본 논문은 원거리 및 직선구간에 동작되어지는 Stocker 시스템에 대해 설명하고 있다. 파티클 발생을 줄이기 위해 Stocker의 전원은 비접촉 전원장치를 사용한다. 기존 비접촉 전원장치보다 회로구성과 토폴로지를 간략화 하였다. 이를 바탕으로 시제품을 제작하여 상용화에 가능함을 보이고자 한다. 비접촉 전원장치 전체 제어 시스템의 구조는 1차측 전원공급장치와 2차측 전원공급장치간 상호 정보를 광모뎀 통신과 TMS320F243을 사용한 구조이며, 비접촉 전원장치와 출력제어를 위해 주파수 제어를 사용하였다. 본 논문에서는 광모뎀 통신을 사용함으로써 크레인의 이동부(2차측 전원공급장치)와 고정부(1차측 전원공급장치)간 1:1통신으로 제어되는 상용화 Stocker 시스템에 적용하였으며, 향후, Stocker 시스템의 멀티 Crane의 동작을 위해 비접촉 전원장치의 고정부와 이동부간 1:다수가 제어 가능하게 하는 연구가 이루어져야 할 것으로 생각된다.
SnO2가 첨가된 In2O3(ITO) sputtering 타켓은 넓은 파장영역에서의 투광성과 높은 전기전도도의 특성 때문에 여러 종류의 평판형 디스플레이 제품에 사용되고 있다. 사용된 In2O3와 SnO2 분말은 높은 순도의 금속을 사용하였으며, 공질법을 이용하여 분말을 제조하였으며, 혼합된 In2O3-SnO2 분말은 하소조건과 소결조건에 따라 특성을 평가 하였다. 본 연구의 목적인 ITO sprttering 타켓의 SnO2 분산조건은 하소 온도가 증가함에 따라 분산성이 뛰어났으며, 조사된 30wt% 에서 5wt%로 SnO2의 함량이 감소함에 따라 분산성은 향상되었다. 이러한 결과들로부터 ITO 타켓 밀도와 SnO2의 분산성은 1150C 이상에서 휘발하는 SnO2의 량에 의해 크게 영향을 받는다.
본 연구에서는 전류제어 효과를 갖는 전압제어 펄스폭 변조 방식의 5' true color FED 구동시스템을 설계하였다. 제안한 구동방식은 전압제어 펄스폭 변조방식과 전류제어 방식의 장점을 가지고 있다. 또한, FED 구동회로의 시뮬레이션을 위하여 FED 서브 픽셀에 대한 새로운 회로 모델을 제안한다. 제안된 모델은 FED 서브 픽셀의 특성과 FED 패널의 기생 효과인 게이트 라인간 커플링 현상과 인접한 캐소드 라인을 통하여 흐르는 누설 전류 등을 고려하고 있다. FED 구동회로의 출력단은 제안된 모델을 사용하여 최적화되었다. R.G.B 입력데이터 신호 처리를 병렬처리 방식으로 하여 기존의 직렬처리 방식에 비해서 화면에 영상을 디스플레이하는 duty ratio를 최대로 하여 휘도를 높일 수 있도록 하였다. 이러한 연구 결과를 바탕으로 $300{\times}224$의 해상도를 가지는 5' true color FED를 성공적으로 디스플레이 하였다.
Purpose: The aim of this study is to explore different types of self-rated health trajectories among one-person households in Korea. Methods: We used five time-point data derived from Korea Health Panel (2011~2015). A latent growth curve modeling was used to assess the overall feature of self-rated health trajectory in one-person households, and a latent class growth modeling was used to determine the number and shape of trajectories. We then applied multinomial logistic regression on each class to explore the predicting variables. Results: We found that the overall slope of self-rated health in one-person households decreases. In addition, latent class analysis demonstrated three classes: 1) High-Decreasing class (i.e., high intercept, significantly decreasing slope), 2) Moderate-Decreasing class (i.e., average intercept, significantly decreasing slope), and 3) Low-Stable class (i.e., low intercept, flat and nonsignificant slope). The multinomial logistic regression analysis showed that the predictors of each class were different. Especially, one-person households with poor health condition early were at greater risk of being Low-Stable class compared with High-Decreasing class group. Conclusion: The findings of this study demonstrate that more attentions to one-person households are needed to promote their health status. Policymakers may develop different health and welfare programs depending on different characteristics of one-person household trajectory groups in Korea.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.529-529
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2006
Several laboratories worldwide have demonstrated the feasibility of producing amorphous silicon thin film transistor (TFT) arrays at temperatures that are sufficiently low to be compatible with flexible foils such as stainless steel or high temperature polyester. These arrays can be used to fabricate flexible high information content display prototypes using a variety of different display technologies. However, several questions must be addressed before this technology can be used for the economic commercial production of displays. These include process optimization and scale-up to address intrinsic electrical instabilities exhibited by these kinds of transistor device, and the development of appropriate techniques for the handling of flexible substrate materials with large coefficients of thermal expansion. The Flexible Display Center at Arizona State University was established in 2004 as a collaboration among industry, a number of Universities, and US Government research laboratories to focus on these issues. The goal of the FDC is to investigate the manufacturing of flexible TFT technology in order to accelerate the commercialization of flexible displays. This presentation will give a brief outline of the FDC's organization and capabilities, and review the status of efforts to fabricate amorphous silicon TFT arrays on flexible foils using a low temperature process. Together with industrial partners, these arrays are being integrated with cholesteric liquid crystal panels, electrophoretic inks, or organic electroluminescent devices to make flexible display prototypes. In addition to an overview of device stability issues, the presentation will include a discussion of challenges peculiar to the use of flexible substrates. A technique has been developed for temporarily bonding flexible substrates to rigid carrier plates so that they may be processed using conventional flat panel display manufacturing equipment. In addition, custom photolithographic equipment has been developed which permits the dynamic compensation of substrate distortions which accumulate at various process steps.
