• 한국결정성장학회지
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• 제9권2호
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• pp.197-206
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• 1999

수평 전기로에서 $AgInSe_2$다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy) 방법으로 $AgInSe_2$ 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100) 위에 성장하였다. $AgInSe_2$단결정 박막은 증발원과 기판의 온도를 각각 $610^{\circ}C$, $450^{\circ}C$로 성장하였다. 이때 성장된 단결정 박막의 두께는 3.8$\mu\textrm{m}$였다. 단결정 박막의 결정성의 조사에서 20 K에서 측정한 광발광 스펙트럼은 884.1nm(1.4024eV) 근처에서 excition emission 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 회절곡선(DCXD)의 반폭치(FWHM)도 125arcsec로 매우 작은 값으로 측정되어 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 $9.58{\times}10^{22} electron/m^3,\; 3.42{\times}10^{-2}m^2/V{\cdot}s$였다. $AgInSe_2$단결정 박막의 광전류 단파장대 봉우리들로부터 20K에서 측정된 $\Delta$Cr(Crystal field splitting)은 0.12eV, $\Delta$So(spin orbit coupling)는 0.29 eV였다. 20K에서 얻어진 광발광 봉우리들 중에서 881.1nm(1.4071 eV)와 882.4nm(1.4051 eV)는 free exciton$E_x$의 upper polariton과 lower polariton인$E_x^U$와 $E_x^L$를 의미하며, 884.1nm(1.4024 eV)는 donor-bound exciton emission에 의한 $I_2$봉우리를, 885.9nm(1.3995 eV)는 acceptor-bound exciton emission에 의한 $I_1$ 봉우리를 각각 나타내었다. 또한 887.5nm(1.3970 eV)에서 관측된 봉우리는 DAP(donor-acceptor pair)에 기인하는 광발광 봉우리로 해석되었다.

• Tuberculosis and Respiratory Diseases
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• 제71권6호
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• pp.459-463
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• 2011

Pulmonary complications occur in 40~60% of patients who receive hematopoietic stem cell transplantation (HSCT) and are a source of substantial morbidity and mortality. Acute eosinophilic pneumonia (AEP) is an uncommon, non-infectious pulmonary complication occurring in HSCT recipients. We now report the case of a 52-year-old man with AEP who was treated with allogenic HSCT due to acute myeloid leukemia. He complained of fever, cough and dyspnea 390 days after allogenic HSCT. He also had skin and hepatic graft versus host disease (GVHD). Hypoxemia, diffuse pulmonary infiltrates on a chest x-ray and eosinophilia in bronchoalveolar lavage fluid were also noted in several tests. His symptoms, pulmonary infiltrates, hepatic dysfunction and skin lesions rapidly improved after treatment with corticosteroid therapy. Our case supports the idea that AEP is a late phase non-infectious pulmonary complication and one of the manifestations of chronic GVHD.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.5-5
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• 2009

Thin-film-transistors (TFTs) that can be prepared at low temperatures have attracted much attention because of the great potential for transparent and flexible electronics. One of the mainstreams in this field is the use of organic semiconductors such as pentacene. But device performance of the organic TFTs is still limited due to low field-effect mobility and rapid degradation after exposing to air. Alternative approach is the use of amorphous oxide semiconductors as a channel. Amorphous oxide semiconductors (AOSs) based TFTs showed the fast technological development, because AOS films can be fabricated at room temperature and exhibit the possibility in application like flexible display, electronic paper, and larges solar cells. Among the various AOSs, a-IGZO has lots of advantages because it has high channel mobility, uniform surface roughness and good transparency. [1] The high mobility is attributed to the overlap of spherical s-orbital of the heavy post-transition metal cations. This study demonstrated the effect of the variation in channel thickness from 30nm to 200nm on the TFT device performance. When the thickness was increased, turn-on voltage and subthreshold swing was decreased. The a-IGZO channels and source/drain metals were deposited with shadow mask. The a-IGZO channel layer was deposited on $SiO_2$/p-Si substrates by RF magnetron sputtering, where RF power is 150W. And working pressure is 3m Torr, at $O_2/Ar$ (2/28 sccm) atmosphere. The electrodes were formed with electron-beam evaporated Ti (30 nm) and Au (70 nm) bilayer. Finally, Al (150nm) as a gate metal was thermal-evaporated. TFT devices were heat-treated in a furnace at 250 $^{\circ}C$ and nitrogen atmosphere for 1hour. The electrical properties of the TFTs were measured using a probe-station. The TFT with channel thickness of 150nm exhibits a good subthreshold swing (SS) of 0.72 V/decade and on-off ratio of $1{\times}10^8$. The field effect mobility and threshold voltage were evaluated as 7.2 and 8 V, respectively.

