• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.22-25
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• 2002

In this paper, we deposited MgO buffer layer on p-type (100)Si substrate in the condition of substrate temperature 400$^{\circ}C$, working gas ratio Ar:O$_2$=80:20, RF Power 50W, working pressure 10mtorr, and the thickness of the film was about 300${\AA}$. Then we deposited Ba$\sub$0.5/Sr$\sub$0.5/TiO$_3$ thin film using RF Magnetron sputtering method on the MgO/Si substrate in various RF power of 25W, 50W, 75W. The film deposited in 50W showed the best crystalline from the XRD measurement. To know the electrical properties of the film, we manufactured Al/BSTMgO(300${\AA}$)/Si/Al structure capacitor. In the result of I-V measurement, The leakage current density of the capacitor was lower than 10$\^$-7/A/$\textrm{cm}^2$ at the range of ${\pm}$150kV/cm. From C-V characteristics of the capacitor, can calculate the dielectric constant and it was 305. Finally we deposited BST thin film on bare Si substrate and (100)MgO substrate in the same deposition condition. From the comparate of the properties of these samples, we found the properties of BST thin film which deposited on MgO/Si substrate were better than on bare Si substrate and similar to on MgO substrate.

• 전자공학회논문지
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• 제49권12호
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• pp.149-155
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• 2012

SSD(Solid State Disk)는 다수의 NAND 플래시 메모리로 구성되었으며 내부에 고성능 컨트롤러와 캐시 버퍼를 포함한 스토리지 장치이다. NAND 플래시 메모리는 제자리 덮어쓰기가 안되기 때문에 파일시스템에서 유효페이지가 갱신 및 삭제시 무효페이지로 전환되어 완전히 삭제하기 위해서는 가비지 컬렉션 과정을 거쳐야한다. 하지만 가비지 컬렉션은 지연시간이 긴 Erase 연산을 포함하기 때문에 SSD의 I/O 성능을 감소시키고 마모도를 증가시키는 문제가 된다. 본 논문에서는 입력데이터에 대하여 유효데이터와 무효데이터에서 중복검사를 실행하는 기법을 제안한다. 먼저 유효데이터에 대한 중복제거 과정을 거치고 그 다음에 무효데이터 재활용 과정을 거침으로써 중복률을 향상시켰다. 이를 통하여 SSD의 쓰기 횟수와 가비지 컬렉션 횟수를 감소시켜 마모도와 I/O 성능이 개선되었다. 실험결과 제안한 기법은 유효데이터 중복제거와 무효데이터 재활용을 둘다 하지 않는 일반적인 경우에 비해서 가비지 컬렉션 횟수가 최대 20% 감소하고 I/O 지연시간이 9% 감소하였다.

• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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• 제16권2호
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• pp.247-251
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• 2010

최근 등장한 비휘발성 속성과 램의 속성을 동시에 제공하는 스토리지 클래스 메모리(SCM)는 스토리지 시스템의 입출력 성능과 안정성 향상을 위한 시스템 소프트웨어 연구에 있어 새로운 가능성을 열어준다. 이에 본 연구에서는 트랜잭션 단위 쓰기를 보장하는 SCM 버퍼 캐시를 통하여 스토리지 시스템의 안전성과 성능을 동시에 향상 시키는 한편 시스템 붕괴 시 즉각적인 복구를 가능하게 한다. 본 연구에서 제안하는 트랜잭션 단위 쓰기를 보장하는 SCM 버퍼 캐시 기법은 리눅스 저널링 블록 디바이스(JBD)의 트랜잭션 메커니즘을 기반으로 하므로 JBD 만큼의 안정성을 제공 한다. 동시에 실제 시스템에서의 성능 평과 결과에서 트랜잭션 단위 쓰기를 보장하는 SCM 버퍼 캐시를 적용한 EXT3 파일 시스템은 높은 수준의 안정성을 보장하는 동시에 최소한의 안정성만을 제공하는 파일시스템보다 더 좋은 수행성능을 보여주었으며, 시스템 붕괴 시 시스템을 즉각적(약 0.2초)으로 복구함을 보여주었다.

• 정보처리학회논문지C
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• 제12C권1호
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• pp.147-156
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• 2005

CGI는 유닉스 운영체제의 표준 입${\cdot}$출력 환경에서 프로그램의 출력 결과가 고정적인 웹 문서를 대신하도록 고안된 게이트웨이와 웹 서버 사이의 표준 접속 규약이다. 따라서 CGI 게이트웨이에서는 사용된 언어가 제공하는 표준 입${\cdot}$출력 문장을 사용하는 것이 자연스럽다. 그런데 표준 입${\cdot}$출력 메커니즘은 보편적인 환경에 적합하도록 운영체제에 투명하게 설계된 버퍼 전략 중의 하나이다. 이것은 CGI 환경이라는 독특한 특성이 고려될 경우 표준 입${\cdot}$출력 부분이 웹 성능향상을 위한 또 다른 최적화 대상이 될 수 있음을 의미한다. 이 논문에서는 유닉스/리눅스 시스템에서 C 언어로 작성된 CGI 게이트웨이를 위한 출력의 최적화 분야를 표준 출력 방법과 파일 출력 방법으로 분류하고, 각 분야별 제안된 최적화 방안들을 Debian LINUX, IBM AIX, SUN Solaris, Digital UNIX 등 네 운영체제를 대상으로 적용하여 그 영향을 실행시간 위주로 분석하였다. 그 결과 운영체제에 따라 상당한 차이를 보였는데, 기본 방법에 비해 표준 출력 분야에서 $10{\%}$ 이상 향상된 경우가 있었던 반면 성능 향상이 당연시 되었던 파일 출력 방법에서는 오히려 $60{\%}$ 이상 저하되는 최악의 경우가 관찰되었다.

