Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2012.05a
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pp.63.1-63.1
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2012
In recent years, the functional inks for printed electronics that can be combined with a variety of printing techniques have attracted increasingly significant interest for use in low cost, large area, high performance integrated electronics and microelectronics. In particular, the development of solution-processable conductor, semiconductor and insulator materials is of great importance as such materials have decisive impacts on the electrical performance of various electronic devices, and, therefore, need to meet various requirements including solution processability, high electrical performance, and environmental stability. Semiconductor inks such as IGO, CIGS are synthesized by chemical solution method and microwave reaction method for TFT and solar cell application. Fine circuit pattern with high conductivity, which is valuable for flexible electrode for PCB and TSP devices, can be printed with highly concentrated and stabilized conductor inks such as silver and copper. Solution processed insulator such as polyimide derivatives can be use to all printed TFT device. Our research results of functional inks for printed electronics provide a recent trends and issues on this area.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.12
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pp.1021-1027
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2012
In this paper, multi-string power balancing system for streetlight was developed. Accordingly, the components of the system was developed, unit converters, MPPT control unit, a bank of Li-ion battery and controls the charging and discharging. Loss by improving the efficiency of the system through the parallel operation of the unit converter output will be reduced. And by improving the efficiency of the system through the unit converter parallel operation, output losses will be reduced. Charging and discharging efficiency of the device used in a typical solar streetlight is calculated based on the maximum power input. Because of the variation of the input power has a weakness. In this paper, flexible to changes in the input, and a system was developed to minimize the cost per watt. Measure the performance of the unit module from the system, the result was more than 91%. And the charging capacity 12 V/105 Ah, module power 180 W, respectively. Should expect to be able to improve performance through continuous monitoring in the future.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.30
no.9
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pp.602-608
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2017
Due to recent industry 4.0, manufacturing has changed a lot. In particular, it is necessary to control the controller and controller of the control system, to communicate various production information and measurement information, and to produce a database in accordance with the flexible production for a small quantity of various items, and to manage the trend of major parts of production facilities. In this paper, we developed a multiple wireless communication controller for small scale control system for smart factory by applying XBee and microcomputer. This controller is cheap and easy to build multi-radio communication environment of 1: N and can control and monitor control system. In addition, we tested multiple wireless communication controllers by using signal processing device and C++, and constructed network, control, and database for mechanism module, and confirmed effectiveness for industrial application.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.417-417
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2009
Although a transparent conductive film (TCF) belongs to essential supporting materials for many device applications such as touch screens, flat panel displays, and sensors, a conventional transparent conductive material, indium-tin oxide (ITO), suffers from considerable drawback because the price of indium has soared since 2001. Despite a recent falloff, a demand of ITO is expected to increase sharply in the future due to the trend of flat panel display technologies toward flexible, paper-like features. There have been recently extensive studies to replace ITO with new materials, in particular, carbon nanotubes (CNTs) since CNTs possess excellent properties such as flexibility, electrical conductivity, optical transparency, mechanical strength, etc., which are prerequisite to TCFs. This study fabricated TCFs with single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) produced by arc discharge. The SWCNTs were dispersed in water with a surfactant of sodium dodecyl benzene sulfonate (NaDDBS) under sonication. Carbon black and fullerene nanoparticles were added to the SWCNT-dispersed solution to enhance contact resistance between CNTs. TCFs were manufactured by a filtration and transfer method. TCFs added with carbon black and fullerene nanoparticles were characterized by scanning electron microscopy (SEM), UV-vis spectroscopy (optical transmittance), and four-point probe measurement (sheet resistance).
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.12
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pp.1009-1013
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2009
In this study, we have been synthesized the dielectric layer using pure organic and organic-inorganic hybrid precursor on flexible substrate for improving of the organic thin film transistors (OTFTs) and, design and fabrication of organic thin-film transistors (OTFTs) using small-molecule organic semiconductors with pentacene as the active layer with record device performance. In this work OTFT test structures fabricated on polymerized substrates were utilized to provide a convenient substrate, gate contact, and gate insulator for the processing and characterization of organic materials and their transistors. By an adhesion development between gate metal and PI substrate, a PI film was treated using $O_2$ and $N_2$ gas. The best peel strength of PI film is 109.07 gf/mm. Also, we have studied the electric characteristics of pentacene field-effect transistors with the polymer gate-dielectrics such as cyclohexane and hybrid (cyclohexane+TEOS). The transistors with cyclohexane gate-dielectric has higher field-effect mobility, $\mu_{FET}=0.84\;cm^2/v_s$, and smaller threshold voltage, $V_T=-6.8\;V$, compared with the transistor with hybrid gate-dielectric.
