• 제목/요약/키워드: Hall 효과

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Hall효과를 이용한 InSb가 자기 Sensor에 관한 연구 (A Study on InSb Magnetic Sensor using Hall Effect)

  • 전춘생
    • 한국재료학회지
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    • 제4권1호
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    • pp.113-116
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    • 1994
  • 이 논문은 glass기판에 Insb를 진공증착시킨 Insb박막 자기 sensor에 대하여 연구한 것으로 Hall 효과를 이용하여 자계 및 온도에 대한 Hall전압의 의존성을 조사하엿다. 일정전류구동에서 자계데 대한 Hall전압의 변화는 거의 직선적이었으나 정전압구동에서는 직선성에서 벗어나는 것을 보였다. 주위 온도가 증가함에 따라 Hall 전압이 감소하였으며 InSb 증착막을 자기 sensor로 사용하는 경우, 온도 특성을 고려할 필요가 있다.

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고온초전도체 $Y_{1}Ba_{2}Cu_{3}O_{7-\delta}$ 박막의 Hall 효과 (Hall Effect of High $T_{c}$ superconductor $Y_{1}Ba_{2}Cu_{3}O_{7-\delta}$ Thin Film)

  • 허재호;류제천;김형국;김장환
    • 한국자기학회지
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    • 제4권1호
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    • pp.44-47
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    • 1994
  • Laser ablation법으로 c-축 배향되도록 만든 Y/sub 1/Ba/sub 2/Cu/sub 3/O/sub 7- .delta. / 박막으로 임계온도 근처에서 운반자들의 정보를 얻기위하여 Hall 효과를 연구하였다. 자기비저항은 Nernst 효과 때문에 자기장이 증가할 수록 offset 점의 온도가 낮았고, 자기비저항으로 부터 열자기적 효과를 고 려하여 계산한 Hall 비저항값과 실제 van der Pauw 법으로 측정한 Hall 비저항값을 비교해 본 결과 비교적 잘 일치하였다.

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웨딩홀 레스토랑의 서비스 품질과 고객만족, 그리고 추천의도 간의 관계연구 - 웨딩홀 및 호텔 이미지의 조절효과를 중심으로 - (A Study on the Relationship among Service Quality and Customer Satisfaction of Wedding Hall Restaurants, and Recommendation Intention - Focusing on the Moderating Effect of Wedding Hall and Hotel Image -)

  • 김영균
    • 한국조리학회지
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    • 제22권5호
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    • pp.252-266
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    • 2016
  • 본 연구는 예삭장과 호텔의 홍보와 광고 효과를 높이기 위해 예식장과 호텔 서비스 접점이 가장 많은 예식장 식당 하객을 대상으로 예식장 식당 서비스 품질과 예식장 식당 고객만족, 그리고 추천의도 간의 관계, 또 이 인과관계에서 예식장 호텔 이미지의 조절효과에 대해 검증하였다. 이를 위해 서울에 소재하는 예식장과 호텔 10곳을 선정하여 예식장 식당을 이용하는 하객 332명을 대상으로 실증분석을 하였다. 본 연구의 결과는 다음과 같다. 첫째, 예식장 식당 서비스 품질 중 종업원, 시설 및 환경, 그리고 편리성 서비스 품질은 예식장 식당 고객만족에 유의적인 정(+)의 영향력이 있었다. 둘째, 예식장 호텔 이미지는 음식과 종업원 서비스 품질과 예식장 식당 고객만족 간에 부(-)의 조절효과가 있는 반면, 시설 및 환경 서비스 품질과 예식장 식당 고객만족 간에 정(+)의 조절효과가 있었다. 셋째, 예식장 식당 고객만족은 추천의도에 유의적인 정(+)의 조절효과가 있었다. 넷째, 예식장 호텔 이미지는 예식장 식당 고객만족과 추천의도 간에 유의적인 부(-)의 조절효과가 있었다.

극미세 교류 플라즈마 내에서의 홀 효과를 이용한 마이크로 자기센서 (A Magnetic Microsensor based on the Hall Effect in an AC Microplasma)

  • 서영호;한기호;조영호
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제27권8호
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    • pp.1266-1272
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    • 2003
  • This paper presents a new class of magnetic microsensors based on the Hall effect in AC microplasma. In the theoretical study, we develop a simple model of the plasma Hall sensor and express the plasma Hall voltage as a function of magnetic field, plasma discharge field, pressure, and electrode geometry. On this basis, we have designed and fabricated magnetic microsensors using AC neon plasma. In the experiment, we have measured the Hall voltage output of the plasma microsensors for varying five different conditions, including the frequency and the magnitude of magnetic field, the frequency and the magnitude of plasma discharge voltage, and the neon pressure. The fabricated magnetic microsensors show a magnetic field sensitivity of 8.87${\pm}$0.18㎷/G with 4.48% nonlinearity.

