Proceeding of EDISON Challenge (EDISON SW 활용 경진대회 논문집)
- 2016.03a
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- Pages.308-312
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- 2016
Structural and Electronic Properties of Vacancy Defects in GaS Single Tetralayer
Abstract
2차원 화합물 반도체인 GaS single tetralayer에 존재하는 vacancy defect의 원자구조 및 전자구조 특성을 제일원리계산을 이용하여 연구하였다. 고립된 Ga과 S vacancy를 모델링하기 위해, GaS
Keywords