• 제목/요약/키워드: Hole Processing

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Investigation of Strain Measurements using Digital Image Correlation with a Finite Element Method

  • Zhao, Jian;Zhao, Dong
    • Journal of the Optical Society of Korea
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    • 제17권5호
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    • pp.399-404
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    • 2013
  • This article proposes a digital image correlation (DIC) strain measurement method based on a finite element (FE) algorithm. A two-step digital image correlation is presented. In the first step, the gradient-based subpixels technique is used to search the displacements of a region of interest of the specimen, and then the strain fields are obtained by utilizing the finite element method in the second step. Both simulation and experiment processing, including tensile strain deformation, show that the proposed method can achieve nearly the same accuracy as the cubic spline interpolation method in most cases and higher accuracy in some cases, such as the simulations of uniaxial tension with and without noise. The results show that it also has a good noise-robustness. Finally, this method is used in the uniaxial tensile testing for Dahurian Larch wood specimens with or without a hole, and the obtained strain values are close to the results which were obtained from the strain gauge and the cubic spline interpolation method.

High-density Through-Hole Interconnection in a Silicon Substrate

  • Sadakata, Nobuyuki
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2003년도 International Symposium
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    • pp.165-172
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    • 2003
  • Wafer-level packaging technology has become established with increase of demands for miniaturizing and realizing lightweight electronic devices evolution. This packaging technology enables the smallest footprint of packaged chip. Various structures and processes has been proposed and manufactured currently, and products taking advantages of wafer-level package come onto the market. The package enables mounting semiconductor chip on print circuit board as is a case with conventional die-level CSP's with BGA solder bumps. Bumping technology is also advancing in both lead-free solder alternative and wafer-level processing such as stencil printing using solder paste. It is known lead-free solder bump formation by stencil printing process tend to form voids in the re-flowed bump. From the result of FEM analysis, it has been found that the strain in solder joints with voids are not always larger than those of without voids. In this paper, characteristics of wafer-level package and effect of void in solder bump on its reliability will be discussed.

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정압력 홀을 적용한 초고속 유동 데이터 획득 방안에 관한 연구 (Research on the air data acquisition method using static pressure hole)

  • 최종호;윤현걸
    • 한국추진공학회:학술대회논문집
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    • 한국추진공학회 2010년도 제34회 춘계학술대회논문집
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    • pp.406-410
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    • 2010
  • 본 논문은 초고속 비행체의 특정 위치에 정압력을 측정하여 속도, 받음각 등 유동 데이터를 효과적으로 획득할 수 있는 유동 데이터 획득 및 처리 알고리즘에 대해 제시하였다. 기존의 공기 유동데이터 획득시스템과는 다르게 센서 여유(redundancy) 및 오류 검출 기능을 지니고 있으며 전산유동해석(CFD)을 통해 미리 획득한 데이터를 적용한 알고리즘을 적용하였다. 상용 프로그램인 매트랩 및 시뮬링크를 사용하여 알고리즘에 대해 검증하였다.

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DTED를 이용한 고해상도 DEM의 후처리 방안에 관한 연구 (Research of post-processing method of high resolution DEM by the use of existing DTED data)

  • 이수암;수야준;김태정
    • 대한원격탐사학회:학술대회논문집
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    • 대한원격탐사학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.7-12
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    • 2009
  • 고해상도 위성영상을 이용한 DEM 제작의 경우 영상의 센서모델과 정합을 이용한 방식이 일반적으로 사용되어 왔다. 이 방식의 경우 영상에 존재하는 건물 및 도로, 그리고 지역 등에 따라 오류가 발생하게 되며 이는 DEM의 제작 시 공백(Hole)이나, 오류(Blunder)의 원인이 된다 이 방식을 보완하기 위하여, 본 실험에서는 1m 급의 공간해상도를 가지는 스테레오 위성 영상을 이용하여 제작된 고해상도 DEM을 제작해보았으며, 전 세계적으로 제작되어 있는 30m 정확도를 가지는 DTED를 이용하여 동일지역의 DEM의 갱신을 시도하였다. 고해상도 스테레오 위성영상에서 매칭 결과로 구해진 높이 값과 30m DTED와의 결과 비교를 통해 최상위 피라미드 단계에서의 DEM의 제작 시 발생할 수 있는 에러들을 걸러냄으로 정확한 DEM의 생성을 시도하였으며, 새롭게 구해진 DEM의 높이 값을 30m DTED의 높이 값에 근사시켜 기존의 방식보다 더 부드러운 고해상도 DEM의 제작이 가능함을 확인할 수 있었다.

