본 시험은 자외선에 의해 구분된 황형광색견(Y.F.C)와 자형광색견(V.F.C)의 견층 sericin이 열수에 대한 성질과 견층 sericin 수용액의 물리적 성질 차이를 조사하고 제사성적에 미치는 영향을 검토한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 용해온도에 따른 sericin의 용해성은 낮은 온도에서보다 높은 온도에서 Y.F.C와 V.F.C간의 차가 켰다. 2. 용해시간에 따른 sericin의 용해성은 Y.F.C 및 V.F.C 모두 비슷한 경향을 나타냈으나 Y.F.C가 V.F.C. 보다 용해성이 좋았다. 3. 초기 sericin 용해성을 도시하면 용해도가 다른 4개 부분으로 구분할 수 있었고 Y.F.C 및 V.F.C 모두 같은 형태였으나 각 용해속도에 있어서는 차이가 있었다. 4. Sericin 수용액의 표면장력 측정결과 처리후 방치 시간에 따른 변화 속도는 45분 이내에서 V.F.C가 빠르기 때문에 sericin의 용해성을 저하시킬 것으로 사료된다. 5. Sericin 입자의 비용적에 있어서 Y.F.C가 V.F.C 보다 크기 때문에 Y.F.C의 용해성이 좋은 것으로 추정된다. 6. 제사가공 중 견층 sericin 용해량은 Y.F.C가 V.F.C 보다 초기용해속도가 빠르기 때문에 전공정 sericin 유실량이 많았고 이 때문에 실켜기 공정에서 고치실의 풀림새를 향상시킨 것으로 사료된다.
한국인집단에서 Transferrin C subtypes와 Haptoglobin polymorphism의 분포 및 유전자 빈도에 관한 본 연구에서 얻은 결과는 다음과 같다. 제주집단에서 관찰된 Transferrin C subtypes은 주로 $T_{f}C_{1}, T_{f}C_{2}$ 및 $T_{f}C_{1}-C_{2}$형이었는데 $T_{f}C_{1}$과 $T_{f}C_{1}-C_{2}$이 51%와 42%로 나타났으며, 유전자 빈도는 $T_{f}C^{1}, T_{f}C^{2} 및 T_{f}D^{Jeju}$가 각각 0.7220, 0.2743 및 0.0037이었다. Haptoglobin의 유전자 빈도는 서울집단에서 460명, 제주집단에서 502명을 대상으로 추정한 결과 서울집단에서 $Hp^1 = 0.304, Hp^2 = 0.696$이었고, 제주집단에서는 0.269와 0.731이었으며 두 집단사이에 빈도 차이는 유의하지 않았다.
Si surfaces exposed to CHF3/C2F6 gas plasmas ih reactive ion etching (RIE) have been characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). CHF3/C2F6 gas plasma exposure of Si surface leads to the deposition of residual film containing carbon and fluorine. The narrow scan spectra of C 1s show various bonding states of carbon as C-Si, C-F/H, C-CFx(x $\leq$ 3), C-F, C-F2, and C-F3. The chemical bonding states of fluorine are described with F-Si, F-C and F-O. And the oxygen and silicon are also detected. The effects of parameters for reactive ion etching as CHF3/C2F6 gas ratio, RF power, and pressure are investigated.
In this paper we deal with the open problem posed by Lü, Li and Yang [10]. In fact, we prove the following result: Let f(z) be a transcendental meromorphic function of finite order having finitely many poles, c1, c2, …, cn ∈ ℂ\{0} and k, n ∈ ℕ. Suppose fn(z), f(z+c1)f(z+c2) ⋯ f(z+cn) share 0 CM and fn(z)-Q1(z), (f(z+c1)f(z+c2) ⋯ f(z+cn))(k) - Q2(z) share (0, 1), where Q1(z) and Q2(z) are non-zero polynomials. If n ≥ k+1, then $(f(z+c_1)f(z+c_2)\;{\cdots}\;f(z+c_n))^{(k)}\;{\equiv}\;{\frac{Q_2(z)}{Q_1(z)}}f^n(z)$. Furthermore, if Q1(z) ≡ Q2(z), then $f(z)=c\;e^{\frac{\lambda}{n}z}$, where c, λ ∈ ℂ \ {0} such that eλ(c1+c2+⋯+cn) = 1 and λk = 1. Also we exhibit some examples to show that the conditions of our result are the best possible.
티코노프공간 X에 대하여 C(X)와 $C^*(X)$는 Riesz-공간이다 C(X)가 순서-코시완비일 필요충분한조건은 X가 quasi-F 공간이고, X가 컴팩트공간이며 QF(X)가 X의 극소 quasi-F cover일 때, C(X)의 순서-코시완비화와 C(QF(X))는 동형이다. 본 논문에서는 quasi-F 공간의 정의와 극소 quasi-F cover의 구성에 관한 동기 및 역사적 배경을 살펴본다.
