• 제어로봇시스템학회논문지
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• 제10권3호
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• pp.280-285
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• 2004

This paper is concerned with the modeling and identification of sequencing batch reactor (SBR) via genetic algorithm based polynomial neural network (GA-based PNN). The model describes a biological SBR used in the wastewater treatment process fur nitrogen removal. A conventional polynomial neural network (PNN) is applied to construct a predictive model of SBR process fur nitrogen removal before. But the performances of PNN depend strongly on the number of input variables available to the model, the number of input variables and type (order) of the polynomials to each node. They must be fixed by the designer in advance before the architecture is constructed. So the trial and error method must go with heavy computation burden and low efficiency. To alleviate these problems, we propose GA-based PNN. The order of the polynomial, the number of input variables, and the optimum input variables are encoded as a chromosome and fitness of each chromosome is computed. Simulation results have shown that the complex SBR process can be modeled reasonably well by the present scheme with a much simpler structure compared with the conventional PNN model.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 제5회 영호남 학술대회 논문집
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• pp.59-62
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• 2003

Our Zn diffusion into n-type $GaAs_{0.60}P_{0.40}$ used ampoule-tube method to increase IV. N-type epitaxial wafers were preferred by $H_2SO_4$-based pre-treatment. $SiO_2$ thin film was deposited by PECVD for some wafers. Diffusion times and diffusion temperatures respectability are 1, 2, 3 hr and 775, $805^{\circ}C$. LED chips were fabricated by the diffused wafers at Fab. The peak wavelength of all chips showed about 625~650 nm and red color. The highest IV is about 270 mcd at the diffusion condition of $775^{\circ}C$, 3h for the wafers which didn't deposit $SiO_2$ thin films. Also, the longer diffusion time is the higher IV for the wafers which deposit $SiO_2$ thin films.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.510-513
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• 2003

Our Zn diffusion into n-type $GaAs_{0.40}P_{0.60}$ used ampoule-tube method to increase IV. N-type epitaxial wafers were preferred by $H_2SO_4$-based pre-treatment. $SiO_2$ thin film was deposited by PECVD for some wafers. Diffusion times and diffusion temperatures respectability are 1, 2, 3 hr and 775, $805^{\circ}C$. LED chips were fabricated by the diffused wafers at Fab. The peak wavelength of all chips showed about $625{\sim}650\;nm$ and red color. The highest IV is about 270 mcd at the diffusion condition of $775^{\circ}C$, 3h for the wafers which didn't deposit $SiO_2$ thin films. Also, the longer diffusion time is the higher IV for the wafers which deposit $SiO_2$ thin films.

• Journal of Plant Biotechnology
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• 제48권3호
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• pp.186-192
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• 2021

The roots of Korean ginseng (Panax ginseng) have a long history of usage as a medicinal drug. Ginsenosides, a group of triterpenioid saponins in ginseng, have been reported to show important pharmacological effects. Many studies have attempted to identify the ginsenoside synthesis pathways of P. ginseng and to increase crop productivity. Recent studies have shown that exogenous gibberellin (GA) treatments promote storage root secondary growth by integration of the modulating cambium stem cell homeostasis with a secondary cell wall-related gene network. However, the dynamic regulation of ginsenoside synthesis-related genes and their contents by external signaling cues has been rarely evaluated. In this study, we confirmed that GA treatment not only enhanced the secondary growth of P. ginseng storage roots, but also significantly enriched the terpenoid biosynthesis process in RNA-seq analysis. Consistently, we also found that the expression of most genes involved in the ginsenoside synthesis pathways, including those encoding methylerythritol-4-phosphate (MEP) and mevalonate (MVA), and the saponin content in both leaves and roots was increased by exogenous GA application. These results can be used in future development of biotechnology for ginseng breeding and enhancement of saponin content.

• Corrosion Science and Technology
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• 제20권1호
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• pp.7-14
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• 2021

PosMAC^® is a brand of Zn-Mg-Al hot-dip coated steel sheet developed by POSCO. PosMAC^® can form dense surface oxides in corrosive environments, providing advanced corrosion resistance compared to traditional Zn coatings such as GI and GA. PosMAC^® 3.0 is available for construction and solar energy systems in severe outdoor environments. PosMAC^®1.5 has better surface quality. It is suitable for automotive and home appliances. Compared to GI and GA, PosMAC^® shows significantly less weight reduction due to corrosion, even with a lower coating thickness. Thin coating of PosMAC^® provides advanced quality and productivity in arc welding applications due to its less generation of Zn fume and spatters. In repeated friction tests, PosMAC^® showed lower surface friction coefficient than conventional coatings such as GA, GI, and lubricant film coated GA. Industrial demand for PosMAC^® steel is expected to increase in the near future due to benefits of anti-corrosion and robust application performance of PosMAC^® steel.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제17권1호
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• pp.19-24
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• 2010

