Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.328-328
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2008
As a low K material for high frequency high integration modules, glass/ceramic composites were investigated. Glass composition were selected from $SiO_2-B_2O_3-Al_2O_3-R_2O$-RO system which having very low dielectric constant and cordierite was used as a ceramic filler. These composites were sintered at temperature range from $850^{\circ}$ to $950^{\circ}$ and XRD, SEM microstructure analysis of sintered bodies were performed for understanding sintering behavior. Any crystallization was not occurred and dense sintered bodies were attained. Dielectric and mechanical properties of these sintered glass/cordierite composites were analysed by network analyzer and UTM. Glass/ceramic composite with 50 wt% cordierite showing a dielectric constant (${\varepsilon}_r$) of 5.4, Q${\times}f_0$ (Q) of 1600 at 1 GHz and maximum bending strength of 163 MPa was attained.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers B
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v.52
no.5
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pp.203-210
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2003
This paper describes high voltage and high energy density capacitor developed for pulsed power applications. The rated voltage of the developed capacitor is DC 22 [kV], the capacitance is 206 [$\mu$F] and the energy density is about 0.7 [kJ/kg]. Polypropylene film and kraft paper were used as the dielectrics. The ratio of the thickness of each dielectric material which consists of the composite dielectric structure, stacking factor and the termination method were determined by the charging and discharging tests on model capacitors. In terms of energy density, the developed capacitor has higher energy density compared with the products of foreign leading companies. In addition, it has been proved that the life expectancy can be more over 2000 shots through the charging and discharging test. The voltage reversal factor was 20%. This capacitor can be used as numerous discharge applications such as military, medical, industrial fields.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.207-208
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2007
Recently, high performance microelectronic devices are designed in multi-layer structure in order to make dense wiring of metal conductors in compact size. Imprint lithography have received significant attention due to an alternative technology for photolithography on such devices. In this work, we synthesized dielectric composite materials based on epoxy resin, and investigated their thermal stabilities and dynamic mechanical properties for thermal imprint lithography. In order to enhance the mechanical properties and toughness of dielectric material, various modified polyetherimide(PEI) was applied in the resin system. Curing behaviours, thermal stabilities, and dynamic mechanical properties of the dielectric materials cured with various conditions were studied using dynamic differential scanning calorimetry (DSC), thermo gravimetric analysis (TGA), and Universal Test Method (INSTRON).
The materials showing high structure dispersion with functional properties were developed on the quartz base and those were obtained by mechano-chemical reaction technology. Depending on the processing conditions and subsequent applications the materials produced by mechano-chemical reaction show concurrently magnetic, dielectric and electrical properties. The obtained magnetic-electrical powders classified by aggregate complex of their features as segnetomagnetics, containing a dielectric material as a carrying nucleus, particularly the quartz on that surface one or more layers of different compounds were synthesized having thickness up to 1050nm showing magnetic, electrical properties and others. The similarity of the structure of surface layers of quartz particles subjected to mechano-chemical processing and nano-structure cluspol (clusters in a polymer matrics) material was alsoconfirmed by the fact that the characteristics of ferromagnetic quartz of insulating nano-composite powder were changed with time, after its preparing process was completed.
This investigation deals with the process of field electron emission from composite microemitters. Tested emitters consisted of a tungsten or carbon-fiber core, coated with a dielectric material. Two coating materials were used: (1) Clark Electromedical Instruments Epoxylite resin and (2) Epidian 6 Epoxy resin (based on bisphenol A). Various properties of these emitters were measured, including the current-voltage characteristics, which are presented as Fowler-Nordheim plots, and the corresponding electron emission images. A field electron microscope with a tip (cathode) to screen (anode) distance of 10 mm was used to electrically characterize the emitters. Measurements were carried out under ultra-high vacuum conditions with a base pressure of $10^{-6}$ Pascal ($10^{-8}$ mbar).