Kim, Y.H.;Park, S.K.;Han, J.I.;Moon, D.G.;Kim, W.G.;Lee, C.J.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.04b
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pp.45-48
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2002
Poly(3-hexylthiophene) or P3HT based organic thin film transistor (OTFT) array was fabricated on flexible poly carbonate substrates and the electrical characteristics were investigated. As the gate dielectric, a dual layer structure of polyimide-$SiO_2$ was used to improve the roughness of $SiO_2$ surface and further enhancing the device performance and also source-drain electrodes were $O_2$ plasma treated for improvement of the electrical properties, such as drain current and field effect mobility. For the active layer, polymer semiconductor, P3HT layer was printed by contact-printing and spin-coating method. The electrical properties of OTFT devices printed by both methods were evaluated for the comparison. Based on the experiments, P3HT-based OTFT array with field effect mobility of 0.02~0.025 $cm^{2}/V{\cdot}s$ and current modulation (or $I_{on}/I_{off}$ ratio) of $10^{3}\sim10^{4}$ was fabricated.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.1
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pp.15-19
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2012
Presented herein are the results of the study that was conducted on the electrical characteristics of organic field-effect transistors based on poly(3-hexylthiophene), particularly the thickness and annealing temperature of their active layer is varied. The changes in field-effect mobility and current on/off ratio were explored. It was observed that both increasing annealing temperature from $60^{\circ}C$ to $100^{\circ}C$ and various concentrations influence the trade-off relations between the mobility and current on/off ratio. The surface morphology of the 2-${\mu}m^2$ area with various thicknesses was scanned via atomic-forcemicroscopy(AFM) to verify the relationship between surface morphology, which is related to the thickness of the film, and device performance.
Indium oxide ($In_2O_3$) nanorods (NRs) which can be expected to increase the device performance in various electronic and electrochemical applications were prepared on carbon fibers via an electrochemical deposition (ED) method. During the ED, the indium hydroxide ($In(OH)_3$) NRs were well grown and firmly attached onto the carbon fibers. After that, they were changed into $In_2O_3$ by dehydration through a thermal annealing. The morphological and structural properties were investigated using field-emission scanning electron microscope images. The crystallinity of as-prepared sample was evaluated by X-ray diffraction. The Fourier transform infrared results confirm that the functional groups are present in the $In_2O_3$ NRs. This facile process of metal oxide nanostructures on carbon fiber can be utilized for flexible electronic and energy related applications.
Flexible opto-electronic devices are developed on the insulating layer deposited stainless steel (STS) substrates. The silicon dioxide ($SiO_2$) material as the diffusion barrier of Fe and Cr atoms in addition to the electrical insulation between the electronic device and STS is processed using the plasma enhanced chemical vapor deposition method. Noble silver (Ag) films of approximately 100 nm thickness have been formed on $SiO_2$ deposited STS substrates by E-beam evaporation technique. The films then were annealed at $650^{\circ}C$ for 20 min using the rapid thermal annealing (RTA) technique. It was investigated the variation of the surface morphology due to the interaction between Ag films and $SiO_2$ layers after the RTA treatment. The results showed the movement of Si atoms in silver film from $SiO_2$. In addition, the structural investigation of Ag annealed at $650^{\circ}C$ indicated that the Ag film has the material property of p-type semiconductor and the bandgap of approximately 1 eV. Also, the films annealed at $650^{\circ}C$ showed reflection with sinusoidal oscillations due to optical interference of multiple reflections originated from films and substrate surfaces. Such changes can be attributed to both formation of $SiO_2$ on Ag film surface and agglomeration of silver film between particles due to annealing.
Journal of the Korean Society of Clothing and Textiles
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v.35
no.3
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pp.292-303
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2011
This research suggested a draft proposal for a smart jacket design, which has applied wearable technologies to provide convenience in daily life. The smart jacket combined with a vest was the casual item for autumn and winter. The heating device was composed of the heating element, battery, controller, electric wire, connector, switch, and charger. A stable electronic conductor fiber of good heating effect with a flexible zigzag form has been selected for the heating element. The lighting device has been made in a way that attaches the LED and its power controller in the same mechanical device. As the result of the wearing test, the heating effect turned out to be effective in the order of: back, both the back and abdomen and only the abdomen. When wearing a smart jacket, the back and abdomen have been selected as favorable body parts for heating. Pockets and hems are selected as the adequate place to attach the LED lighting, and the brightness of LED lighting has turned out to be suitable and useful. Based on the test results, the first draft proposal has attached the heating element only in the back and its controller located in the inside pocket of the vest. In addition, the LED has been attached to the front pocket of the jacket. As to the second draft proposal, heating elements have been placed in the back and the abdomen. Each controller for the heating elements has been placed in the front and inside pocket of vest, and the LED lighting has been attached to the hem of the jacket. The smart jacket combined with a wearable device was assessed by functioning categories. The user showed a high satisfaction in the heating and illuminating function of a smart jacket.
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