Previous studies have reported on the mechanical robustness and chemical stability of flexible amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) on plastic substrates both in flat and curved states. In this study, we investigate how the polyimide (PI) substrate affects hydrogen concentration in the a-IGZO layer, which subsequently influences the device performance and stability under bias-temperature-stress. Hydrogen increases the carrier concentration in the active layer, but it also electrically deactivates intrinsic defects depending on its concentration. The influence of hydrogen varies between the TFTs fabricated on a glass substrate to those on a PI substrate. Hydrogen concentration is 5% lower in devices on a PI substrate after annealing, which increases the hysteresis characteristics from 0.22 to 0.55 V and also the threshold voltage shift under positive bias temperature stress by 2 ${\times}$ compared to the devices on a glass substrate. Hence, the analysis and control of hydrogen flux is crucial to maintaining good device performance and stability of a-IGZO TFTs.
폴리에스테르 유연기판 제조를 위하여 PET-PEN 공중합체를 합성하고 이들의 형태학적 변화가 유연기판 특성에 미치는 영향을 살펴보았다. 합성된 PET-PEN 공중합체는 DMT/NDC의 조성비에 따라 공중합체 block sequence가 달라짐을 확인하였다. 공중합체에 PET-PEN과 PEN의 block sequence가 증가할수록 유리전이온도가 증가하며 이에 따라 유연기판의 치수안정성이 증가됨을 확인하였으며 DMT/NDC의 조성비가 50/50인 경우, 열팽창계수(CTE)가 최소가 됨을 확인하였다. 합성된 PET-PEN 공중합체는 광투과 특성이 80% 이상을 유지하며 1시간 동안 $280^{\circ}C$에서의 열안정성도 0.4 wt% 이내를 유지하여 유연기판으로 적용이 가능함을 알 수 있었다.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.524-524
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2006
For decades, the pursuit of volume commercialization of low-power reflective displays with a paper-like look has been an unfulfilled dream. While steady technical progress was made throughout the late 1990s, there were still no volume products incorporating electronic paper displays (EPD) on the market. Now, microencapsulated electrophoretic display technology, also called electronic ink, has moved into volume production with a frontplane laminate (FPL) display component called E Ink Imaging Film™. This film is coated roll to roll on a flexible plastic substrate and integrated into a display module. Today, all-plastic segmented displays are being shipped as well as displays with electronic ink FPL being driven by glass TFT backplanes. A roadmap to active matrix flexible electrophoretic displays is being enabled by rapid technical progress on flexible TFT backplanes by a variety companies. Each of the approaches to these backplanes and flexible active matrix displays has different advantages for the various market segments being pursued including large format flexible displays for e-news and other reader applications, rollable displays for compact readers, and high resolution small format displays up to 400 ppi that can have fully integrated drive electronics to reduce size and drive down costs. Backplane approaches include Si on plastic, organic transistors on plastic, and Si transistors on flexible stainless steel substrate. Progress is also being made on next generation inks, including more reflective inks with higher contrast ratios. A full color 6 inch, 170 pixel per inch (PPI) active matrix display using a newer generation ink has been developed and this will be described and demonstrated. Large format segmented flexible displays will also be described.
Transparent conducting oxide (TCO) films are widely used as transparent conducting thin film material for application in various fields such as solar cells, optoelectronic devices, heat mirrors and gas sensors, etc. Recently the increased utilization of many transparent electrodes has accelerated the development of inexpensive TCO materials. Indium tin oxide (ITO) film is well-known for TCO materials because of its low resistivity, but there is disadvantage that it is too expensive. ZnO film is cheaper than ITO but it shows thermally poor stability. On the contrary, antimony-doped tin oxide films (ATO) are more stable than TCO films such as Al-doped zinc oxide (AZO) and ITO. Moreover, SnO2 film shows the best thermal and chemical stability, low cost and mechanical durability except the poor conductivity. However, annealing is proved to improve the conductivity of ATO film. Therefore, in this work, antimony (6 wt%) doped tin oxide films to improve the conductivity were deposited on 7059 corning glass by RF magnetron sputtering method for the application to transparent electrodes. In general, of all TCO films, glass is the most commonly selected substrate. However, for future development in flexible devices, glass is limited by its intrinsic inflexibility. In this study, we report the growth and properties of antimony doped tin oxide (ATO) films deposited on PES flexible substrate by using RF magnetron sputtering. The optimization process was performed varying the sputtering parameters, such as RF power and working pressure, and parameter effect on the structural, electrical and optical properties of the ATO films were investigated.
