• 한국전자파학회논문지
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• 제23권2호
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• pp.220-228
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• 2012

본 논문에서는 밀리미터파 탐색기의 수신기 보호용으로 사용할 낮은 누설 전력을 가지는 Ka 대역 능동 리미터 설계 및 제작 기법을 설명하였다. 낮은 누설 전력을 구현하기 위해서 송신 펄스 주기 신호와 입력 전력의 크기에 따라 리미터를 제어할 수 있는 능동 리미터 제어 회로를 제안하였다. 능동 리미터는 전형적인 2단 수동 리미터에 방향성 결합기, 검파기, 연산 증폭기 및 과전류 보호용 저항으로 구성된 궤환 회로로 구성되어진다. 제작된 Ka 대역 능동 리미터 측정 결과, 주파수 대역은 1 GHz, 약 신호 시 삽입 손실은 3.5 dB 이하, 능동 제어시 최대 감쇄량 46 dB, 4 W RF 입력 시 정상 누설 전력은 -7.5 dBm을 보였다.

• 공업화학
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• 제5권2호
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• pp.255-262
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• 1994

아크용융방법으로 준비한 Ti-5Bi 합금을 산화시켜 제조한 산화티타늄의 에너지변환효율(${\eta}_e$)을 광학농도, 광에너지에 따라서 측정하였다. 그리고 광학농도 및 전해액의 pH변화에 따른 플랫-밴드전압변화를 측정하였다. 광학농도와 광에너지가 증가하면 에너지변환효율은 증가하였으며 광학농도 $0.2W/cm^2$, 조사되는 빛의 에너지가 4.0eV에서 최대 에너지변환효율은 각각 3.2%, 13%로 나타났다. 에너지변환효율은 인가전압 의존성을 보여주었으며 0.5V의 전압을 인가하였을 경우 최대값을 보여주었다. 한편 전체 광전류의 발생은 산화티타늄 공핍층 내의 전자-정공쌍의 생성반응에 의해 율속되었다. 광학농도가 증가하면 플랫-밴드전압은 -0.065V/decade의 기울기를 나타내었으며 전해액의 pH가 감소하면 플랫-밴드전압은 양의 방향으로 이동하였으며 그 기울기값은 0.059V/pH로 Nernst 식의 기울기값과 일치하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제32권11호
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• pp.1241-1245
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• 1995

Ultrathin oxynitride (SiOxNy) films, 8nm thick, were formed on Si(100) in furnace using O2 and N2O as reactant gas. Compared with conventional furnace grown oxide, oxynitride dielectrics show better characteristics of Qbd and I-V, and less flat-band voltage shift. Excellent diffusion barrier property to dopant (BF2) is also confirmed.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 춘계 학술대회
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• pp.146-150
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• 2005

상온/상압의 분위기에서 코로나 분사 합성법을 이용하여 반도체 실리콘 나노 입자를 제조하였으며, 실리콘 입자의 전기적 특성을 관찰하기 위해 p-type 실리콘웨이퍼 위에 실리콘 나노 입자를 증착시켰다. 이때, 제조된 실리콘 나노 입자의 크기는 약 10 nm이었으며 기하표준편차는 1.31로 단분산성을 나타내었다. 이러한 조건에서, 실리콘 나노 입자의 양자 점 효과를 이용한 비휘발성 반도체 메모리를 제조하여 메모리효과를 분석한 결과, flat band voltage의 차이가 약 1.5 Volt 발생함을 확인하였다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 추계 학술대회
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• pp.137-141
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• 2005

Quantum dot(QD) 메모리용 silicon nano-particle을 corona 방전방법에 의해 상온에서 대량 발생하는 방법을 개발하였다. Silicon QD는 SiH4 가스를 코로나 방전 영역을 통과시켜 발생시켰으며, 코로나 전압은 2.75kV를 사용하였다. SiH4 몰농도 $0.33{\times}10^{-7}\;mol/l$ 일 경우 발생된 QD입자 크기는 약 10nm이며 기하학적 표준편차(geometric standard deviation)는 1.31이었다. 이 조건에서 nonvolatile quantum dot semiconductor memory (NVQDM)를 제작하였으며, 이렇게 제작된 NVQDM flat band voltage는 1.5 volt였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권3호
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• pp.245-250
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• 1998

