• Electronic Materials Letters
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• 제14권6호
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• pp.784-792
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• 2018

In this letter, a standard deviation based optimization technique has been applied on High Resolution X-ray Diffraction symmetric and asymmetric scan results to accurately determine the Aluminum molar fraction and lattice relaxation of Molecular Beam Epitaxy grown compositionally graded Aluminum Gallium Nitride (AlGaN)/Aluminum Nitride/Gallium Nitride (GaN) heterostructures. Mathews-Blakeslee critical thickness model has been applied in an alternative way to determine the partially relaxed AlGaN epilayer thicknesses. The coupling coefficient determination has been presented in a different perspective involving sample tilt method by off set between the asymmetric planes of GaN and AlGaN. Sample tilt is further increased to determine mosaic tilt ranging between $0.01^{\circ}$ and $0.1^{\circ}$.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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• pp.56-59
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• 2000

$CdGaInS_4$ and $CdGaInS_4:Er^{3+}$ single crystals crystallized in the rhombohedral(hexagonal) structure. with lattice constants $a=3.913{\AA},\;c=37.245{\AA}$ for $CdGaInS_4$, and $a=3.899{\AA}$ and $c=36.970{\AA}$ for $CdGaInS_4:Er^{3+}$. The optical absorption measured near the fundamental band edge showed that the optical energy band structure of these compounds had a direct and indirect band gap. the direct and indirect energy gaps are found to be 2.771 and 2.503 eV for $CdGaInS_4$, and 2.665 and 2.479 eV for $CdGaInS_4:Er^{3+}$ at 10 K. The temperature dependence of the optical energy gap was well represented by the Varshni equation. In $CdGaInS_4$, the values of ${\alpha},\;{\beta}$ of the direct and the indirect energy gap were found to be $7.57{\times}10^{-4}eV/K$. $6.53{\times}10^{-4}eV/K$ and 240K. 197K. and the values of ${\alpha}$ and ${\beta}$ of the direct and the indirect energy gap in the $CdGaInS_4:Er^{3+}$ were given by $8.28{\times}10^{-4}eV/K,\;2.08{\times}10^{-4}eV/K$ and 425 K, 283 K, respectively.

• 전자통신동향분석
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• 제29권6호
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• pp.1-13
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• 2014

GaN(Gallium Nitride)는 3.4eV의 넓은 에너지 갭으로 인하여 고전압에서 동작이 가능하고, 분극전하를 이용한 캐리어 농도가 높아 높은 전류밀도와 전력밀도를 얻을 수 있으며, 높은 전자 이동도와 포화 속도로부터 고속 동작이 가능하여 고주파 고출력 고효율 소형의 전력증폭기 소자의 재료로 적합하다. 본고에서는 민수 및 군수 겸용 Ku-대역 및 Ka-대역 GaN 고출력 전력증폭기(SSPA: Solid-State Power Amplifier)와 관련된 GaN 전력증폭 소자, GaN 전력증폭기 MMIC(Microwave Monolithic Integrated Circuit), 내부정합 패키지형 GaN 전력증폭기 및 GaN SSPA에 대하여, 국내외 특허 기술동향과 연구개발 기술동향을 중심으로 고찰하고자 한다. 국외의 GaN 고주파 고출력 전력증폭기 기술의 연구동향이나 특허동향을 심층분석하여 연구개발에 활용하고자 한다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제24권5호
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• pp.794-803
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• 1987

In this paper, the SPICE 2.G6 JFET subroutine and other related subroutines are modified for circuit simulation of GaAs MESFET IC's. The hyperbolic tangent model is used for the drain current-voltage characteristics of GaAs MESFET's and derived channel-conductance and drain-conductance model from the above current model are implemented into small-signal model of GaAs MESFET's. And, device capacitance model which consider after-pinch-off state are modified, and device charge model for SPICE 2G.6 are proposed. The result of modification is shown to be suitable for GaAs circuit simulator, showing good agreement with experimetal results. Forthermore the DC convergence of this paper is better than that of SPICE 2.G JFET subroutine. GaAs MESFET model in this paper is applied for both depletion mode GaAs MESFET and enhancement-mode GaAs MESFET without difficulty.

• 한국균학회지
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• 제32권1호
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• pp.16-22
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• 2004

Gibberellins(GAs)는 식물의 성장과 발전에 있어서 중요하게 작용한다고 알려져 있다. 따라서 본 연구에서는 농업과 원예분야에 매우 중요한 새로운 GAs 생성미생물을 탐색하고자 실험을 수행하였다. 생강나무(Lindera obtusiloba)와 산앵두나무(Vaccinium koreanum)의 뿌리에 존재하는 사상균을 분리하여 GAs 생산 활성을 측정하였으며, 비색법으로 GA 생산량을 분석하였을 때 이들 중에서 GAs 생산량이 가장 많은 것으로 확인된 두 균주에 대하여 여러 GAs 중에서 식물생장촉진 활성이 높다고 알려진 $GA_{1},\;GA_{3},\;GA_{4}$와 $GA_{7},\;GA_{53}$에 대하여 생산정도를 분석하고, 동정을 수행하였으며, Waito-c(난장이 볍씨)에서 Bioassay를 수행하였다. 생강나무에서는 6종의 균주, 산앵두나무에서는 4종류의 GAs 생산균을 분리하였고, 분리된 균중 GAs를 가장 많이 생산하는 균주들에 대하여 동정한 결과, 생강나무에서 분리한 C03 균주는 P. urticae KNUC03으로 동정되었으며, 산앵두나무에서 분리한 E03 균주는 P. griseofulvum KNUE03으로 동정되었다. 생합성된 GAs를 분석한 결과 P. urticae KNUC03 균주는 배양액 25 ml 중에 $GA_1\;7.08\;ng,\;GA_3\;30.80\;ng,\;GA_{4}\;1.27\;ng,\;GA_{7}\;0.88\;ng$ 및 $GA_{53}\;0.13\;ng$을 생산하였고 P. griseofulvum KNUE03은 $GA_1\;9.79\;ng,\;GA_3\;133.58\;ng,\;GA_4\;2.64\;ng,\;GA_7\;7.80\;ng$ 및 $GA_{53}\;0.73\;ng$을 생산하는 것이 확인되었다. 두 균주 중에서 P. griseofulvum KNUE03이 GAs를 더 많이 생산함을 알 수 있었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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• pp.1015-1019
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• 2002

