본 논문에서는 집중 소자로 임피던스 대역폭과 공진 주파수 컨트롤이 가능한 이중 대역 루프형 그라운드 안테나를 제안한다. 제안된 안테나의 이중 대역 특성은 기존의 루프형 그라운드 안테나의 형태에 추가적인 공진루프 급전 구조를 삽입하여 구현하였다. 적절한 캐패시터와 인덕터를 사용하여 2.45 GHz와 5.5 GHz 대역에서 VSWR<3에서 각각 85 MHz와 725 MHz의 임피던스 대역폭을 만족시켰으며, 시뮬레이션과 측정 결과를 통하여 그 타당성을 입증하였다. 제안된 안테나의 면적은 $10{\times}5mm^2$로 작은 크기를 갖고 있을 뿐만 아니라, 구현하고자 한 이중 대역에서 좋은 방사 패턴과 안테나 효율을 나타내었다.
본 논문에서는 CMOS 65-nm 공정을 이용하여 위성 통신 시스템에서 Ka-band를 지원하기 위한 저잡음 증폭기를 설계하였다. 제안된 저잡음 증폭기는 고이득 모드와 저이득 모드로 구성되어있으며, 입력신호의 크기에 따라 이득을 제어하도록 설계하였다. 전력소모를 줄이기 위해 회로 전체의 공급전압을 1 V 이하로 제한하였으며, 인버터 구조의 이득제어 회로에 대해 기술하였다. 제작된 회로의 크기를 줄이기 위해 3D EM 시뮬레이터를 사용하였으며, 패드를 포함하며 $0.33mm^2$의 면적을 갖는다. 제작된 증폭기는 3 dB 대역폭에서 -7 dB의 이득제어 범위를 가지며 반사계수는 고이득 모드에서 -6 dB, 저이득 모드에서 -15 dB 미만으로 측정되었다.
직류자계로 가변동조되는 YIG여파기의 설계및 측정을 논하였다. 직각으로 굽힌 박판전송선과 2개의 YIG구를 RF 원형회전자계로 분리되는 곳에 위치시켜 차단및 투과특성을 얻었다. 차단특성은 -25db 였으며 통과특성은 이보다 약간 낮은 22db였다. FMR에 관한 이론치와 실측치는 잘 일치하였으며 방향성결합기로 사용될 수 있음을 보였다.
Nitrided-metal gates on the high-${\kappa}$ dielectric material are widely studied because of their use for sub-20nm semiconductor devices and the academic interest for the evanescent states at the Si/insulator interface. Issues in these systems with the Si substrate are the electron mobility degradation and the reliability problems caused from N defects that permeates between the Si and the $SiO_2$ buffer layer interface from the nitrided-gate during the gate deposition process. Previous studies proposed the N defect structures with the gap states at the Si band gap region. However, recent experimental data shows the possibility of the most stable structure without any N defect state between the bulk Si valence band maximum (VBM) and conduction band minimum (CBM). In this talk, we present a new type of the N defect structure and the electronic structure of the proposed structure by using the first-principles calculation. We find that the pair structure of N atoms at the $Si/SiO_2$ interface has the lowest energy among the structures considered. In the electronic structure, the N pair changes the eigenvalue of the silicon-induced gap state (SIGS) that is spatially localized at the interface and energetically located just above the bulk VBM. With increase of the number of N defects, the SIGS gradually disappears in the bulk Si gap region, as a result, the system gap is increased by the N defect. We find that the SIGS shift with the N defect mainly originates from the change of the kinetic energy part of the eigenstate by the reduction of the SIGS modulation for the incorporated N defect.