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a-Si:H Photosensor Using Cr silicide Schottky Contact

  • Hur, Chang-Wu
    • Journal of information and communication convergence engineering
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    • 제4권3호
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    • pp.105-107
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    • 2006
  • Amorphous silicon is a kind of optical to electric conversion material with current or voltage type after generating a numerous free electron and hole when it is injected by light. It is very effective technology to make schottky diode by bonding thin film to use optical diode. In this paper, we have fabricated optical diode device by forming chrome silicide film through thermal processing with thin film($100{\AA}$) having optimal amorphous silicon. The optimal condition is that we make a thin film by using PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) to improve reliability and characteristics of optical diode. We have obtained high quality diode by using chrome silicide optical diode from dark current and optical current measurement compared to previous method. It makes a simple process and improves a good reliability.

박판성형해석을 위한 자동 프리에지 제거에 관한 연구 (A Study on the Automatic Elimination of Free Edge for Sheet Metal Forming Analysis)

  • 유동진
    • 소성∙가공
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    • 제13권7호
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    • pp.614-622
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    • 2004
  • A new approach for the automatic elimination of free edges in the finite element model for the analysis of sheet metal forming processes is presented. In general, the raw finite element model constructed from an automatic mesh generator is not well suited for the direct use in the downstream forming analysis due to the many free edges which requires tedious time consuming interactive graphic operations of the users. In the present study, a general method for the automatic elimination of free edges is proposed by introducing a CAD/CAE hybrid method. In the method a trimmed parametric surface is generated to fill the holes which are orginated from the free edges by using the one step elastic finite element analysis. In addition, mesh generation algorithm is suggested which can be used in the general trimmed surface. In order to verify the validity of the proposed method, various examples including actual automobile sheet metal parts are given and discussed.

양극산화 알루미늄막을 이용한 나노패턴 성형용 금형제작에 대한 연구 (A Study on the Fabrication of Nano-Pattern Mold Using Anodic Aluminum Oxide Membrane)

  • 오정길;김종선;강정진;김종덕;윤경환;황철진
    • 소성∙가공
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    • 제19권2호
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    • pp.73-78
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    • 2010
  • Recently, many researches on the development of super-hydrophobic surface have been concentrated on the fabrication of nano-patterned products. Nano-patterned mold is a key to replicate nano-patterned products by mass production process such as injection molding and UV molding. The present paper proposes the new fabricating method of nano-patterned mold at low cost. The nano-patterned mold was fabricated by electroforming the anodic aluminum oxide membrane filled with UV curable resin in nano-hole by capillary phenomenon. As a result, the final mold with nano-patterns which have the holes with the diameter of 100~200 nm was fabricated. Furthermore, the UV-molded products with clear nano- patterns which have the pillars with the diameter of 100~200nm were achieved.

동적 XML 조각 스트림에 대한 메모리 효율적 질의 처리 (Memory Efficient Query Processing over Dynamic XML Fragment Stream)

  • 이상욱;김진;강현철
    • 정보처리학회논문지D
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    • 제15D권1호
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    • pp.1-14
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    • 2008
  • 본 논문은 메모리 용량이 제약되어 있는 이동 단말기에서의 XML 데이터에 대한 질의 처리 기술에 관한 것이다. 대량의 XML 데이터에 대한 질의를 메모리 용량이 크지 않은 단말기에서 처리하는 경우 XML 데이터를 XML 조각(fragment)으로 분할하여 스트림으로 전송하고 처리하는 기술이 필요하다. 이는 전체 XML 문서를 재구성하지 않고 XML 데이터에 대한 질의 처리를 가능하게 한다. XFrag[4], XFPro[5], XFLab[6] 등 기존에 제시된 기법들은 질의 처리를 위해 조각에 대한 정보를 저장하고 사용한 후 더 이상 불필요해진 것들을 식별하여 삭제하지 못하기 때문에 조각 정보가 메모리에 계속 누적되어 대용량의 XML 데이터에 대해 질의 처리를 수행하기에는 문서 크기에 따른 확장성(scalability)이 떨어진다. 특히, XML 조각이 동적으로 생성되어 무한정 스트리밍되는 경우에 한정된 메모리로는 질의 처리를 보장할 수 없다. 본 논문에서는 동적 XML 조각 스트림에 대한 질의 처리에 있어 문서 크기에 따른 확장성 있는 질의 처리를 수행하기 위하여 누적된 조각 정보 삭제 기법들을 제시하고 이들을 바탕으로 기존 기법의 확장을 제시한다. 구현 및 성능 실험 결과 본 논문에서 확장된 기법이 기존의 기법보다 메모리 효율성이 현저히 높고 문서 크기에 따른 확장성이 월등히 우수한 것으로 나타났다.

