본 논문에서는 기존 전원차단회로의 공급전원 차단 복귀 시간 지연 문제를 해결하기 위하여 고속 방전 충전 스위칭 기능을 갖는 새로운 전원차단회로를 제안하였다. 제안된 전원차단회로는 공급전원 고속 차단 후 복귀(충전) 속도를 증가시키도록 설계함으로써 전자시스템의 방사선 노출 시간과 펄스 방사선이 지나간 후 정상동작하기 위한 시간을 줄였다. 하드웨어를 구현하기 전 방전 충전 시간의 시뮬레이션은 Cadence 사의 pspice tool을 이용하여 진행하였으며 소자레벨에서 DUT(Device Under Test) 보드를 제작하였다. 전원차단회로의 비교 측정은 24V용 인공위성 전자소자를 대상으로 수행되었다. 그 결과, 제안된 회로는 기존 회로에 비하여 방전속도 96.8%, 복귀속도 27.3% 향상으로 고속 기능이 구현됨을 확인하였다.
In micro-EBM, it is well blown that RC circuit is suitable for discharge circuit because of its low pulse width and relatively high peak current. To increase machining speed without changing unit discharge energy, charge resistance should be decreased. But, if very low, continuous (or normal) arc discharge occurs, then increases electrode wear and reduces machining speed remarkably. In this paper, RC circuit with transistor is used to micro-EDM. Experimental results show that RC circuit with transistor can cut off continuous (or normal) arc discharge effectively if duty factor and switching period of transistor are set up optimally. Through experiments with varying charge resistance, it can be known that RC circuit with transistor has about two times faster machining speed than that of RC circuit. Especially, it has prominent rise-effect of machining speed in low unit discharge energy, so that a high-quality and high-speed micro-EDM can be realized through RC circuit with transistor.
The behavior of surface film formation was greatly dependent on the speed of potential cycling. In $LiClO_4$ / EC + DEC, cyclic voltammetry results showed that the peaks originated from surface film formation on graphite electrode at the high charge-discharge rate was shifted to the lower potentials as the charge-discharge rate decrease. This indicates that surface films with different morphology and thickness were formed by different charge-discharge rate. Transmission electron microscopy (TEM) results indicated that the properties such as thickness and morphology of the surface film were greatly affected by the charge-discharge rate. Electrochemical impedance spectroscopy (EIS) showed that the resistance of surface film was affected by the speed of potential cycling. In addition, the charge transfer resistance was also dependent on the charge-discharge rate indicating that the charge transfer reaction was affected by the nature of surface film. TEM and EIS results suggested that the chemical property as well as the physical property of the surface film was affected by the charge-discharge rate.
In a micro-EDM, it is well known that an RC circuit is suitable as a discharge circuit because of its low pulse width and relatively high peak current. To increase machining speed without changing unit discharge energy, charge resistance should be decreased. But, when the resistance is very low, continuous (or normal) arc discharge occurs, electrode wear increases and machining speed is reduced remarkably. In this paper, an RC circuit with transistors is used in a micro-EDM. Experimental results show that the RC circuit with transistors can cut off a continuous (o. normal) arc discharge effectively if the duty factor and switching period of the transistor are set up optimally. Through experiments with varying charge resistances, it is shown that the RC circuit with transistors has about two times faster machining speed than that of an RC circuit.
With the increase of consumption of new renewable energy, the use of Electric Double Layer Capacitor(EDLC) is being gradually widened as the next generation energy storage device. In order to expand the market of EDLC which is recently receiving a lot of attraction as a new promising area, development of a charge/discharge cycle tester to measure and test performance, is essential. Therefore, this research designed a circuit to measure capacity and internal resistance and a circuit to measure voltage maintenance properties, based on EDLC's basic charging/discharging properties so it is able to measure the state of charge and discharge at high speed. When evaluating performance characteristics, the 5[V]/100[A] prototype-EDLC charge/discharge testing system developed for this research showed ${\pm}0.1$[%] of accuracy of voltage and current measurement. It was also proved that the developed charge/discharge testing system for EDLC can be applied to the actual industry, when testing the entire system using a program produced for data monitoring and acquisition.