산소 플라즈마 전처리에 의한 PET 기판 위에 Ga이 도핑된 ZnO 투명전극 (GZO)의 특성변화를 고찰하였다. GZO 박막은 RF 마그네트론 스퍼터링 공정에 의해 합성하였으며 GZO 증착 이전에 PET 기판의 표면에너지를 높이고 GZO 박막과의 접촉특성을 향상시키기 위해 산소플라즈마 공정을 적용하였다. 산소 플라즈마 처리공정을 시행함에 따라 GZO 박막의 결정성과 전기적 특성이 향상하였다. RF 파워를 100 W로 하고, 플라즈마 처리시간을 600초로 하였을 때 GZO 박막의 최저 비저항 값인 $1.90{\times}10^{-3}{\Omega}-cm$의 양호한 특성을 확인되었다.

• BMB Reports
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• 제32권1호
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• pp.51-59
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• 1999

The Korean radish cationic peroxidase (KRCP) promoter, comprising nucleotides -471 to +704 relative to the transcriptional initiation site, was fused to the GUS gene and transformed to tobacco BY-2 cells. We examined how auxin (2,4-dichlorophenoxyacetic acid, 2,4-D), cytokinin (6-benzylaminopurine, BAP), gibberellic acid ($GA_3$), abscisic acid (ABA), methyl jasmonate (MeJA), and phosphatidic acid (PA) affect the GUS expression in the presence or absence of 2,4-D in a modified LS medium. Exogenous 2,4-D or BAP greatly decreased the GUS expression regulated by the KRCP promoter in a modified LS medium containing 0.2 mg/l 2,4-D. $GA_3$ increased the GUS expression and ABA completely reduced the inductive effect of $GA_3$. The GUS expression was also increased dose-dependently by plant defense regulators, MeJA and PA. In contrast to the above results, auxin deprivation from the modified LS medium increased the GUS expression after treatment with exogenous 2,4-D whereas BAP still greatly decreased the GUS expression dose-dependently. $GA_3$ or MeJA slightly decreased the GUS expression. The data suggest that auxin deprivation changes the sensitivity of the suspension cells to exogenous chemicals and that the regulation of the KRCP promoter by 2,4-D, $GA_3$, and MeJA is dependent on auxin, whereas the regulation by BAP is not. This study will be valuable for understanding the function and expression mode of the Korean radish cationic peroxidase in Korean radish.

• 한국자원식물학회:학술대회논문집
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• 한국자원식물학회 2020년도 춘계학술대회
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• pp.34-34
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• 2020

희귀식물(LC)인 낙지다리(Penthorum chinense Pursh.)는 '수택란', '차근채'로 불리며 약용으로 사용되어 왔으나, 최근 하천개수 및 습지매립 등으로 자생지가 파괴되어 개체수가 급감하고 있다. 따라서 본 연구는 낙지다리의 종 보존 및 활용을 위하여 종자의 최적발아조건을 확인하고자 수행하였다. 종자는 2017년 국립백두대간수목원에서 수집되어 연구에 사용되기 전까지 건조 상태(15℃, 15% RH)로 시드뱅크(-20℃, 40% RH)에 저장하고 있었다. 종자의 최적발아조건을 확인하기 위하여, 항온과 변온 66조건에서 발아율과 최종발아율의 50%가 발아하는데 소요되는 일 수(T₅₀)를 조사하였으며, 생리적 휴면 타파를 위해서 GA₃(20~1000 mg·L^-1) 처리 후 발아율과 T₅₀을 조사하였다. 그리고 GA₃ 처리에 따른 유묘 생장에 대한 GA₃의 영향을 확인하기 위하여 종자 치상 30일 후 유근·아 생장에 대한 영향을 조사하였다. 낙지다리 종자는 항온보다 변온에서 발아율 증가와 T₅₀ 감소를 보였다. 특히 낮/밤의 온도 차가 11~25℃일 때, 85%이상의 발아율을 보였고, 그 이상의 온도차이가 나면 발아율은 감소하는 경향을 보였다. T₅₀은 온도차가 증가할수록 감소하여, 발아가 균일하며 빨라지는 것을 확인 할 수 있었다. 또한 GA₃ 처리시 생리적 휴면 타파가 진행되어 발아율(79.8%~100%)과 발아속도가 증가(T₅₀ 감소)함을 확인하였으나, GA₃ 100mg·L^-1 이상의 농도에서는 무처리(21.2m)에 비하여 유근의 길이 생장을 0.11~6.88mm로 지연시켰다.