Permalloy/Cu 다층막 자화반전의 미세 구조 (Fine Structure in Magnetization Reversal of Permalloy/Cu Multilayer)

  • 이긍원;염민수;장인우;변상진;이제형;박병기
    • 한국자기학회지
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    • 제11권5호
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    • pp.179-183
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    • 2001
  • Glass/Ni$_{83}$Fe$_{17}$(2 nm)/[Cu(2 nm)Ni$_{83}$Fe$_{17}$(20 nm)]$_{50}$ 다층박막의 평면 홀 효과를 측정하였다. 평면 홀 효과에서 반복된 톱니모양의 홀 효과 신호가 관측되었다. 그 원인으로 갑작스러운 자벽의 이동이 홀 효과로 관측된 것이라는 가설을 세울 수 있다. 이러한 톱니모양의 평면 홀 효과는 모든 측정방향에서 관측되었다. 각 자성층의 전체 자화만이 자기저항을 결정하므로 자기저항의 특성곡선에서는 이러한 톱니모양에 해당하는 신호가 관측되지 않았다. 톱니모양의 근본 원인에 대한 연구는 더욱 수행되어야할 것이다.것이다.

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다충구조 InSb 홀소자의 제작과 특성 (Magnetic Characteristics of an InSb Hall Device of Multilayerd Structure)

  • 이우선;김상용;서용진;박진성;김창일
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제13권8호
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    • pp.681-687
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    • 2000
  • Magnetic Characteristics of an InSb hall device of multilayered structures were investigated. For the measurement of electrical properties of the hall device InSb thin films fabricated with series and parallel multilayers wee evaporated. Hall coefficient hall mobility carrier density and hall voltage were measured as a function of the intensity of magnetic field. We found that the XRD analysis of InSb thin film showed good properties at 20$0^{\circ}C$ 60 minutes. Resistance of ohmic contact was increased linearly due to increasing current. Hall voltages at 0.01 T showed 5$\times$10$^{-4}$ [V] and $1.5\times$10$^{-3}$ [V]. Some of device fabrication technique and analysis of magnetic characteristics were discussed.

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InSb 박막의 홀효과 특성 (Hall Effect Characteristics of InSb Thin Film)

  • 이우선;조준호;최권우;정용호;김상용
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 전자세라믹스 센서 및 박막재료 반도체재료 일렉트렛트 및 응용기술
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    • pp.6-9
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    • 2000
  • InSb hall effect of multilayerd structures were investigated. According to variation of magnetic field measured hall coefficient, Hall mobility, carrier density and hall voltage. For the measurement of electrical properties of hall device, evaperated InSb thin film fabricated with series and parallel multilayers. We found that the XRD analysis of InSb thin film showed good properties at $200^{\circ}C$, 60 minutes. Resistance of ohmic contact increased linearly due to increasing current. Some of device fabrication technique and analysis of Hall effect were discussed.

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자기베어링 시스템에서의 변위측정을 위한 홀 효과 센서의 기초 연구 (A Basic Study of Displacement Measurement of Magnetic Bearing System Using Hall Effect Sensor)

  • 양주호;정광교;정황훈;손수강
    • 동력기계공학회지
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    • 제11권2호
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    • pp.72-76
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    • 2007
  • Since the magnetic bearing system has unstability inherently it is necessary to measure the displacement for stable operation. Normally the displacement measurement is implemented by using sensors. The sensor for the displacement measurement is selected by precision, installation space, effect of magnetic field and response speed. And the cost of displacement measurement sensor also is considered. At the cost the hall effect sensor has a large advantage comparing with the others. Therefore this study concern about the basis experimental test for the displacement measurement of the magnetic bearing system that uses the hall effect sensor coupled with a tiny permanent magnet. The experimental results confirm the validity and practicability for this displacement measurement sensor.

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Erbium 도핑된 p-GaSe 단결성의 홀 효과 특성 (Hall-effect Properties of Single Crystal Semiconductor p-GaSe Dopes with $Er^{3+}$)

  • 이우선;김남오;손경춘
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제13권1호
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    • pp.1-5
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    • 2000
  • Optical and electrical properties of GaSe:Er\ulcorner single crystals grown by the Bridgenman technique have been investigated by using optical absorption and h\Hall-effect measurement system. The Hall coefficients were mea-sured by using a high impedance electrometer in the temperature range from 360K to 150K. The temperature dependence of hole concentration show the characteristic of a partially compensated p-type semiconductor. Carrier density(N\ulcorner) of GaSe doped with Erbium was measured about 3.25$\times$10\ulcorner [cm\ulcorner] at temperature 300K, which was higher than undoped specimen. Photon energy gap (E\ulcorner) of GaSe:Er\ulcorner specimen was measured about 1.79eV.

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