트 절연막으로 채택하였다. TTFT의 전달 특성을 통해 이동도, 문턱전압, 작동전류-차단전류 비($I_{on}/I_{off}$), 계면트랩밀도를 구하였다. 기판 가열 및 후속 열처리가 ZTO TTFT의 특성 변화에 미치는 영향을 분석하였다.

화력 및 원자력 발전소 시뮬레이터 I/O 인터페이스 시스템 구축에 관한 연구 (An Implementation of I/O Interface System for T/P and N/P Plant Simulator)

  • 변승현
    • 한국시뮬레이션학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국시뮬레이션학회 1999년도 추계학술대회 논문집
    • /
    • pp.144-149
    • /
    • 1999
  • 발전소의 안정적 운영을 위한 발전소 운전원의 훈련에는 기준 발전소 주제어실의 각종 패널라 계기들을 기계적으로 동일하게 만들고 정확한 수학적 모델로 발전소 시스템을 모사한 전 범위 시뮬레이터가 주로 이용된다. 전범위 시뮬레이터는 실제 현장을 모사하는 시뮬레이션 컴퓨터와 주제어실의 패널 계기들을 연결시켜 주는 I/O 인터페이스 시스템을 필요로 한다. 기 설치 운용되고 있는 선행 호기 시뮬레이터를 보면 주 공급업체는 모델링 기술을 가지고 있는 업체가 맡고, I/O 인터페이스 시스템은 I/O 모듈과 네트웍 프로토콜까지 협력업체나 자사의 독자 모델을 취하고 있다. 그러나 I/O 모듈의 제작사가 대부분 외국의 특정 업체여서 예비품의 입수가 용이하지 않아 유지보수가 어렵고, 많은 비용을 지불해야 하는 단점을 가지고 있다. 따라서, 유지보수 용이성과 경제적 측면에서 특정 벤더 규격에 종속되지 않고 일반적인 표준을 따르는 off-the-shelf 제품을 이용하는 발전소 시뮬레이터 I/O 인터페이스 시스템의 구축이 요구된다. 본 논문에서는 화력 발전소와 원자력 발전소를 대상으로 시뮬레이터 I/O 인터페이스 시스템의 요구사양을 소개하고, 네트웍에서 시스템 아키텍처까지 개방형 인터페이스 방식의 상용 제품을 채용하는 PC기반 시뮬레이터 I/O 인터페이스 시스템 구축방안을 제시하고, 성능 예측을 통해 제안한 시스템 구축 방안의 효용성을 보인다.

  • PDF

다관절 로봇용 고속 제어보드 개발 및 제어 (Fast Processing System for Motion Control of Multi-body Robots)

  • 심재익;권오흥;김태성;박종현
    • 대한기계학회:학술대회논문집
    • /
    • 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회A
    • /
    • pp.951-956
    • /
    • 2007
  • This paper suggests a high-speed control method which is suitable for multi-joint robots using a real-time stand-alone controller for general-purpose. The fast processing controller consists of a PCI Interface Board and 2-axe PWM drivers. The PCI Interface Board consists of 32-channel PWM output ports, 32-channel Encoder Counters, 32-channel A/D Converters and 48-channel Digital I/O ports, and all the I/O data transmissions are completed within 1ms. And The 2-axe PWM driver can be redesigned easily in order to embed in each link. Experimental implementations show that the high-speed control method can be used for the real-time control which is essential to controlling of multi-body robots such as humanoid robots. Especially, it is efficient for realizing the model-based motion control in demand of much calculation time by the high I/O communication speed.