본 연구에서는 탄소섬유, 탄화규소섬유 그리고 하이브리드섬유를 강화재로 하여 TGCVI와 PIP 혼합 공정으로 $C_f/SiC$, $SiC_f/SiC$, $C_f-SiC_f/SiC$의 세라믹복합재를 제조하였다. 열충격싸이클시험, 3점 굴곡시험과 Oxy-Acetylene 토취 시험후에 그들의 기계적물성, 산화저항성과 내삭마성을 평가하였다. $C_f/SiC$복합재는 온도 증가에 따라서 기계적물성의 감소와 준 연성의 파단모드, 그리고 높은 삭마량을 보였다. $SiC_f/SiC$복합재는 $C_f/SiC$ 복합재에 비하여 강한 기계적물성, 낮은 삭마량을 그리고 취성의 파단모드를 나타냈다. 한편 하이브리드 복합재는 가장 우수한 기계적물성과 $SiC_f/SiC$보다는 연성의 파단모드 그리고 $C_f/SiC$ 보다 낮은 삭마량의 결과를 나타냈다. Oxy-Acetylene 토취 시험 중에 SiC매트릭스는 산화되어 $SiO_2$층을 형성하였으며, 특히 이 층은 $C_f-SiC_f/SiC$와 $SiC_f/SiC$ 복합재에서 섬유의 추가적인 삭마를 막는 역할을 하는 것으로 나타났다. 결론적으로 낮은 기공율을 갖는 하이브리드 복합재를 제조한다면, $C_f/SiC$의 산화로 인한 기계적물성의 감소와 $SiC_f/SiC$ 복합재의 취성 파단모드의 개선으로 고온 산화분위기에서 고온열구조재로의 적용이 높을 것으로 기대한다.
고밀도 C4F8 플라즈마에서 증착된 불화탄소막의 광학적 및 전기적 특성을 소스파워와 압력을 변화하며 분석하였다. 고밀도 C4F8 플라즈마에서 증착된 불화탄소막의 F/C 비율은 2단계 증착 메커니즘의 작용으로 소스파워가 증가할수록 증가하였고 압력이 증가할수록 감소하였다. 고밀도 C4F8 플라즈마에서 증착된 불화탄소막의 F/C 비율 변화는 불화탄소막의 광학적 및 전기적 특성 변화에 직접적으로 영향을 끼쳤다. 즉, 불화탄소막의 굴절률은 F/C 비율 변화 양상과는 달리 소스파워가 증가할수록 감소하였고 압력이 증가할수록 증가하였는데 이는 F/C 비율이 증가할수록 전자분극작용이 억제되고 불화탄소막의 망상조직이 약화되어 굴절률이 감소하기 때문이었다. 불화탄소막의 비저항은 F/C 비율 변화와 같이 소스파워가 증가할수록 증가하였고 압력이 증가할수록 감소하였는데 이는 F/C 비율이 증가할수록 주변 전자들을 반발하려는 경향이 강해져서 비저항이 증가하기 때문이었다. 고밀도 C4F8 플라즈마에서 증착된 불화탄소막의 F/C 비율 조절로 불화탄소막의 광학적 및 전기적 특성을 직접적으로 변화할 수 있으므로 불화탄소막이 반도체소자제조공정에서 저 유전상수 물질 대체용으로 가능할 수 있음이 예상된다.
정전기적모델과 결합의 단순한 부가성을 이용하여 아주 극성인 화합물의 표준생성열$({\Delta}H_f\;^{\circ})$를 계산하는 간단한 방법을 제안하였다. 이 ${\Delta}H_f\;^{\circ}$에 대한 할로메탄의 bond 기여도는 각각 ${\Delta}H_f\;^{\circ}(C-F)=-36.44\;kcal/mole,\;{\Delta}H_f\;^{\circ}(C-Cl)=-2.57\;kcal/mole,\;{\Delta}H_f\;^{\circ}(C-Br)=5.32\;kcal/mole,\;{\Delta}H_f\;^{\circ}(C-I)=19.18\;kcal/mole,\;and\;{\Delta}H_f\;^{\circ}(C-H)=-3.61\;kcal/mole$로 얻어졌고 이 갑들과 정전기적 에너지들로부터 계산한 ${\Delta}H_f\;^{\circ}$는 실험치와 잘 일치함을 보였다.
Low-pressure fluorocarbon plasmas are widely used in microelectronics fabrication for a variety of surface modification purposes. In particular, fluorocarbon plasmas are used for the etching of dielectrics such as silicon dioxide and silicon nitride. Among the various fluorocarbons, this study focuses on C4F6 molecules (C4F6s) which are composed of hexafluorocyclobutene (c-C4F6), hexafluoro-1, 3-butadiene (1, 3-C4F6), and hexafluoro-2-butyne (2-C4F6). We have investigated the dissociation reactions of C4F6s, resulting in CF2, CF3, C2F3, and C3F3 fragments, by using the wB97X-D functional with various basis sets. In this presentation, the geometrical properties, energetics, and dissociation mechanisms of C4F6s will be suggested.
For c > -1, let ${\nu}_c$ denote a weighted radial measure on ${\mathbb{C}}$ normalized so that ${\nu}_c(D)=1$. For $c_1,c_2>-1$ and $f{\in}L^1(D^2,\;{\nu}_{c_1}{\times}{\nu}_{c_2})$, we define the weighted Berezin transform $B_{c_1,c_2}f$ on $D^2$ by $$(B_{c_1,c_2})f(z,w)={\displaystyle{\smashmargin2{\int\nolimits_D}{\int\nolimits_D}}}f({\varphi}_z(x),\;{\varphi}_w(y))\;d{\nu}_{c_1}(x)d{\upsilon}_{c_2}(y)$$. This paper is about the space $M^p_{c_1,c_2}$ of function $f{\in}L^p(D^2,\;{\nu}_{c_1}{\times}{\nu}_{c_2})$ ) satisfying $B_{c_1,c_2}f=f$ for $1{\leq}p<{\infty}$. We find the identity operator on $M^p_{c_1,c_2}$ by using invariant Laplacians and we characterize some special type of functions in $M^p_{c_1,c_2}$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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