Chemical mechanical polishing (CMP) achieves surface planrity through combined mechanical and chemical means. The role of slurry is very important in metal CMP. Slurry used in metal CMP normally consists of oxidizers, complexing agents, corrosion inhibitors and abrasives. This paper investigates the effects of citric acid as a complexing agent for Cu CMP with $H_2O_2$. In order to study chemical effects of citric acid, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was peformed on Cu sample after etching test. XPS results reveal that CuO, $Cu(OH)_2$ layer decrease but $CU/CU_2O$ layer increase on Cu sample surface. To investigate nanomechanical properties of Cu sample surface, nanoindentation was performed on Cu sample. Results of nanoindentation indicate wear resistance of Cu surface decrease. According to decrease of wear resistance on Cu surface removal rate increases from $285\;{\AA}/min\;to\;8645\;{\AA}/min$ in Cu CMP.
The purpose of this study was to examine dentin surface changes of extracted sound third molar specimens which were etched with 10% maleic acid and irradiated at $7-140J/cm^2$ with $CO_2$ and at $156-280J/cm^2$ with Nd:YAG laser. The results were as follows. 1. Dentin surfaces etched with 10% maleic acid and then irradiated at below of $42J/cm^2$ with $CO_2$ laser showed the retentive morphology for resin restoration. 2. Dentin surfaces irradiated at below of $42J/cm^2$ with $CO_2$ laser showed the increased acid-resistance. 3. Dentin surfaces irradiated at $218-280J/cm^2$ with Nd:YAG laser showed the retentive morphology. 4. Dentin surfaces irradiated at $218-280J/cm^2$ with Nd:YAG laser and etched 10% maleic acid and then $218-280J/cm^2$ with Nd:YAG laser showed the increased acid-resistance.
한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스
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pp.137-140
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2004
We treated $O_2$ plasma on ITO thin film using RIE (Reactive Ion Etching) system, and analyzed the ingredient of ITO thin film according to change of processing conditions. The ingredient analysis of ITO thin film was used by EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) and XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) to compare and analyze the ingredient of bulk and surface. We measured electrical resistivity using Four-Point-Probe and calculated sheet resistance, and ITO surface roughness was measured by using AFM (Atomic Force Microscope). Finally, we fabricated OLEDs (Organic Light-Emitting Diodes) device using substrate that was treated optimum ITO surface. The result of the study for electrical and optical properties using I V L System (Flat Panel Display Analysis System), we confirmed that electrical properties (I-V) and optical properties (L-V) were improved.
Conventional method for electrode force application in resistance spot welding(RSW) processes is to use pneumatic cylinder. However, due to its inherent problems in pneumatic power system such as compressibility of air and poor transient response characteristics, new electrode force system with servo control are recently introduced in RSW machine. This machine is called “servogun”. The purpose of this study is to evaluate performance of servogun in case of spot welding of aluminum alloy. Aluminum alloy(A5052) sheets are spot welded using pneumatic gun and servogun. Both results are compared by means of macro cross-section etching test and tensile shear strength test. Numerous previous research have reported nugget with many voids and cracks are not uncommon defects in spot welds with aluminum alloy. The experimental results show similar defects in case of pneumatic gun. In contrast, use of servogun considerably reduced generation of voids and cracks. In case of step-wise increased forging force at the end of welding cycle with servogun, crack-free and void-free nuggets have been observed. The performance of servogun has been also verified by series of tensile shear test. Higher strength values have been achieved with servogun in comparison to that of pneumatic gun.
In this paper, we fabricated PRT(platinum resistance thermometers) with the trimming technology using high fine laser system. U. V.(wavelength: 355nm) laser was mainly used for adjusting Pt thin films resistors to 100Ω at 0$^{\circ}C$. Internationally, the accepted A-class tolerance of temperature sensor is ${\pm}$0.06Ω at 0$^{\circ}C$. according to DIN EN 60751. The width of trimmed lines was about 10$\mu\textrm{m}$ and the best trimming conditions of Pt thin films were power : 37mW, frequency : 200Hz and bite size:1.5$\mu\textrm{m}$. And 96 resistors, fabricated by photolithography and etching process, have 79∼90Ω and 91∼102Ω as the proportion of 45.7% and 57.3%, respectively. As result of sitting Pt thin films resistors to the target value(109.73Ω at 25$^{\circ}C$), 82.3% of all resistors had the tolerance within ${\pm}$0.03Ω and the others(17.7%) were within ${\pm}$0.06Ω of A-class tolerance. The PRTs which wore fabricated in this research had excellent characteristics as follows; high accuracy, international standard TCR(temperature coefficient of resistance) value, long-term stability, wide temperature range, good linearity and repeatability, rapid response time, etc.