본 연구는 1,080개의 주사선수를 가지는 full-HD PDP를 위한 새로운 고속구동방식에 관한 것으로 고속 어드레스에 의한 표시방전의 방전특성을 고찰하여 새로운 구동방식의 특성을 평가하였다. 이 구동방식에서 어드레스 펄스의 폭이 좁아지면 최초 표시방전의 상대적 방전강도와 방전지연시간은 그 영향을 받는다. 어드레스 펄스의 인가위치의 변화는 방전강도와 무관하나 방전지연시간에는 영향을 미친다. 그러나 어드레스 펄스의 인가위치가 [$6{\mu}s$]이내이고 펄스의 폭이 [$0.7{\mu}s$]이내라면, 어드레스 펄스의 인가위치나 폭에 무관하게 안정된 표시방전을 유도할 수 있다. 실험결과로부터 폭이 좁은 어드레스 펄스를 사용하는 고속구동기술은 축적되는 벽전하의 부족으로 인해 공간전하의 영향에 매우 민감하다는 것을 알았다.
A new high-speed drive method for the plasma display panel is proposed. In this method, the address period is inserted for the rest period of the sustain pulses and the priming pulse is applied on the entire panel at the same time overlapping with the sustain period. The ramp shaped priming pulse can be made with a simple drive circuit in this technology and the stable sustain discharge can be induced even by a narrow scan pulse in help of the space charge generated from the address discharge. From the experiments, it is ascertained that the priming pulse hardly influences the sustain discharge. Moreover, the voltage margin of the sustain discharge is almost constant though that of the address discharge broadens with narrowing the scan pulse width. And, if the time interval between the scan pulse and the sustain pulse is within $6{\mu}s$, the voltage margin of the address and the sustain discharges are unaffected though the applied position of the scan pulse is changed. High-speed driving with the address pulse of $0.7{\mu}s$ width was achieved and the address voltage margin of 20V and the sustain voltage margin of 10V were obtained.
플라즈마 디스플레이의 구동원리를 해석하기 위하여 공간전하가 방전특성에 미치는 영향을 연구하였다. 프라이밍(priming) 방전에 의해 발생된 공간전하는 다음 방전의 방전지연시간을 단축시켜 응답속도를 빠르게 한다. 이러한 영향은 프라이밍 방전 이후 30[$\mu\textrm{s}$] 정도까지 유효하다. 이 공간전하는 프라이밍 셀 인근의 방전개시전압 을 저하시키고 바로 옆의 셀의 방전에 가장 크게 그 영향을 미친다. 그리고 방전 펄스 폭이 좁을수록 방전개시전압 강하 폭이 커지므로 공간전하에 대한 의존도가 강하다. 그러나 펄스 폭 1[$\mu\textrm{s}$] 이상에서는 공간전하에 대한 영향이 매우 미약하게 관측되었다. 그러므로 인접한 방전의 공간전하에 대해 영향을 받지 않고 안정적인 방전이 일어나기 위해서 최소한 펄스 폭이 1[$\mu\textrm{s}$] 이상 되어야 함을 알았다.
본 논문에서는 CIM(Current Injection Method)을 이용한 charge-pump방식의 plasma backlight용 고압 inverter회로를 제안한다. 고압 inverter에서 에너지 회수회로의 채용은 새로운 시도로서 에너지회수 이외에도 noise에 의한 시스템의 불안정성과 방전안정화에 기여하고 있다. charge-pump방식으로 스위치류의 내압을 저감하므로 cost면에서 매우 유리한 조건을 확립하였으며 CIM(Current Injection Method)방식의 적용으로 high speed 에너지 회수를 가능하게 하였다. 그리고 제안회로의 동작을 모드별로 해석하였으며, 실제 32" 패널에 적용하여 실험함으로써 제안한 회로의 유용성을 입증하였다.
The power consumption pattern of high-speed railway has rarely during night time. But, during service time, the power is consumed irregularly related to train operation. Especially certain unusual about 1-2 days of service time interval to indicate the power consumption is rapidly growing phenomenon, which causes the capacity of the power contract is the annual electricity bill to rise rapidly as the cause. Normally, amount of peak power consumption bill rate at railway substation is over 20% of total electrical bill. Therefore, high-speed railway substation is expected to be considerably larger savings by reducing the peak power of the default charge(demand power).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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