Field emission display (FED) is currently being explored as a potential flat panel display technology. The need of new materials for low voltage blue phosphors for FED focused our attention on the $Y_2O_3-Nb_2O_5$ sys-tem. Yttrium niobate doped with $Bi^{3+}$ was prepared by solid state reaction technique and the optimization of the luminescent properties with a control of $Bi^{3+}$ amounts and Y/Nb ratio was studied. Under 254 nm and low voltage electron excitations $Bi^{3+}-activated$ YNbO4 phosphors showed a strong and relatively narrow blue em-ission band with a range of 420 to 450 nm, Especially 0.4wt% $Bi^{3+}\;doped\;YNbO_4$ phosphors with Y/Nb ratio of 1/1 showed the maximum emission intensity. Under low voltage electron excitation maximum emission in-tensity appeared at the Y/Nb ratio of 0.495/0.505.

• Journal of Information Display
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• 제9권2호
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• pp.1-4
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• 2008

In this study, we investigate the capacitance-voltage (C-V) characteristics of metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors consisting of pentacene, as an organic semiconductor, and polymeric insulators such as poly(4-vinylphenol) (PVP) orpolystyrene (PS) prepared by spin-coating process, to analyze the interfacial characteristics between pentacene and polymeric insulators. Compared with the device with PS, the MIS capacitor with PVP exhibited a pronounced shift in the flat-band voltage according to the bias sweep direction. This hysteric feature in the C-V characteristics is thought to be attributed to the trapped charges at the interface between pentacene and PVP owing to the hydrophilicity of PVP. From the experimental results, we can conclude that surface polarity of polymeric insulator has a critical effect on the interfacial properties, thereby affecting the bias stability of organic thin-film transistors.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권6호
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• pp.107-116
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• 1994

In this paper, The electrical properties of MOS capacitors and transistoras with gate of in-situ doped amorphous Si and poly Si doped by POCI$_3$. Under constant current F-N stress, MOS capacitors with in-situ doped amorphous Si gate have shown the best resistance to degradation in reliabilty properties such as increase of leakage current, shift of gate voltage (V$_{g}$). shift of flat band voltage (V$_{fb}$) and charge to breakdown(Q$_{bd}$). Also, MOSFETs with in-situ doped amorphous Si gate have shown to have less degradation in transistor properties such as threshold voltage, transconductance and drain current. These improvements observed in MOS devices with in-situ doped amorphous Si gate is attributed to less local thinning spots at the gate/SiO$_2$ interface, caused by the large grain size and the smoothness of the surface at the gate/SiO$_2$ interface.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.263-266
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• 1999

Electrolunlinescent devices based on conjugated polymer emitting materials have been much attracted possible applications for multicolor flat panel display, since the conjugated polymers have a small band gap emitting obtained at a low driving voltage. In this paper, we fabricated the single layer EL device using poly(3-hexylthiophene) as emitting material Electroluminescence(EL) and I-V-L characteristics of indium-tin-oxide[ITO]P3HT/AI device with a various thickness were investigated. It was demonstrate that the I-V characteristics depend, not the voltage but the electric- field strength, The current is dependent on the electric filed and not on the applied voltage, indicating that the carriers are injected by a tunneling process. In the device, the barrier to hole injection is only 0.5eV and the barrier to electron injection is 1.5eV.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권1호
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• pp.57-63
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• 1994

Aluminum oxide($Al_2{O_3}$) offers some unique advantages over the conventional silicon dioxide( $SiO_{2}$) gate insulator: greater resistance to ionic motion, better radiation hardness, possibility of obtaining low threshold voltage MOS FETs, and possibility of use as the gate insulator in nonvolatile memory devices. We have undertaken a study of the dielectric breakdown of $Al_2{O_3}$ on Si deposited by GAIVBE technique. In our experiments, we have varied the $Al_2{O_3}$ thickness from 300.angs. to 1400.angs. The resistivity of $Al_2{O_3}$ films varies from 108 ohm-cm for films less than 100.angs. to 10$_{13}$ ohm-cm for flims on the order of 1000.angs. The flat band shift is positive, indicating negative charging of oxide. The magnitude of the flat band shift is less for negative bias than for positive bias. The relative dielectric constant was 8.5-10.5 and the electric breakdown fields were 6-7 MV/cm(+bias) and 11-12 MV/cm (-bias).