Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

$SnO_2$ Dispersion of Sintered Body in $In_2O_3-SnO_2$ Binary System

$In_2O_3-SnO_2$ 이성분계 소결특성에 있어서 $SnO_2$ 분산성

  • 전태진 (삼성코닝, 분석연구그룹) ;
  • 박완수 (삼성코닝, 분석연구그룹) ;
  • 조명진 (삼성코닝, 분석연구그룹) ;
  • 김종수 (삼성코닝, 분석연구그룹) ;
  • 김영수 (삼성코닝, 분석연구그룹)
  • Published : 2006.11.09
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Abstract

Tin doped $In_2O_3$ sputtering target is widely used to produce a various kinds of flat panel display because of high transmittance in visible region and high electrical conductivity. In2O3 and SnO2 powders were prepared by a homogeneous precipitation method using metal source, respectively, the calcining and sintering behavior of the indium-tin oxide(In2O3-SnO2) composite powders were studied. The tin oxide(SnO2) dispersion condition in ITO sputtering target was improved by increasing calcining temperature. And the tin oxide dispersion was also improved by reducing the tin oxide contents in the ITO target from 30 to 5wt%. SnO2 dispersion and densification of ITO target is very difficult to control due to sublimation of SnO2 at over 1150C.

SnO2가 첨가된 In2O3(ITO) sputtering 타켓은 넓은 파장영역에서의 투광성과 높은 전기전도도의 특성 때문에 여러 종류의 평판형 디스플레이 제품에 사용되고 있다. 사용된 In2O3와 SnO2 분말은 높은 순도의 금속을 사용하였으며, 공질법을 이용하여 분말을 제조하였으며, 혼합된 In2O3-SnO2 분말은 하소조건과 소결조건에 따라 특성을 평가 하였다. 본 연구의 목적인 ITO sprttering 타켓의 SnO2 분산조건은 하소 온도가 증가함에 따라 분산성이 뛰어났으며, 조사된 30wt% 에서 5wt%로 SnO2의 함량이 감소함에 따라 분산성은 향상되었다. 이러한 결과들로부터 ITO 타켓 밀도와 SnO2의 분산성은 1150C 이상에서 휘발하는 SnO2의 량에 의해 크게 영향을 받는다.

Keywords