The relationship between the diffusivity and electrochemical characteristics of lithium secondary battery with the modified Si anode material prepared in HF/$AgNO_3$ solution was investigated. The crystallographic structure and images of the modified porous Si and modified Si/Cu was examined using the X-ray diffraction, BET and SEM. To examine the effect of metal composite and pore size distribution according to chemical etching on the electrochemical characterization, the electrodes for half cells were prepared with the modified Si, modified Si/Cu, and modified Si/Cu annealed with $600^{\circ}C$. Our results showed that the chemical diffusivity of lithium ions was related to structure and resistance of Si/Cu composite anode material. The lithium diffusivity in modified silicon compound calculated from the CV was at the range of $1{\times}10^{-12}$ to $9{\times}10^{-16}cm^2/s$. The effects of modified silicon structure and resistance on the cycling efficiency were significant.
The size and prospects of the domestic semiconductor equipment market are increasing every year. In the case of various parts used inside semiconductor equipments, high durability such as high strength and abrasion resistance is demanded. Particularly, the gases used in semiconductor production processes are toxic. In order to prevent such toxic gas leakage, a precision processing technique and a surface treatment technique for preventing corrosion are required. Electro-polishing is an electro-chemical method of polishing a metal surface to make it smooth and polished. Electro-polishing is mainly used in the finishing process of metal surface. Unlike mechanical polishing, electro-polishing is used in many fields, such as fine chemical etching equipment, since no damaged layer or burr, fine polishing groove and particles are generated. However, in order to withstand the gas used in the semiconductor equipment, the parts must have high corrosion resistance. However, the surface hardness generally become lowered through electro-polishing. Therefore, in this study, surface hardness were experimentally observed before and after electro-polishing. Then, a method of improving hardness by preparing a nitrided layer by plasma ion nitriding treatment.
Scanning probe microscopy (SPM) has become an indispensable tool in efforts to develop the next generation of nanoelectronic devices, given its achievable nanometer spatial resolution and highly versatile ability to measure a variety of properties. Recently a new scanning probe microscope was developed to overcome the tip degradation problem of the classic SPM. The main advantage of this new method, called Reverse tip sample (RTS) SPM, is that a single tip can be replaced by a chip containing hundreds to thousands of tips. Generally for use in RTS SPM, pyramid-shaped diamond tips are made by molding on a silicon substrate. Combining RTS SPM with Scanning spreading resistance microscopy (SSRM) using the diamond tip offers the potential to perform 3D profiling of semiconductor materials. However, damage frequently occurs to the completed tips because of the complex manufacturing process. In this work, we design, fabricate, and evaluate an RTS tip chip prototype to simplify the complex manufacturing process, prevent tip damage, and shorten manufacturing time.
파워반도체는 전력의 변환, 변압, 분배 및 전력제어 등을 감당하는데 사용되는 반도체이다. 최근 세계적으로 고전압 파워반도체의 수요는 다양한 산업분야에 걸쳐 증가하고 있는 추세이며 해당 산업에서는 고전압 IGBT 부품의 최적화 연구가 절실한 상황이다. 고전압 IGBT개발을 위해서 wafer의 저항값 설정과 주요 단위공정의 최적화가 완성칩의 전기적특성에 큰 변수가 되며 높은 항복전압(breakdown voltage) 지지를 위한 공정 및 최적화 기술 확보가 중요하다. 식각공정은 포토리소그래피공정에서 마스크회로의 패턴을 wafer에 옮기고, 감광막의 하부에 있는 불필요한부분을 제거하는 공정이고, 이온주입공정은 반도체의 제조공정 중 열확산기술과 더불어 웨이퍼 기판내부로 불순물을 주입하여 일정한 전도성을 갖게 하는 과정이다. 본 연구에서는 IGBT의 3.3 kV 항복전압을 지지하는 ring 구조형성의 중요한 공정인 field ring 식각실험에서 건식식각과 습식식각을 조절해 4가지 조건으로 나누어 분석하고 항복전압확보를 위한 안정적인 바디junction 깊이형성을 최적화하기 위하여 TEG 설계를 기초로 field ring 이온주입공정을 4가지 조건으로 나누어 분석한 결과 식각공정에서 습식 식각 1스텝 방식이 공정 및 작업 효율성 측면에서 유리하며 링패턴 이온주입조건은 도핑농도 9.0E13과 에너지 120 keV로, p-이온주입 조건은 도핑농도 6.5E13과 에너지 80 keV로, p+ 이온주입 조건은 도핑농도 3.0E15와 에너지 160 keV로 최적화할 수 있었다.
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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제4C권4호
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pp.149-154
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2004
This paper presents a silicon probe tip for vertical probe card application. The silicon probe tip was fabricated using MEMS technology such as porous silicon micromachining and deep- RIE (reactive ion etching). The thickness of the silicon epitaxial layers was 5 ${\mu}{\textrm}{m}$ and 7 ${\mu}{\textrm}{m}$, respectively. The width and length were 40 ${\mu}{\textrm}{m}$ and 600 ${\mu}{\textrm}{m}$, respectively. The probe structure was a multilayered structure and was composed of Au/Ni-Cr/Si$_3$N$_4$/n-epi layers. The height of the curled probe tip was measured as a function of the annealing temperature and time. Resistance characteristics of the probe tip were measured using a touchdown test.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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