• KSBB Journal
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• 제21권5호
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• pp.376-383
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• 2006

솔잎착즙액(PNE)은 엽록소 함유량(40.8 mg/100 g)이 높고 비타민 C도 다량함유(149 mg/100 g)하고 있어 기능성 식품으로 개발가능성이 높으며, 솔잎 발효액은 향미가 좋아지고 기능성이 높아져서 고부가가치가 크므로 발효의 조건과 활성도를 조사 분석하여 고기능성 솔잎발효액(SFPE)을 개발하고자 하였다. 솔잎자체발효(SFPE)에 관여하는 균을 발효단계에 따라 분리, 선발하고 동정하였다. GPYA배지에서 발효균을 스크린하여 Pichia galeiformis, Candida boidinii, Pichia species, Candida species1, Candida species2, Candida ooidensis, Saccharomyces cerevisiae, Candida karawaiewii를 선발하였으며, 발효가 진행됨에 따라 2년차에는 Candida boidinii, Candida species2, Candida ooidensis, Saccharomyces cerevisiae가 선발되었고, 3년차에는 Candida species1&2가 선발되어 Candida species2가 우점종으로 나타났다. 그러나 발효 4년차에는 어떤 균도 선발되지 않았다. Candida species2는 Candida ernobii와 99.65%의 homology를 보였다. E. coli, Bacillus subtilis와 Staphylococcus aureus에 대해서 SFPE를 농도별로 처리하였을 때 높은 항균활성을 확인하였다. SFPE 1, 4, 7의 항산화 활성은 $0.025{\mu}{\ell}/ml$의 농도로 처리하였을 경우 SFPE 1, 4, 7이 약 34.8%의 NBT scavenging의 활성을 보여주었고, $0.2{\mu}{\ell}/ml{\sim}0.3{\mu}{\ell}/ml$의 농도에서는 SFPE 1, 4, 7이 약 90%에 달하는 NBT scavenging 의 활성능력을 확인할 수 있었다. 또한 전기생리학적 실험을 통하여 솔잎발효액이 쥐의 혈관수축 이완에 미치는 효과를 분석한 결과 Phenylephrine(PE)($10^6M$)으로 유발된 수축반응에 대해 SFPE를 0.15 mg/ml과 0.3 mg/ml을 첨가하였을 때 혈관이 다시 이완되었으며, ATP 민감성 $K^+$ 채널 억제제인 glibenclamide($10^5M$)을 처리하였을 때 SFPE 7 효과가 나타나지 않은 것으로 보아 SFPE의 혈관 이완작용이 세포막 ATP-민감성 $K^+$ 통로를 활성화시켜 이루어짐을 확인하였다.

• 한국환경과학회지
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• 제23권5호
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• pp.771-780
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• 2014