Analog film/screen systems have been being changed to a digital x-ray imaging device using direct conversion materials. Photocoductors for a direct detection flat-panel imager require high x-ray absorption, ionization and charge collection, low leakage current and large area deposition. In this work, $HgI_2$ films with excellent properties for x-ray detector were deposited by screen printing method. The thickness of $HgI_2$ film was about $150\;{\mu}m$. The passivation layer is fabricated using a-Se and parlyene, the both fabrication $HgI_2$ film were compared for analyzing the leakage current reduction. We measured electrical properties-leakage current, photosensitivity, SNR though I-V measurement, As the result, $HgI_2$ film using a-Se passivation layer had the greater
Electroluminescent(EL) devices based on organic materials have been of great interest due to their possible applications for large-area flat-panel displays. They are attractive because of their capability of multicolor emission, and low operation voltage. In this study, glass substrate/ITO/TPD/$Eu(TTA)_3(phen)/Alq_3/Al$ structures were fabricated by evaporation method, where aromatic diamine(TPD) were used as a hole transporting material, $Eu(TTA)_3(phen)$ as an emitting material, and tris(8-hydroxyquinoline)Aluminum ($Alq_3$) as an electron transporting layer. Electroluminescent(EL) and I-V characteristics of $Eu(TTA)_3(phen)$ with a variety thickness was investigated. This structure shows the red EL spectrum, which is almost the same as the PL spectrum of $Eu(TTA)_3(phen)$. I-V characteristics of this structure show that turn-on voltage was 9V and current density of $0.01A/cm^2$ at a dc drive voltage of 9V. Details on the explanation of electrical transport phenomena of these structures with I-V characteristics using the trapped-charge-limited current model will be discussed.
본 연구는 Roll-to-Roll Sputtering 장비를 사용하여 제작된 Flexible ITO electrode 필름의 방사선 검출기로의 적용가능성을 알아보기 위해 기존의 Glass ITO electrode의 전기적 특성을 비교 평가하였다. 본 연구는 Flexible ITO electrode와 Glass ITO electrode을 하부전극으로 형성하고, 최근에 X-ray 변환체로 활발히 연구되고 있는 Powder 형태의 반도체물질인 HgI2 와 PbI2를 Binder와 일정한 비율로 혼합하여 3-Rolls-Miller를 사용하여 Powder를 일정한 미세크기로 만들고, 대면적 제작이 용이한 Screen-Printing method을 이용하여 시편을 제작하였다. 제작된 필름은 하부전극의 종류에 따른 X-ray 입사 후의 전기적신호의 차이를 측정하고, HgI2와 PbI2 중 Flexible ITO electrode와 더욱 효율적으로 반응하여 기존의 Glass ITO electrode를 대체할 수 있는 전극을 발견하여 진단용 의료영상의 왜곡 현상을 제거할 수 있는 Flexible 방사선 검출기의 제작의 초석을 제공하는 연구를 목적으로 한다. SEM(Scanning Electron Microscope) 통하여 반도체 물질의 결정구조와 크기를 알아보았고, 하부 전극의 종류에 따른 전기적 신호검출을 위해 제작된 필름의 암전류(Dark current) 와 민감도(Sensitivity)를 측정한 후, SNR (Signal -to- Noise)을 계산하여 평가하였다.
$InGaZnO_4$ based thin film transistors (TFTs) are of interest for large area and low cost electronics. The TFTs have strong potential for application in flat panel displays and portable electronics due to their high field effect mobility, high on/off current ratios, and high optical transparency. The application of such room temperature processed transistors, however, is often limited by the operation voltage and long-tenn stability. Therefore, attaining an optimum thickness is necessary. We investigated the thickness dependence of a room temperature grown $MgO_{0.3}BST_{0.7}$ composite gate dielectric and an $InGaZnO_4$ (IGZO) active semiconductor on the electrical characteristics of thin film transistors fabricated on a polyethylene terephthalate (PET) substrate. The TFT characteristics were changed markedly with variation of the gate dielectric and semiconductor thickness. The optimum gate dielectric and active semiconductor thickness were 300 nm and 30 nm, respectively. The TFT showed low operating voltage of less than 4 V, field effect mobility of 21.34 cm2/$V{\cdot}s$, an on/off ratio of $8.27\times10^6$, threshold voltage of 2.2 V, and a subthreshold swing of 0.42 V/dec.
반도체 또는 평판디스플레이 제조에 있어 노광공정 후의 PR(photo-resist) 제거 공정으로서 기존의 황산기반 용액을 대체하는 고농도 오존 수 생성 기술에 대한 연구를 수행하였다. 세라믹 연면방전구조의 오존발생장치를 개발하여, 0.5[ℓ/min]의 산소 유량에서 최대 12[wt%]이상의 오존가스 농도를 얻었으며, 이를 고농도로 물과 혼합하기 위한 고효율 오존접촉장치를 개발하였다. 오존 수 생성 실험 결과, 오존가스 10[wt%]에서 80[ppm]이상의 오존 수 농도를 달성하였으며, 70[ppm]의 오존 수에서 PR 제거율 147[nm/min]의 양호한 결과를 얻었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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