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07a
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pp.494-498
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2002
HTS transformer experimentally. High temperature superconductors can only be applied against an engineering specification that has to be determined for each particular application form the design requirements for economic viability and for operation margins in service. High temperature superconducting(HTS) power apparatus are very promising candidates for application. Especially, these advantages make superconducting transformers very promising candidates for application in electrical power engineering and locomotives. In order to realize the HTS transformer, it is necessary to establish the high voltage insulation technique in cryogenic temperature. So far, insulation research of Pancake type HTS transformer is lacking nothing but insulation research of . solenoid type transformer consisted. Therefore, the composite insulation of double pancake coil type transformer are described and ac breakdown voltage characteristics of liquid nitrogen(LN$_2$) under HTS pancake coil electrode made by Bi-2223/Ag are studied. Breakdown in LN$_2$ is dominated electrode shape and distance. The relation between surface flashover voltage is considered for FRP. This research presented basis information of electrical insulation design for double pancake coil type HTS transformer.
The dielectric and sintering characteristics of composites made by substituting Ca ion to Ba-site and Zr ion to Ti site in $(Ba{1-x}Ca_x)(Ti{0.96-yZr_ySn_{0.04})O_3$$(0.15{\leq}x{\leq}0.20,\;0.09{\leq}y{\leq}0.14)$ were investigated. As the content of Ca was more than 15 mol%, composite was formed by precipitating the second phase whose main element was $CaTiO_3$ and the fraction of the second phase was increased. The curie temperature of composites was depended on Ca concentration, $-1.7^{\circ}C$ per mol% and the maximum dielectric constant of composite was decreased by the rate of 200/mol%. The substitution of Zr ion decreased the curie temperature by the rate of $10^{\circ}C$ per mol% and the maximum dielectric constant was decreased by 217/mol% due to the increase of diffuse phase transition. The density and insulation breakdown characteristics were improved by suppressing the abnormal grain growth due to the increase of second phase. We developed the composition of Y5U (EIA standard) condenser which had high breakdown voltage and dielectric constant by controlling diffuse phase transition by the addition of Zr ion into composite.
Unreported dielectrics based on the binary system of MgO-SiO$_2$ were investigated as potential candidates for microwave dielectric applications, particularly those demanding a high fired density and high quality factors. Extensive dielectric compositions having different molar ratios of MgO to SiO$_2$, such as 2:1, 3:1, 4:1, and 5:1, were prepared by conventional solid state reactions between MgO and SiO$_2$. 1 mol% of V$_2$O$_5$ was added to aid sintering for improved densification. The dielectric compositions were found to consist of two distinguishable phases of Mg$_2$SiO$_4$ and MgO beyond the 2:1 compositional ratio, which determined the final physical and dielectric properties of the corresponding composite samples. The increase of the ratio of MgO to SiO$_2$ tended to improve fired density and quality factor (Q) without increasing grain size. As a promising composition, the 5MgO.SiO$_2$ sample sintered at 1400 $^{\circ}C$ exhibited a low dielectric constant of 7.9 and a high Q $\times$ f (frequency) value of $\sim$99,600 at 13.7 GHz.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE
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v.37
no.2
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pp.91-95
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2000
A new damping composite materials with asphalt and EM absorber are studied for high advantage values. The composite Ni-Zn ferrite and dielectric PZT with a main material is well developed of EM absorbing, and is continuous maintained of origin character, damping absorbing. Experiments and calculation results are shown to act two points frequencies at 928MHz and from 2MHz to 4GHz below -l0dB The narrow band widths of ferrite change to broad band as insert of dielectric material, PZT good of EM wave absorbtion and broad band widths in multi layers with ferrite These are applied to develop of new material at new need frequencies.
Conductive and dielectric SiC are fabricated using electroless plating of Ni-Fe films on SiC chopped fibers to obtain lightweight and high-strength microwave absorbers. The electroless plating of Ni-Fe films is achieved using a two-step process of surface sensitizing and metal plating. The complex permeability and permittivity are measured for the composite specimens with the metalized SiC chopped fibers dispersed in a silicone rubber matrix. The original non-coated SiC fibers exhibit considerable dielectric losses. The complex permeability spectrum does not change significantly with the Ni-Fe coating. Moreover, dielectric constant is sensitively increased with Ni-Fe coating, owing to the increase of the space charge polarization. The improvements in absorption capability (lower reflection loss and small matching thickness) are evident with Ni-Fe coating on SiC fibers. For the composite SiC fibers coated with Ni-Fe thin films, a -35 dB reflection loss is predicted at 7.6 GHz with a matching thickness of 4 mm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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