Tetragonia tetragonides is a medicinal plant native to ocean sand soil of southern provinces and has significant effects on the prevention and curing of gastroenteric disorders. Despite of its popularity, supply of the plant has never met the level of demand because of the absence of an adequate culturing method. The present study, thereby, was conducted for classifying the plants with geographically different characteristics, studying growth habits, developing a new culturing method and establishing a large scale propagation system of selected superior individual plants. The study was also aimed for revealing optimum conditions for seed treatment, fertilization, and efficient culturing system and thereby, for utilizing the plant as a new income source for rural communities. The seed was elongated with size of 2.6 mm (width) ${\times}$ 1.8 mm (length). No difference in seed size was observed depending on different inhabitate. Each flower produced about 4.5~4.8 seeds. Germination rate was high for seeds matured for 40 days after fertilization, but deceased to 50% for seeds matured only for 20 or 30 days. Seed dormancy lasted 6 months and seed storage at humid $5^{\circ}C$ facilitated germination. Mechanical obstruct of seed germination was due to seed coat and removal of seed coat enhanced the germination rate. Optimum temp. for seed storage was $5^{\circ}C$, and high germination rate was maintained for 350 days. However, for stratification condition or at room temperature, germination was significantly reduced as storage time increased Optimum treatment of plant growth regulators was soaking in $GA_3$ 250 mg/L for 1 hr. The priming treatment with 50 mM $Ca(NO_3)_2$ at $20^{\circ}C$ for two days improved the seed germination with 10% compared to non-treated control. The treatment of 20% NaOCl for 3 hr. improved the seed germination rate up to 10% and 1 day ahead.

• 한국측량학회지
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• 제31권5호
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• pp.365-373
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• 2013

타일 캐시 기술은 웹GIS의 효율성에 중요한 향상을 가져왔지만, 변경된 소스데이터의 해당 타일을 갱신하는 작업은 여전히 처리시간이 오래 걸리는 작업이고, 이로 인해 서비스 질에 영향을 미칠 수도 있다. 현재의 타일 캐시 서비스는 갱신되지 않거나 거의 갱신되지 않는 소스데이터에서 좋은 성능을 제공하지만, 변경이 자주 발생하는 소스데이터에 대해서는 매우 비효율적이다. 본 논문은 자주 변경되는 데이터 집합의 타일 지도 서비스에서 변경된 데이터를 타일이미지에 효율적으로 반영할 수 있는 부분영역캐시갱신 방법으로 PACU (Partial Area Cache Update)기법을 제안한다. 이 기법은 타일 지도 갱신 작업에서 가장 많은 처리 시간이 소요되는 디스크의 읽기/쓰기 횟수를 줄이는 방법으로 반복적으로 동일한 타일이 변경되는 작업을 제거하였다. PACU 기법은 타일 이미지 기반의 지도 서비스하고 있는 경기도부동산포털서비스에서 수시로 변경이 발생하는 지적도 서비스에 성공적으로 적용되었다. 경기도 평택시(331,594 필지)에서 하루 발생하는 변동 필지 3,100건에 대해 제안 기법을 적용하였다. 동일한 실험 환경에서 PACU 기법을 ESRI사의 ArcGIS SERVER$^{(r)}$의 처리 속도와 비교한 결과 약 6.6배의 처리속도 향상을 보였다. PACU 기법은 타일 지도의 갱신 처리 시간을 매우 획기적으로 감소시켰고, 그동안 기술적인 문제로 어려움이 있었던 수시로 갱신되는 데이터 집합에 대한 타일 지도 서비스를 제공할 수 있는 기틀을 마련하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제5권4호
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• pp.318-331
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• 1995

Hologen lamp를 열원으로 한 적외선 집중가열 방식의 Floating zone법을 이용하여 조화융해조성(48.6 mol% $Li_2O : 51.4 mol% LiNbO_3$)의 $LiNbO_3$ 단결정과 여기에 5 mol%의 MgO를 첨가한 $LiNbO_3$:5mod%MgO 단결정을 c-축으로 성장시켰다. 고품질의 광학용 $LiNbO_3$ 결정을 성장시키기 위해 원료봉의 최적 소결조건 및 성장 분위이게 따른 원료봉/융액 계면에 대한 고찰을 하였고, 이를 바탕으로 하여 ga s flow rate, pulling rate, 원료봉과 종자정의 회전속도 등에 대한 최적의 결정성장 조건을 확립하였다. 성장된 결정에 대해서 chemical etching을 통한 etch pattern과 ICP(Inductively Coupled Plasma) 분석을 통한 조성 변동 및 불순물 Fe 함량을 조사하였고, 5 mol% MgO의 첨가에 따른 투과율과 굴절율의 변화를 관찰하였다. 또한 $LiNbO_3$의 비선형 광학특성에 대해서는 측정한 굴절율 값을 data로 하여 비선형 광학 굴절율 $n_2$를 계산하여 다른 광학물질과 비교하였고, 이와 관련하여 비선형 광학특성에 대한 전반적인 고찰을 하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.10-10
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• 2008

