• 한국통신학회논문지
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• 제14권2호
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• pp.146-154
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• 1989

비대칭2선 마이크로스트립선으로 구성된 DC블록(비대칭 DC블록)을 GaAs FET의 입력과 출력측에 사용하여 임피던스 정합을 시키는 새로운 증폭기 설계방법을 제시하였다. 중심파수 4(GHz)에 대하여 대칭이 되는 주파수특성을 얻을 수 있었다. 비대칭 DC블록은 \ulcorner케패시터의 DC블록의 역할뿐만 아니라 임피던스 정합도 할 수 있다는 큰 장점으로 MC 및 MMIC 용으로 사용 가능하다.

• 한국통신학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.101-107
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• 1986

Packaged GaAs FET를 利用한 12GHz帶 마이크로波 低雜音增幅器를 設計, 製作하였다. 實驗結果 使用周波數帶域에서 雜音指數 2.3dB 以下, 電力利得 15~18.2dB, 入.出力側 VSWR 약 2.5의 것을 얻었다. 中心周波數 帶域이 약간 높은 쪽으로 shift 되어 있고 VSWR가 약간 높게 되어 있으나 이것은 앞으로 마이크로스트 線의 길이와 補償, 修訂등으로 改善될 수 있을 것으로 생각된다.로 생각된다.

• 한국통신학회:학술대회논문집
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• 한국통신학회 1985년도 추계학술발표회 논문집
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• pp.153-156
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• 1985

• 한국통신학회논문지
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• 제19권5호
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• pp.920-927
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• 1994

본 논문에서는 소형, 저가격으로 데이터와 음성 신호의 양방향 전송을 위한 VSAT용 14.0~14.5GHz3Watt SSPA의 설계와 실험결과를 기술하였다. 설계된 SSPA는 VSAT에서 요구되는 성능을 만족시키기 위하여 저잡음 GaAs FET를 이용한 두단의 저잡음 증폭기, 중전력 GaAs FET를 이용한 두단의 중전력 증폭기, \ulcorner시 고출력 증폭을 위하여 내부 정합된 전력 GaAs FET와 3dB branch line coupler를 이용한 balanced 증폭기를 포함하는 삼단 전력증폭기로 구성 하였다. 제작된 SSpA의 특성으로 소신호 전력이득 42dB, 잡음지수 7dB, 1dB 이득 억압점에서 출력 신호 35dBm. 그리고 입출력 VSWR로 2.0 그리고 1.5를 측정할 수 있었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.9-11
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• 2000

To increase the device linearities and the breakdown-voltages of FETs, Al$\sub$0.25/ Ga$\sub$0.75/AS / In$\sub$0.25/Ga$\sub$0.75/As / Partially doped channel FET(DCFET) structures are proposed. The metal- insulator -semiconductor (MIS) like structures show the high gate-drain breakdown voltage(-20 V) and high linearities. The devices showed the small ripple of the current cut-off frequency and the power cut-off frequency over the wide bias range.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제16권2호
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• pp.49-54
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• 2017

In this paper, recent researches on new and renewable energy have been conducted due to problems such as energy exhaustion and environmental pollution, and new researches on high efficiency and high speed switching are needed. Therefore, we compared the efficiency by using high speed switching devices instead of IGBT which can't be used in high speed switching. The experiment was performed theoretically by applying the same parameters of the high speed switching devices which are the Cool MOS of Infineon Co., SiC C3M of Cree, and GaN FET device of Transform, by implementing the DC-DC boost converter and measuring the actual efficiency for output power and frequency. As a result, the GaN FET showed good efficiency at all switching frequency and output power.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.2300-2302
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• 2005

Metal-Semiconductor-Metal type photodetector was fabricated with AlGaAs/InGaAs Quantum Well FET structures using simplified processing steps. The DC and RF responses were measured by 850nm wavelength injection laser. A DC responsivity in the quasisaturated regime was 0.45 A/W in CW measurements, and a bandwidth measured using a 850nm 40 ps pulsed laser was 16GHz. An electrical equivalent circuit model was extracted from measured S-parameter.

• 한국통신학회논문지
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• 제12권1호
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• pp.19-26
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• 1987

Potentially unstable한 GaAs FET를 사용하여 3~4GHz에서 평탄한 이득특성을 갖는 광대역 초고주파 증폭기를 설계하였다. 입력정합회로는 유용전력이득이 14dB인 원을 사용하여 안정한 영역에 존재하도록 설계하였다. 출력정합회로는 최대전력이 전달되고 또한 안정한 영역에 존재하도록 Fano의 대역통과 정합이론을 사용하여 설계하였다. 전송 전력이득 및 $S_11$과 $S_22$의 실험치는 이론치와 거의 유사한 특성을 나타내었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권1호
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• pp.83-88
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• 2002

HFET 소자의 선형성과 게이트-트레인 항복특성을 향상시키기 위해 부분채널 도핑된 Al/sub 0.25/Ga/sub 0.75/As/In/sub 0.25/Ga/sub 0.75/As/Al/sub 0.25/Ga/sub 0.75/As 이종접합 구조를 갖는 FET를 제안하였다. 제안된 HFET는 게이트 전극 아래로 도핑되지 않은 AlGaAs 진성공급층을 두어 -2OV 의 높은 항복전압을 얻었다. 또한 소자의 InGaAs 채널에 부분 도핑을 실시하여, 균일 채널 도핑을 실시한 경우보다 향상된 선형성을 유도하였고, 2차원 전산모사 견과와 제작 및 측정결과를 통해 선형성의 향상을 확인하였다. 본 실험에서 제안된 HFET소자는 DC측정 결과와 고주파측정 결과 모두에서 기존의 FET소자들에 비해 향상된 선형성을 나타내었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제19권4호
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• pp.484-491
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• 2008

본 논문에서는 LDMOS FET를 이용하여 스위칭 방식의 L-대역 고속 펄스 고전력 증폭기를 설계하고 제작하였다. 이를 위해 LDMOS FET의 드레인 전원을 스위칭하기 위한 고전압 스위칭 회로를 제안하였다. LDMOS FET를 이용한 펄스 고전력 증폭기는 단일 전원을 사용하고, 소자 특성상 이득과 출력이 높기 때문에 기존의 GaAs FET를 사용한 증폭기에 비해 구조가 간단하며, 사용 전압($V_{ds}=26{\sim}28\;V$)에 비해 최대 허용 전압(65 V)이 $2{\sim}3$배 높아 스위칭 방식에 적합하다. LDMOS FET를 이용하여 제작된 1.2 GHz 대역 100 W 펄스 증폭기는 펄스 폭이 2 us, PRF가 40 kHz의 출력 신호에서 상승 시간이 28.1 ns, 하강 시간이 26.6 ns로 측정되었다.