Simulation of channel dimension dependent conduction and charge distribution characteristics of silicon nanowire transistors using a quantum model (양자모델을 적용한 실리콘 나노선 트랜지스터의 채널 크기에 따른 전도 및 전하분포 특성 시뮬레이션)
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- Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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- 2009.04b
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- pp.77-78
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- 2009