본 논문에서는 대역 저지 U형태의 슬롯이 추가된 다중 대역 모노폴 안테나를 제안하였다. 안테나는 유연성을 가지는 폴리마이드 필름 기판으로 제작하였다. 제안된 안테나는 U-슬롯이 추가된 패치 형태의 모노폴 안테나로 2.7 GHz 대역에서 저지 특성을 갖도록 설계하였으며, 인접한 주파수 대역에서 반사 손실 특성의 개선을 얻을 수 있었다. 실제 자동차 유리에 부착한 실험을 통해 ISM 대역(2.4~2.483 GHz)과 WAVE 대역(5.85~5.925 GHz)에서 10 dB 이상의 반사 손실을 가지는 것을 확인하였다. 방사 패턴은 높은 주파수 대역에서 일부 패턴의 널이 있으나 전반적으로 전방향성의 특성을 나타내었으며, 2.8, 5.7 dBi의 최대 이득을 가졌다.
This paper reports on a flexible flap valve actuated by electromagnetic force under a constant pressure source. The flexible flap valve consists of the three main components: a flexible flap with a steel disk embedded in PDMS, an electromagnetic actuator and two glass plates with inlet and outlet. The flap valve is fabricated by SU-8 mold process, the EDM process and oxygen plasma treatment. The dimension of an assembled flap valve is $12[mm]{\times}20[mm]{\times}28[mm]$. The stroke volume of the flap valve is measured for various pressures. And the time of the applied input voltage is varied to change the open time of the valve. When the input voltage of 30[V] is applied for 0.25[s], the minimum stroke volume of the flap valve is $40[{\mu}L]$ at 70 [kPa].
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.633-636
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2008
A series novel films of polyimide (PI) and co-polyimide (Co-PI) containing fluorine with colorless, flexible properties was prepared by a two-step process from various commercial aromatic monomers such as 4,4'-(Hexafluoro iso propylidene) diphthalic anhydride (6FDA), 2,2'-Bis(Trifluoromethyl) benzidine (TFDB), 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (AH6FP) and Bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl)sulfone (BAS). Furthermore, these obtained transparent and flexible Co-PI films exhibited excellent thermal stability with the decomposition temperature (at 5% weight loss) around of $500^{\circ}C$ and the glass transition temperature ($T_g$) in the range of $275-350^{\circ}C$.
In this work the electrical characteristics of organic TFTs using organic insulator and flexible polyester substrate have been investigated. Pentacene and PVP(polyvinylphenol) are used as an active semiconducting layer and dielectric layer respectively. Pentacene was thermally evaporated in vacuum at a pressure of about $1{\times}10^{-6}$ Torr and at a deposition rate of $0.5{\AA}$/sec, and PVP was spin-coated. Aluminium and gold were used for gate and source/drain electrodes. 0.1mm thick flexible polyester substrate was used instead of glass or silicon wafer.
We have successfully fabricated $Binem^{(R)}$ displays on thin flexible plastic substrates. The fabrication is based on the standard $Binem^{(R)}$ process for glass which has been adapted to plastic with new materials and technologies. The first application is targeted to an embedded display for smart card products.
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.1455-1458
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2008
Amorphous silicon (a-Si:H) thin-film transistors (TFTs) are fabricated on flexible organic polymer foil substrates. As-fabricated performance, electrical bias-stability at elevated temperatures, electrical response under mechanical flexing, and prolonged mechanical stability of the TFTs are studied. TFTs made on plastic at ultra low process temperatures of $150^{\circ}C$ show initial electrical performance like TFTs made on glass but large gate-bias stress instability. An abnormal saturation of the instability against operation temperature is observed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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