  • PDF

Analyzing the Impact of Supply Noise on Jitter in GBPS Serial Links on a Merged I/O-Core Power Delivery Network

  • Tan, Fern-Nee;Lee, Sheng Chyan
    • 마이크로전자및패키징학회지
    • /
    • 제20권4호
    • /
    • pp.69-74
    • /
    • 2013
  • In this paper, the impact of integrating large number of I/O (Input-Output) and Core power Delivery Network (PDN) on a 6 layers Flip-Chip Ball Grid Array (FCBGA) package is investigated. The impact of core induced supply noise on high-speed I/O interfaces, and high-speed I/O interface's supply noise coupling to adjacent high-speed I/O interfaces' jitter impact are studied. Concurrent stress validation software is used to induce SSO noise on each individual I/O interfaces; and at the same time; periodic noise is introduced from Core PDN into the I/O PDN domain. In order to have the maximum coupling impact, a prototype package is designed to merge the I/O and Core PDN as one while impact on jitter on each I/O interfaces are investigated. In order to understand the impact of the Core to I/O and I/O to I/O noise, the on-die noise measurements were measured and results were compared with the original PDN where each I/O and Core PDN are standalone and isolated are used as a benchmark.

P/N-CTR 코드를 사용한 SSN과 누화 잡음 감소 I/O 인터페이스 방식 (The SSN and Crosstalk Noise Reduction I/O Interface Scheme Using the P/N-CTR Code)

  • 김준배;권오경
    • 대한전자공학회논문지SD
    • /
    • 제38권4호
    • /
    • pp.302-312
    • /
    • 2001
  • 칩과 칩 사이의 전송 속도가 증가함에 따라, 누화 및 스위칭 잡음에 의한 시스템의 성능 저하가 심각해지고 있다. 본 논문에서 제안하는 인터페이스는 한 심벌 펄스의 상승/하강 에지 위치에 데이터를 엔코딩하고, 천이 방향이 반대인 P-CTR과 N-CTR (positive/Negative Constant Transition Rate)을 사용하며, P-CTR 드라이버 2개 묶음과 N-CTR 드라이버 2개 묶음을 교대로 배치하여 버스를 구성한다. 제안하는 P/N-CTR 코드 인터페이스에서는 임의의 한 배선에 대해서 양옆의 이웃한 배선 신호가 동시에 같은 방향으로 스위칭하는 경우가 발생하지 않기 때문에 최대 누화 잡음과 최대 스위칭 잡음을 기존의 I/O 인테페이스 보다 감소시킬 수 있다. 제안하는 인터페이스 방식의 잡음 감소 특성을 검증하기 위하여 다양한 배선 구조와 여러 비트 폭의 버스 구조에 적용하고, 0.35㎛ SPICE 파라미터를 이용한 HSPICE 시뮬레이션을 수행하였다. 제안한 인터페이스는 기존의 인터페이스와 비교하여 32 비트 미만의 버스에서는 최대 누화 잡음이 최소26.78 % 감소하고, 누화는 50 % 감소한다.

  • PDF

Design and Implementation of I/O Performance Benchmarking Framework for Linux Container

  • Oh, Gijun;Son, Suho;Yang, Junseok;Ahn, Sungyong
    • International Journal of Internet, Broadcasting and Communication
    • /
    • 제13권1호
    • /
    • pp.180-186
    • /
    • 2021
  • In cloud computing service it is important to share the system resource among multiple instances according to user requirements. In particular, the issue of efficiently distributing I/O resources across multiple instances is paid attention due to the rise of emerging data-centric technologies such as big data and deep learning. However, it is difficult to evaluate the I/O resource distribution of a Linux container, which is one of the core technologies of cloud computing, since conventional I/O benchmarks does not support features related to container management. In this paper, we propose a new I/O performance benchmarking framework that can easily evaluate the resource distribution of Linux containers using existing I/O benchmarks by supporting container-related features and integrated user interface. According to the performance evaluation result with trace-replay benchmark, the proposed benchmark framework has induced negligible performance overhead while providing convenience in evaluating the I/O performance of multiple Linux containers.