이온빔 나노 패터닝을 위한 양극산화 알루미나의 이온빔 투과 (Ion Transmittance of Anodic Alumina for Ion Beam Nano-patterning)

  • 신상원;이종한;이성구;이재용;황정남;최인훈;이관희;정원용;문현찬;김태곤;송종한
    • 한국진공학회지
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    • 제15권1호
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    • pp.97-102
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    • 2006
  • 양극 산화된 알루미나 (anodized aluminum oxide : AAO)는 균일하고 일정한 크기의 나노기공 패턴을 지니고 있다. AAO를 이온빔 나노 patterning을 위한 이온조사 시 마스크로서 이용하기 위해 AAO 나노 기공을 통과하는 이온빔의 투과율(AAO에 입사한 이온에 대한 투과이온의 양의 비)을 측정하였다. Al bulk foil을 양극 산화하여 두께가 $4{\mu}m$이고 종횡비(두께와 기공의 지름의 비)가 각각 200:1, 100:1 인 AAO를 Goniometer에 부착하여 500 keV의 $O^{2+}$ 이온빔에 대해 나노기공을 정렬시킨 후, 기울임 각에 따른 투과율을 측정한 결과, 종횡비가 200:1, 100:1 일 때 투과율은 각각 약 $10^{-8},\;10^{-4}$로 거의 이온빔이 투과하지 못하였다. 반면에 $SiO_2$ 위에 증착된 Al 박막으로 양극산화하여 종횡비가 5:1인 AAO의 이온빔 투과율은 0.67로 투과율이 현저히 향상되었다. 높은 종횡비를 갖는 AAO의 경우에는 범과 AAO 기공의 정렬이 쉽지 않은데다 알루미나의 비전도성으로 인한 charge-up 현상으로 인해 이온빔이 극히 투과하기 어렵기 때문이다. 실제로 80 keV의 Co 음이온을 종횡비 5:1인 AAO에 조사시킨 후에는 AAO 나노기공과 동일한 크기의 나노 구조체가 형성됨을 주사전자현미경(scanning electron microscopy: SEM) 관찰을 통하여 확인하였다.

지속적인 이동성을 갖는 이동 센서네트워크를 위한 통신 프로토콜 (Communication Protocol for Mobile Sensor Networks with Continuous Mobility)

  • 김형진;김래영;송주석
    • 정보처리학회논문지C
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    • 제14C권2호
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    • pp.139-146
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    • 2007
  • 최근 Robomote, Robotic Sensor Agents(RSAs)와 같은 이동 센서의 등장으로 인해 이동 센서네트워크(MSN: Mobile Sensor Network)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 하지만 기존의 이동 센서네트워크에 대한 연구는 주로 기존의 고정 센서네트워크(SSN: Stationary Sensor Network)에서 발생하는 문제점인 Coverage Hole을 해결하는데 초점을 맞추고 있다. 이러한 연구들에서는 이동 센서들에게 부여된 이동 능력을 최대한 활용하지 못하는 단점을 안고 있다. 이를 해결하기 위해 이동 센서에게 지속적인 이동성을 부여함으로써 고정 센서네트워크에 비해 더 넓은 영역을 센싱하도록 제안한 연구가 있으나, 그 연구가 아직 초기 단계로써 이동 센서의 지속적인 이동으로 인한 싱크 노드로의 통신 경로선정 및 데이터 전송 문제에 대해서는 논하고 있지 않다. 이에 본 논문에서는 지속적인 이동성을 갖는 이동 센서로 구성된 이동 센서네트워크 환경에서 효율적으로 경로 설정 및 데이터 전송을 가능하게 하는 통신 프로토콜을 제안한다. 제안하는 프로토콜에서는 이동 센서와 함께 고정센서를 배치함으로써 고정 센서가 이동 센서를 대신하여 싱크 노드로 센싱 데이터를 전송하도록 한다. 시뮬레이션을 이용한 성능 평가를 통해 제안한 통신 프로토콜이 기존의 고정 센서네트워크에 비해 네트워크 커버리지 면에서 최대 40%, 트래픽 오버헤드 부분에서는 최대 76%의 성능을 향상시킴을 보인다.