• 한국항행학회논문지
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• 제20권1호
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• pp.79-85
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• 2016

최근의 웹 환경은 스마트폰과 같은 모바일, 페이스북과 같은 소셜 네트워크의 증가로 인하여 네트워크의 트래픽이 급격히 증가하고 있다. 본 논문에서는 WAS(web application server)의 애플리케이션에서 기존 자바의 단점인 I/O의 블로킹(blocking)과 버퍼에 가비지 컬렉션 (garbage collection)으로 인한 CPU 성능 감소 등의 문제를 NIO (non-blocking IO)의 다이렉트 버퍼와 DMA (direct memory access)를 이용하여 기존 시스템의 웹 응답 속도를 향상시켰다. 우선순위 변동 등으로 상대적으로 데이터 순환이 많은 키값은 조작이 용이한 해시맵에 담아 캐시 우선순위 변경 알고리즘을 적용한다. 용량이 큰 응답 데이터는 속도가 빠른 다이렉트 버퍼에 분리 저장하여 성능을 높인다. 캐시 적중 시와 적중이 안 될 경우의 여러 상황에서의 실험을 통해 본 논문에서 제안한 NIO를 이용한 방법이 많은 성능 향상을 보여줌을 확인할 수 있다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제24권2호
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• pp.93-98
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• 2024

인공지능과 고성능 컴퓨팅 기술이 급속히 발전하면서 다양한 분야에 딥러닝 기술이 활용되고 있다. 딥러닝은 학습 과정에서 대량의 데이터를 무작위로 읽어 학습을 진행하고, 이 과정을 반복한다. 많은 수의 파일들이 무작위로 반복 참조되는 딥러닝의 파일 입출력은 시간적 지역성을 지닌 일반적인 응용과는 다른 특징을 보인다. 이로 인한 캐싱의 어려움을 극복하기 위해 본 연구에서는 딥러닝 데이터셋 읽기의 무작위성을 줄이고 기존의 버퍼 캐시 알고리즘에 적응적으로 동작하는 새로운 데이터 읽기 방안을 제안한다. 본 논문에서는 실험을 통해 제안하는 방식이 버퍼 캐시의 미스율을 기존의 방식에 비해 평균 16%, 최대 33% 감소시키고, 수행시간을 24%까지 개선함을 보인다.

• 한국인쇄학회지
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• 제15권2호
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• pp.77-90
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• 1997

Positive type presensitized offset plate developer were blended by quantitative analysis method. The test had been proceeeded to check variation of developability, shelf life and tone reproduction by SiO2/Na2O ratio to PS plate developer, added glycerin, and sodium phosphate with glycerin. This study of tone reproduction had been tested 5 times to get accuracy by PS platesusing kodak CCG C-3, KMS. The test result of tone reproduction of presensitized offset plates can be summarized as follows ; major compositions in positive type plate developer were Na, Si, K and P, developability were increased by Sio2/NaO2 ratio in positive type plate developer. Shelf life can be kept by add glycerin to positive type plate developer. Tone reproduction were improved by sodium phosphate due to buffer action while shelf life can be kept by add glycerin in positive type plate developer.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.171-171
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• 2012

We have studied the effects of plasma treatments on CdS buffer layers in CIGS thin film solar cells. The CdS layers were deposited on CIGS films by chemical bath deposition (CBD) method. The RF plasma treatments of the CdS thin films were performed with Ar, $O_2 and $N_2 gases, respectively. After plasma treatments, the solar cells with Al:ZnO/i-ZnO/CdS/CIGS structures were fabricated. The surface properties of the CdS/CIGS thin films after plasma treatments were investigated with SEM, EDX and AFM measurements. The electrical properties of manufactured solar cell were discussed with the results of current-voltage measurements. The plasma treatments have a strong influence on the open circuit voltage (VOC) and the fill factor of the solar cells. Finally, a correlation between the surface properties of CdS layer and the efficiencies of the CIGS thin film solar cells is discussed.

• 한국초전도저온공학회:학술대회논문집
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• 한국초전도저온공학회 2002년도 학술대회 논문집
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• pp.127-130
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• 2002

Step-edge dc SQUID magnetometers have been fabricated on sapphire substrate. Ce$O_{2}$ buffer layer and $YBa_{2}$$Cu_{3}$ $O_{7}$(YBCO) films were deposited in-situ on the low angle (~$35^{\circ}$)steps formed on the substrates. Typical 5-$\mu$m-wide junction has $R_{N}$ of 4 $\Omega$ and $I_{c}$ of 60 $\mu$A with $I_{c}$$R_{N}$ product of 240 $\mu$V at 77 K. According to applied bias current, depth of voltage modulation was changed and maximum voltage was measured 100~300 fT/$\checkmark$ Hz at 100 Hz, and about 1.5 pT/$\checkmark$ Hz at 1 Hz. For ac bias reversal method, field noise was decreased in the 1/f region. The QRS peak of magneto-cardiogram was measured 50 pT in the magnetically shielded room.

• Progress in Superconductivity
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• 제3권1호
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• pp.60-64
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• 2001

We have studied properties of step-edge Junction prepared with crystal orientation of sapphire substrate. The Step on sapphire substrates fabricated by conventional photolithography method and Ar ion milling method. $CeO_2$ buffer layer and in-situ YBCO thin film were deposited on the stepped sapphire substrates by a pulsed laser deposition method with the predetermined optimized condition. The step angle was centre fled low angle of about $25^{\circ}$. The YBCO film thickness was varied to obtain various thickness ratios of the film to the step height in a range from 0.7 to 1.2. I-V curves of junction were showed RSJ-behavior, double junction structure, and hysteresis due to the crystal orientation of substrate.