본 논문에서는 알키메디안 스파이럴 슬롯을 이용한 소형화된 광대역 안테나가 제안되었다. 제안된 안테나는 광대역 특성을 갖는 CPW 급전 구조, 스파이럴 구조와 슬롯 구조를 이용하여 소형화된 안테나의 크기와 매우 넓은 대역폭을 갖는다. 알키메디안 슬롯의 폭과 간격, CPW 급전 구조에서의 급전선로와 접지면 사이의 폭은 좋은 임피던스 정합의 특성과 넓은 대역폭을 갖도록 하기 위해 최적화 하였다. 제안된 안테나의 크기는 $8mm\;{\times}\;13mm$이며 FR-4 (비유전율 : 4.4, 기판두께 : 0.8mm) 기판 위에 설계되어졌다. 모의 실험한 결과 제안된 안테나의 임피던스 대역폭 (VSWR $\leq$ 2)은 5.98GHz (4.1GHz ~ 10.08 GHz)이고 1.57 dBi ~ 3.97 dBi의 균일한 이득을 갖으며 이득은 8.7 GHz에서 3.97 dBi를 갖는다. 측정 결과 제작된 안테나의 임피던스 대역폭 (VSWR $\leq$ 2)은 6.02GHz (4.48 GHz ~ 10.5 GHz)이고 최 대 이득은 9.4GHz에서 2.68 dBi틀 갖는다. 제안된 광대역 안테나는 넓은 주파수 범위에서 임피던스 정합과 방사패턴올 유지하는 특성을 나타내므로 넓은 대역이 요구되는 무선 통신 시스템에 응용될 수 있을 것으로 사료된다.
Since the discovery of iron-based superconductors in 2008, extensive and intensive studies have been performed to find the microscopic theory for the high temperature superconductivity in the materials. Electronic structure is the basic and essential information that is needed for the microscopic theory. Experimentally, angle resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) is the most direct tool to obtain the electronic structure information, and therefore has played a vital role in the research. In this review, we review what has been done so far and what is needed to be done in ARPES studies of iron-based superconductors in search of the microscopic theory. This review covers issues on the band structure, orbital order/fluctuation, and gap structure/symmetries as well as some of the theories.
Optical gain characteristics of $1.3{\mu}m$ type-II GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structures were studied using multi-band effective mass theory. The results were compared with those of $1.3{\mu}m$ GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structures. In the case of $1.3{\mu}m$ GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structure, the energy difference between the first two subbands in the valence band is smaller than that of $1.3{\mu}m$ GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structure. Also, $1.3{\mu}m$ GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structure shows larger optical gain than $1.3{\mu}m$ GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structure. This means that GaAsSb/InGaNAs/GaAs system is promising as long-wavelength optoelectronic devices for optical communication.
전자빔과 상호작용하는 공동공진기를 위한 동축형 대역억제필터를 설계하고 제작하였다. 제안한 필터는 공동공진기의 기본모드에 대해 4분의 1 파장 길이의 초크를 가진다. 동축형 대역억제필터의 등가회로를 제시하고 각 부분의 ABCD 파라미터를 구하여 필터 전체의 ABCD 행렬을 구했다. ABCD 행렬로부터 산란행렬을 구하여 MATLAB으로 필터를 시뮬레이션하였다. 동축형 대역억제필터 구조를 HFSS를 이용하여 시뮬레이션을 수행하여 등가회로로 시뮬레이션이 유용함을 확인하였다. 설계한 동축형 대역억제필터는 6-1/8 플랜지를 가지는 필터를 제작하였다. 제작한 필터는 6-1/8 플랜지에서 N 형 플랜지로 변환하는 변환기를 사용하여 측정하였다. 제작된 필터의 삽입손실은 공동공진기의 기본모드에서 25 dB 이상이고 1차 고차모드에서 0.25 dB 보다 작다. 측정측정 결과는 시뮬레이션한 결과와 잘 일치하며 설계 규격을 만족한다.
The electronic structure of Mn12-Ac molecular magnet has been investigated using synchrotron radiation. The valence-band photoemission spectroscopy (PES) measurement reveals that Mn 3d states are located near the top of the valence band. The trend in the measured valence-band PES spectra is found to be consistent with that in the calculated local density of states. The Mn 2p x-ray absorption spectroscopy (XAS) measurement provides evidence for the Mn$^{3+}$-Mn$^{4+}$ mixed-valent states.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제9권3호
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pp.146-151
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2009
This paper presents a low-loss broadband balun that uses a coplanar waveguide-to-slotline field transformation. It operates over a very wide frequency range and is of compact size since it does not depend on a resonant structure. To analyse imbalance, the coplanar wavelength(CPW) input ground is connected to the CPW output ground through various capacitors to introduce common-mode impedances. As the common-mode impedance increased the imbalance became significantly higher at the higher-frequency band compared with the lower-frequency band. The bias-circuit approach is used to improve the operation bandwidth of the lower-frequency band. The measured results show a passband of 200 MHz to 2 GHz, an insertion loss of less than 0.75 dB, and a size of $20{\times}14\;mm$. The amplitude imbalance is approximately 0.3 dB and the phase imbalance is less than $6^{\circ}$ over the entire operational range.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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