In this paper, the radar antenna of navigation radar on helicopter was suggested to Ka-band lens antenna. It is type of the streamlined convex lens to reduce the air resistivity when helicopter was navigated. Although aperture area is smaller than the standard antenna just like horns, the gain is higher and beamwidth is smaller than standard horns. We made the lens by using maximum flare angle of the horn and dielectric constant of the lens. As a result, when aperture diameter was 280mm and focal length was 145mm, the return loss -21.25dB, the gain was 32.2dBi, E and H beamwidth was $1.8^{\circ}$(E-plane), $1.4^{\circ}$(H-plane), nearly $1.5^{\circ}$, and side-lobe level was -18.4 dB(E-plane), -19.5dB(H-plane) lower were presented. So this suggested type can be used for the radar antenna of navigation radar on helicopter, and it will possible just a little some sidelobe suppression by using the choked horn as a feeder horn.
본 논문에서는 IEEE 802.11a를 대역을 포함하는 고이득, 광대역 마이크로 스트립 안테나를 설계 및 제작하였다. 마이크로스트립 안테나의 대역폭을 넓히기 위해, 첫째 마이크로스트립 라인-동축 프로브 급전 방법을 사용하였고, 직사각형 패치에 U-Slot을 삽입하였다. 다음으로 안테나의 이득을 향상시키기 위해 $2{\times}2$ 배열 구조를 이용하였다. 측정 결과 입력 반사 손실 VSWR 2:1인 범위가 약 1 GHz($5.110{\sim}6.142$ GHz)의 광대역 특성을 나타내었으며, 측정 이득은 E-plane과 H-plane의 5.15 GHz, 5.35 GHz, 5.50 GHz 그리고 5.85 GHz 모두에서 13 dBi 이상 특성을 나타내었다.
Die-upset magnets from a mechanically-milled Pr(Co,In)$_5$-type alloy are known to have a peculiar texture; the easy magnetization axis (c-axis) is perpendicular to the pressing direction. This peculiar texture is thought to be linked closely to the anisotropic mechanical properties of Pr(Co,In)$_5$-type hexagonal compounds. The hardness of the Pr(Co,In)$_5$-type crystal was measured using selectively grown grains in an annealed $Pr_{17}Co_{82}In_1$ alloy button, and the crystallographic orientation was determined by observing the magnetic domain image. The hardness (549 VHN) on the plane with a 'cogwheel'-type domain image was significantly higher than that (510 VHN) on the plane with a 'cigar'-type domain image, indicating that the inter-layer bonding force between the (000l) basal planes is stronger than that between the (hki0) planes. This suggests that the most probable slip plane is the (hki0) plane parallel to the c-axis. During die-upsetting of the Pr(Co,In)$_5$-type alloys the deformation proceeds by (hki0) plane slip, and the c-axis rotates to ultimately become oriented perpendicular to the pressing direction. It is proposed that the peculiar texture in the die-upset Pr(Co,In)$_5$-type magnets is probably developed by slip deformation of the (hki0) plane of the Pr(Co,In)$_5$-type grains.
ZnO thin films were deposited on a-, c- and m- plane oriented 4H-SiC substrates by pulsed laser deposition. ZnO nanowires were formed on substrates by tube furnace. Shape and density of the ZnO nanowires were investigated by field emission scanning electron microscope. Average surface roughness and root mean square surface roughness were measure by atomic force microscope. Optical properties were investigated by Photoluminescence measurement. Density of ZnO nanowires grown on a-, c- and m-plane oriented 4H-SiC substrates were 17.89 ${\mu}m^{-2}$, 9.98 ${\mu}m^{-2}$ and 2.61 ${\mu}m^{-2}$, respectively.
본 논문에서는 이중모드 공동 공진기로 구성된 송.수신 필터와 H-면 T-junction를 이용하여 Ku-band용 소형 듀플렉서를 설계.제작하였다. 듀플렉서는 송신 12.5GHz와 수신 14.5GHz에서 대역폭 100MHz를 갖도록 설계하였다. 설계.제작된 듀플렉서는 송신(TX) 및 수신(RX)필터를 이중모드 필터로 구성하여 공동 공진기 필터 구조를 갖는 기존의 듀플렉서에 비해서 크기를 약 40%이상 감소시키는 결과를 얻을 수 있었다. 듀플렉서의 동작특성은 H-면 T-junction부와 필터간의 정합시 각 필터의 특성이 왜곡되지 않도록 컴퓨터 시뮬레이션하였다. 이러한 결과 필터 자체의 특성과 듀플렉서 연결 후 특성은 거의 일치하는 결과를 얻을 수 있었다.
