• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• v.31 no.3
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• pp.716-719
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• 2010

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.145-146
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• 2013

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.3
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• pp.325-330
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• 1993

실리콘 gate의 MOS 전자 턴넬링 전극을 구성하여 그 특성을 조사하였다. 전자 방출은 전 gate 영역에서 MOS diode의 전위차를 지나는 턴넬링에 의하여 일어나고 안정하였다. 측정된 전류에서 산화막과 gate에서의 열전자의 충돌을 연구하였다. 방출된 전류는 압력에 관계없이 일정하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2002.06a
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• pp.222-222
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• 2002

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2002.06a
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• pp.223-223
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• 2002

• Carbon letters
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• v.2 no.3_4
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• pp.202-211
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• 2001

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2000.05a
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• pp.59-59
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• 2000

• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2000.04a
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• pp.146.1-146.1
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• 2000

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2006.02a
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• pp.211-211
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• 2006

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1997.02a
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• pp.109-109
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• 1997