The deposition of $SrGa_2S_4$ thin film phosphors doped with Ce or Eu aiming at application for FEDs has been carried out by a multi-source deposition technique. A $SrGa_2S_4$ phase was formed by annealing process and $SrGa_2S_4$ thin films which were deposited using a $Ga_2S_3/Sr$ flux ratio larger than 50 and annealed in $H_2$S showed luminance and luminous efficiency of about 1700 cd/$m^2$ and 2.95 lm/W, respectively, with (0.13, 0.10) chromaticity in the activation with Ce, and about 4000 cd/$m^2$ and 7.05 lm/W, respectively, with (0.36, 0.60) under excitation with 3 kV and 60A/$cm^2$. The results obtained this experiment demonstrate the potential of $SrGa_2S_4$ thin film phosphors for FED screens.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제5회(2016년)
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• pp.308-312
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• 2016

2차원 화합물 반도체인 GaS single tetralayer에 존재하는 vacancy defect의 원자구조 및 전자구조 특성을 제일원리계산을 이용하여 연구하였다. 고립된 Ga과 S vacancy를 모델링하기 위해, GaS $4{\times}4$ supercell을 이용하였고 각 vacancy에 대해 symmetry-preserving 구조와 broken symmetry 구조들의 에너지를 계산하여 가장 안정한 결함 원자 구조를 결정하였다. Ga-rich, S-rich condition에서의 formation energy 계산을 통해 vacancy 구조의 생성 가능성을 예측하였다. 안정한 vacancy 구조들에 대해 projected density of states (PDOS)를 clean GaS의 PDOS와 비교 분석함으로써 vacancy에 의한 defect states들을 찾고, 결과적으로 나타나는 전자구조 특성의 변화를 규명하였다.

• 한국결정학회지
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• 제8권2호
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• pp.81-88
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• 1997

GaN와 $NH_3$를 source gas로 사용하여 (0001) sapphire 기판에 CVPE(Chloride Vapor Epitaxy)방법으로 GaN 박막을 성장시킨후 그 특성을 조사하였다. 성장온도 $970^{\circ}C$ 부터 $1040^{\circ}C$ 영역에서 source gas의 유량비를 변화하면서 최적증착조건을 구현하였고, GaN증착이전에 $NH_3$ 가스로써 질화전처리를 하였다. 수행된 실험조건범위내에서 최적증착조건은 증착온도 $1040^{\circ}C$에서 질화전 처리 3분으로 III/V source gas의 유량비율이 2일 때 였으며, 이때의 XRD분석에서의 FWHM값은(0001) peak에서 약 0.32deg를 나타내었다. GaN박막성장속도는 이때 약 $1040^{\circ}C$였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제19권1호
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• pp.6-10
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• 2009

본 논문에서는 혼합소스(mixed-source) HVPE(hydride vapor phase epitaxy)방법으로 선택성장(SAC: selective area growth) GaN/AlGaN 이종접합구조의 발광다이오드를 r-plane 사파이어 기판 위에 제작하였다. SAG-GaN/AlGaN DH(double heterostructure)는 고온 GaN 버퍼층, Te 도핑된 AlGaN n-클래딩층. Gan 활성층. Mg 도핑된 AlGaN p-클래딩층. Mg 도핑된 GaN p-캡층으로 구성되어있다. GaN/AlGaN 이종접합구조의 발광다이오드의 특성을 알아보기 위해 SEM을 통한 구조적 분석과 전류-전압 측정(I-V: current-voltage measurement), 전류-광출력(EL: electroluminescence) 측정을 통하여 전기적, 광학적 특성을 평가하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.217-220
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• 2001

Modified Materka-Kacprzak 대신호 MODFET(modulation-doped field-effect transistor) model을 사용하여 GaN(gallium nitride) MODFET 대신호 모델링을 수행하였다. Dambrine(3)이 제안한 방법에 따라 45㎒에서 40㎒의 주파수 범위에 걸쳐 S-parameter 및 DC특성을 측정하였으며, 측정결과를 토대로 cold FET 방법［4］에 의해 측정된 기생성분들을 de-embedding 함으로써 소신호 파라미터를 추출하였고, 추출된 소신호 파라미터는 함수를 사용하여 측정결과를 재현하는 맞춤함수 모델의 일종인 modified Materka 모델을 사용하여 모델링하였다. 수행된 대신호 모델링을 검증하기 위하여 모델링된 GaN MODFET의 DC 및 S-파라미터, 전력특성을 측정값과 각각 비교해 보았을 때 비교적 일치하고 있음을 보여서 GaN 대신호 모델링을 검증하였으며, modified Materka 모델이 GaN MODFET 대신호 모델링에 유용하게 사용될 수 있음을 보였다.