• 한국작물학회지
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• 제34권1호
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• pp.7-13
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• 1989

인삼근에 있어서 신아의 휴면타파 및 맹아과과에 대한 생리기구 해명을 위한 기초자료를 얻고자 일년생근의 저온처리 및 맹아과정중 ABA 함량 및 GA활성의 변화를 처리단계별로 조사하여 휴면 및 맹아와의 관계를 실험하였다. 1. 4$^{\circ}C$ 처리후 15$^{\circ}C$ 처리에서의 맹아률은 30일 처리에서 35%, 60일 이상 처리에서 100%이었으나 4$^{\circ}C$나 15$^{\circ}C$에서 연속처리한 경우에는 전혀 맹아하지 않았다. 맹아시 및 50% 맹아일수는 저온처리기간이 길어 질수록 저온처리후부터의 일수가 짧아졌으며, 매아시부터 50% 맹아까지의 일수도 단축되었다. 2. 두부를 포함한 근상부에서의 ABA함량은 4$^{\circ}C$나 15$^{\circ}C$에서 모두 처리기간이 경과함에 따라 점차 증가하였으며 그 증가정도는 15$^{\circ}C$에서 높았다. 근하부에서의 ABA함량은 처리기간중 15$^{\circ}C$에서 미미한 증가를 보였으나 4$^{\circ}C$에서는 거의 변화가 없었다. 또, 4$^{\circ}C$에서 60일처리후 15$^{\circ}C$의 처리기간중 ABA함량은 근상부에서는 크게 증가하였으나 근하부에서는 오히려 다소 감소하였다. 3. 근상부에서의 GA활성은 4$^{\circ}C$나 15$^{\circ}C$에서 모두 점차 계속 감소하였는데, 그 감소정도는 15$^{\circ}C$에서 컸다. 근하부에서의 GA활성은 근상부 및 근하부에서 모두 크게 증가하였는데, 특히, 15$^{\circ}C$처리기간중에는 근의 부위에 관계없이 Rf치가 낮은 쪽에서는 증가하였으나 높은 쪽에서는 상대적으로 감소하였다. 4. 이상의 결과를 종합하여 보면 인삼근에 있어서 신아의 휴면타파 및 맹아는 ABA와는 별로 관계가 없고 온도숙건에 지배되어 나타나는 GA의 생합성 능력과 그 생합성에 의한 활성증가와 밀접한 관계가 있는 것으로 추정된다.

• 생명과학회지
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• 제13권1호
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• pp.9-14
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• 2003

종자의 발아 정도가 입묘율에 직접 영향을 미친다. 수박 접목묘의 대목으로 가장 많이 이용되고 있는 박 종자의 발아, 유묘출현과 균일도를 높이기 위한 방법을 강구하고자 용자대목과 궁합을 공시재료로 종자활력차를 야기하는 노화처리, 파종전 종자처리로써 priming, $GA_3$ 및 저온 처리에 따른 발아과정에서의 온도와 빛이 발아에 미치는 영향을 조사하기 위하여 실험을 실시하였던 바 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 1) 박 종자의 활력차를 유도하기 위한 노화처리는 45$^{\circ}C$에서 6일간 실시하는 것이 가장 적절하였다. 2) 발아온도 $30^{\circ}C$에서 두공시품종의 평균발아율은 노화처리로 현저히 감소되었으며, 파종전 종자처리로써 저온 처리에서 가장 양호하였던 반면, priming과 $GA_3$ 처리는 물에 침종한 대조구와는 차이가 없었다. 3) 파종전 저온처리로 인한 발아율은 노화처리 되지 않은 정상 종자의 경우 종자처리간 차이가 없었으나 노화처리 되어 활력이 떨어지는 종자의 경우 종자처리로 증대되었다. 4) 파종전 저온처리는 발아온도 20~3$0^{\circ}C$ 에서 공시품종 궁합 종자의 발아를 촉진시켰으며, 발아시 초적색광을 제외한 청색광, 적색광 및 암처리에서 발아율이 가장 높아 처리효과가 지속되는 것으로 나타났다.