Design of GaAs FET Amplifier Using Non-symmetrical Coupled Line

비대칭 결합선로를 이용한 GaAs FET 증폭기의 설계

  • 강희창 (서울산업대학 전자공학과) ;
  • 진연강 (단국대학교 전자공학과)
  • Published : 1989.04.01

Abstract

A new design method for matching GaAs FET amplifiers using DC block consisting of non-symmetrical two-microstrip line is presented. The non-symmetrical DC block has not only the function of DC block, but the function of impedance matching. Because of the above merits the non-symmetrical DC block can be used for MIC anc MMIC. The measured frequency responses exhibit a symmetrical characteristics at the center frequency, 4(GHz).

비대칭2선 마이크로스트립선으로 구성된 DC블록(비대칭 DC블록)을 GaAs FET의 입력과 출력측에 사용하여 임피던스 정합을 시키는 새로운 증폭기 설계방법을 제시하였다. 중심파수 4(GHz)에 대하여 대칭이 되는 주파수특성을 얻을 수 있었다. 비대칭 DC블록은 \ulcorner케패시터의 DC블록의 역할뿐만 아니라 임피던스 정합도 할 수 있다는 큰 장점으로 MC 및 MMIC 용으로 사용 가능하다.

Keywords