본 논문에서는 최근 5G 통신기술의 발전으로 인해 LTE와 5G 대역을 모두 커버할 수 있는 안테나가 필요로 하고 있으며, 각 대역에서 공진 주파수 대비 10%이상의 대역폭을 만족하기 위해 통합공공망(LTE)과 5G 주파수 이중대역 커버용 단일 급전 안테나를 설계, 제작하였다. 기본형 다이폴 안테나의 방사소자를 평면형 구조를 채택하였으며, 설계된 안테나는 700 MHz 안테나의 경우 동축케이블 급전 및 balun을 형성시켜 설계되었으며, 3.5GHz의 경우는 700 MHz 방사소자 급전부로부터 각각 수직 연장 후 'ㄷ'자 모양으로 접은 형태로 balun이 필요 없고 700 MHz 대역의 방사소자가 3.5 GHz 대역 방사소자의 반사판 역할을 하도록 설계하였다. 이로써, 700MHz 대역 -10 dB 대역폭 104 MHz(14.8%)과 3.5GHz 대역 -10 dB 대역폭 660 MHz(18.8%)을 나타내었고, 방사패턴 특성으로 700 MHz대역에서는 이득 8.46 dBi, 빔폭 E-plane 55°, H-plane 81°와 3.5 GHz 대역에서는 이득 6.14 dBi, 빔폭 E-plane 79°, H-plane 49°를 각각 얻었다.
본 논문에서는 혼합소스(mixed-source) HVPE(hydride vapor phase epitaxy)방법으로 선택성장(SAC: selective area growth) GaN/AlGaN 이종접합구조의 발광다이오드를 r-plane 사파이어 기판 위에 제작하였다. SAG-GaN/AlGaN DH(double heterostructure)는 고온 GaN 버퍼층, Te 도핑된 AlGaN n-클래딩층. Gan 활성층. Mg 도핑된 AlGaN p-클래딩층. Mg 도핑된 GaN p-캡층으로 구성되어있다. GaN/AlGaN 이종접합구조의 발광다이오드의 특성을 알아보기 위해 SEM을 통한 구조적 분석과 전류-전압 측정(I-V: current-voltage measurement), 전류-광출력(EL: electroluminescence) 측정을 통하여 전기적, 광학적 특성을 평가하였다.
본 연구에서는 Density functional theory(DFT) 계산을 이용하여, $MoS_2$의 Mo와 S를 다른 원자로 치환 했을 때 $2H-MoS_2$ monolayer의 basal plane에서 HER활성을 향상시켰다. 특히 Ge와 Rh를 치환한 경우, ${\Delta}G_H$가 각각 0.03eV, 0,07eV로 최적에 가까운 HER활성이 나타났다. 다른 원자의 치환이 Fermi level 근처의 DOS(density of states)를 높여, ${\Delta}G_H$을 0에 가깝게 낮출 수 있음을 확인하였다. 또한 치환되는 원자의 농도, 그리고 strain을 변화시켜 농도와 strain의 증가에 따른 ${\Delta}G_H$ 감소를 발견했다. 이로써 각치환되는 원자마다, 치환 농도와 strain을 함께 변화시켜 ${\Delta}G_H$을 낮출 수 있었다. ${\Delta}G_H$가 0에 가까운(${\pm}{\pm}0.2eV$ 이내) 원자종류, 치환 농도, strain의 여러 조합을 찾았다.
본 논문에서는 스트립 폭과 격자주기, 유전체 층의 비유전율과 두께, 그리고 transverse electric (TE) 평면파의 입사각에 따른 접지된 유전체 평면위의 스트립 양끝에서 0 저항율을 갖는 저항띠 격자구조에 의한 H-분극산란 문제를 Fourier-Galerkin Moment Method (FGMM)를 이용하여 해석하였다. 저항띠의 변하는 저항율은 저항띠의 양끝에서 0으로 변하는 경우를 취급하였고, 이때 저항띠 위에서 유도되는 전류밀도는 직교다항식의 일종인 2종 Chebyshev 다항식의 급수로 전개하였다. 반사전력의 급변점들은 공진효과에 기인한 것으로 과거에 wood's anomallies라고 불리워지며, 반사전력에 대한 수치결과들은 기존 논문의 균일 저항율의 수치 결과들과 비교하였다.
본 논문에서는 스트립 폭과 격자주기, 유전체 층의 비유전율과 두께, 그리고 TE(transverse electric) 평면파의 입사각에 따른 접지된 유전체 평면위의 변하는 저항율을 갖는 저항띠 격자구조에 의한 H-분극 전자파 산란문제를 FGMM(Fourier-Galerkin Moment Method)를 이용하여 해석하였다. 저항띠의 변하는 저항율은 한쪽 모서리에서는 유한하고 다른쪽 모서리에서 0 저항율을 가지며, 이때 저항띠 위에서 유도되는 표면 전류밀도는 직교다항식의 일종인 차수가 ${\alpha}=1$, ${\beta}=0$인 Jacobi 다항식의 급수로 전개하였다. 정규화된 반사전력의 수치결과는 기존의 수치결과와 매우 일치하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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