ZnO 박막과 금속전극과의 계면특성조사 (The Characterization of Interfaces between ZnO Thin Films and Metal Electrodes)

  • 박성순;임원택;이창효
    • 한국진공학회지
    • /
    • 제7권3호
    • /
    • pp.201-207
    • /
    • 1998
  • 본 연구는 rf reactive magnetron sputtering 방법으로 증착한 ZnO 박막을 압전진동 자로 제작하였을 때 발생하는 금속전극과의 계면특성에 대해 조사하였다. 이때 ZnO 박막은 금속 아연 target을 산소분위기에서 sputtering하여 얻었다. 미리 얻은 최적성장조건으로 Cr/ZnO/Cr의 구조을 갖는 압전 진동자를 제작한 후, 금속전극과 ZnO 박막과의 계면특성을 분석하였다. 제작된 압전진동자는 I-V 측정, AES depth profile, SEM, C-V 측정등을 이용 하여 분석하였고, 이러한 분석 결과 금속전극과 ZnO 박막 사이에 $SiO_2$ 확산방지막을 쌓은 Cr/ $SiO_2$/ZnO/Cr의 구조로 ZnO 압전진동자를 제작했을 때 좋은 특성을 보임을 알 수 있었 다. 그리고, 이러한 사실은 제작된 진동자를 구동시키고 이에 대한 인가진동수에 따른 진동 변위를 측정해보므로써 확인할 수 있었다.

  • PDF

XPS를 이용한 Cu/Polyimide 계면에 관한 연구 : 상온에서 증착한 Cu의 초기성장과정(I) (Study on the Cu/polyimide interface using XPS: Initial growth of Cu sputter-deposited on the polyimide at room temperature (I))

  • 이연승;황정남
    • 한국진공학회지
    • /
    • 제6권3호
    • /
    • pp.187-193
    • /
    • 1997
  • 상온에서 polyimide 위에 증착한 Cu의 초기성장 과정과 Cu/polyimide의 계면의 형 태에 관하여 XPS를 이용하여 관찰하였다. Polyimide 위에 Cu가 증착됨에 따라, 초기단계에 는 강한 결합의 Cu-N-O complex가 주가 되어 Cu/polyimide 계명을 형성하고, Cu의 증착 두께가 증가함에 따라, 약한 결합의 Cu산화물에서 서서히 metallic Cu로서 성장하는 것을 볼 수 있었다. 이상이 결과들을 통해, Cu/polyimide의 계면은 Cu-N-O complex와 Cu산화물 이 혼합되어 있는 형태이며 polyimide 표면에 가까울수록 Cu-N-O complex가 주가 되고, Cu쪽에 가까울수록 Cu산화물이 주가 되는 형태를 이루고 있다는 것을 알 수 있었다.

  • PDF

선박 냉각시스템의 에너지 절감기법에 관한 연구 (A Study on the Method of Energy Saving in a Marine Cooling System)

  • 오진석;임명규
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
    • /
    • 제29권5호
    • /
    • pp.587-592
    • /
    • 2005
  • The ESS(Energy Saving System) is designed to have functions of controlling. monitoring for cooling system. etc. ESS consists of the I/O module, CPU module and Display module I/O module detects various ESS data on local area and treats signals via I/O interface system. The interface system receives various status data and outputs control signals. ESS is tested with dummy signal to verify proposed functions and is shown good results. For future study ESS will be tested under real condition in the ship.

ZnO-SnO2 투명박막트랜지스터의 특성에 미치는 산소분압 및 후속열처리의 영향 (The Effects of Oxygen Partial Pressure and Post-annealing on the Properties of ZnO-SnO2 Thin Film Transistors)

  • 마대영
    • 한국전기전자재료학회논문지
    • /
    • 제25권4호
    • /
    • pp.304-308
    • /
    • 2012
  • Transparent thin film transistors (TTFT) were fabricated using the rf magnetron sputtered ZnO-$SnO_2$ films as active layers. A ceramic target whose Zn atomic ratio to Sn is 2:1 was employed for the deposition of ZnO-$SnO_2$ films. To study the post-annealing effects on the properties of TTFT, ZnO-$SnO_2$ films were annealed at $200^{\circ}C$ or $400^{\circ}C$ for 5 min before In deposition for source and drain electrodes. Oxygen was added into chamber during sputtering to raise the resistivity of ZnO-$SnO_2$ films. The effects of oxygen addition on the properties of TTFT were also investigated. 100 nm $Si_3N_4$ film grown on 100 nm $SiO_2$ film was used as gate dielectrics. The mobility, $I_{on}/I_{off}$, interface state density etc. were obtained from the transfer characteristics of ZnO-$SnO_2$ TTFTs.