Silicide is inevitable for CMOSFETs to reduce RC delay by reducing the sheet resistance of gate and source/drain regions. Ni-silicide is a promising material which can be used for the 65nm CMOS technologies. Ni-silicide was proposed in order to make up for the weak points of Co-silicide and Ti-silicide, such as the high consumption of silicon and the line width limitation. Low resistivity NiSi can be formed at low temperature ($\sim500^{\circ}C$) with only one-step heat treat. Ni silicide also has less dependence of sheet resistance on line width and less consumption of silicon because of low resistivity NiSi phase. However, the low thermal stability of the Ni-silicide is a major problem for the post process implementation, such as metalization or ILD(inter layer dielectric) process, that is, it is crucial to prevent both the agglomeration of mono-silicide and its transformation into $NiSi_2$. To solve the thermal immune problem of Ni-silicide, various studies, such as capping layer and inter layer, have been worked. In this paper, the Ni-silicide utilizing Pd stacked layer (Pd/Ni/TiN) was studied for highly thermal immune nano-scale CMOSFETs technology. The proposed structure was compared with NiITiN structure and showed much better thermal stability than Ni/TiN.

• 해양환경안전학회지
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• 제22권5호
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• pp.583-592
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• 2016

해상에서는 UN산하 IMO(International Maritime Organization, 국제해사기구)는 선박에서 배출하는 $CO_2$량을 2030년까지 30 %까지 줄이는 것을 목표로 설정하고 있다. 본 연구는 이러한 상황에 대응하고 친환경기술의 개발을 목표로 선박용 내연기관에서의 폐열을 이용하는 열전발전시스템 개발에 최종목표를 두고, 본 논문에서는 선박용 열전발전시스템 개발에 앞서 기초 열해석을 실시하고 분석하였다. 그 결과 다음과 같은 열전발전시스템의 효율향상에 관한 유효한 방법을 얻어 낼 수 있었다. 1) 고온측 열원과 모듈간 온도차를 줄여 모듈의 온도차를 늘리는 것으로 열전발전시스템의 효율이 8.917 %로 향상되는 것을 알 수 있었다. 2) 외부부하저항의 변화에 따른 시스템 효율은 약 6 %로 그 변화폭이 크게 발생하지 않는 것을 확인할 수 있었다. 3) 동일 계산 조건에서 방형관의 재질이 스테인레스인 경우의 시스템 효율이 8.707 %로 두랄루민(8.605 %), 동(8.607 %)보다 높을 것을 확인할 수 있었다.

• 한국태양에너지학회 논문집
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• 제37권2호
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• pp.77-85
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• 2017

Thin crystalline silicon (C-Si) solar cell is expected to be a low price energy source by decreasing the consumption of Si. However, thin c-Si solar cell entails the bowing and crack issues in high temperature manufacturing process. Thus, the conventional tabbing process, based on high temperature soldering (> $250^{\circ}C$), has difficulties for applying to thin c-Si solar cell modules. In this paper, a conductive paste (CP) based interconnection process has been proposed to fabricate thin c-Si solar cell modules with high production yield, instead of existing soldering materials. To optimize the process condition for CP based interconnection, we compared the performance and stability of modules fabricated under various lamination temperature (120, 150, and $175^{\circ}C$). The power from CP based module is similar to that with conventional tabbing process, as modules are fabricated. However, the output of CP based module laminated at $120^{\circ}C$ decreases significantly (14.1% for Damp heat and 6.1% for thermal cycle) in harsh condition, while the output drops only in 3% in the samples process at $150^{\circ}C$, $175^{\circ}C$. The peel test indicates that the unstable performance of sample laminated at $120^{\circ}C$ is attributed to weak adhesion strength (1.7 N) between cell and ribbon compared to other cases (2.7 N). As a result, optimized lamination temperature for CP based module process is $150^{\circ}C$, considering stability and energy consumption during the fabrication.