Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.15
no.3
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pp.1259-1264
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2014
Hydrogen is in the world limelight for future energy source, and it has been already used in various industry fields including aerospace. The extremely fine molecule of the hydrogen can be easily leaked from tiny size of the crack on the surface of transporting pipes or storage tanks, and it could bring on awfully terrible disaster. In this study, Laser-Induced Breakdown Spectroscopy (LIBS) was employed to develope a reliable detection scheme for a small quantity of hydrogen leakage. Effect of three different metal substrates (i.e. Al, Cu, SUS) on plasma generation and the intensity of the hydrogen atomic signal was investigated, and the surface damage of the substrates due to repetitive laser shots was observed using Scanning electron microscope. It was also evaluated how the surface damage could distort the atomic signal. The intensity of the atomic signal was found to be the strongest, and the signal distortion due to the surface damage was approximately $100W/m^2$ lower when Al was used for the substrate.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1998.02a
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pp.133-133
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1998
In the thin film alloy formation of the transition metals ion-beam-mixing technique forms a metastable structure which cannot be found in the arc-melted metal alloys. Sppecifically it is well known that the studies about the electronic structure of ion-beam-mixed alloys pprovide the useful information in understanding the metastable structures in the metal alloy. We studied the electronic change in the ion-beam-mixed ppt-Ct alloys by XppS and XANES. These analysis tools pprovide us information about the charge transfer in the valence band of intermetallic bonding. The multi-layered films were depposited on the SiO2 substrate by the sequential electron beam evapporation at a ppressure of less than 5$\times$10-7 Torr. These compprise of 4 ppairs of ppt and Cu layers where thicknesses of each layer were varied in order to change the alloy compposition. Ion-beam-mixing pprocess was carried out with 80 keV Ae+ ions with a dose of $1.5\times$ 1016 Ar+/cm2 at room tempperature. The core and valence level energy shift in these system were investigated by x-ray pphotoelectron sppectroscoppy(XppS) pphotoelectrons were excited by monochromatized Al K a(1486.6 eV) The ppass energy of the hemisppherical analyzer was 23.5 eV. Core-level binding energies were calibrated with the Fermi level edge. ppt L3-edge and Cu K-edge XANES sppectra were measured with the flourescence mode detector at the 3C1 beam line of the ppLS (ppohang light source). By using the change of White line(WL) area of the each metal sites and the core level shift we can obtain the information about the electrons pparticippating in the intermetallic bonding of the ion-beam-mixed alloys.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1998.02a
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pp.132-132
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1998
Ion bombardment in the keV range is known to induce drastic chemical modifications in organic and inoranic molecular comppounds. A degrading effects in orgainc materials such as the release of ppolymer compponents and the chemistry of the iradiation pprocess have been observed. The work to be described was carried out in order to understand the irradiation effect better. The sampple(ppolyimide : Kappton ) Were irradiated by Ar+, Ne+, H+ ions and electrons (3 keV) to fluence ranging from ~1$\times$1015 to ~1$\times$1017 ions/$cm^2$ at room tempperature. The impplant was usually rastered over an area of a few $cm^2$ . These ion impplantation were carried out in an electron sppectrometer ESCA 5700 (ppHI Ltd) at a residual gas ppressure of ~5$\times$10-10 Torr. X-ray pphotoelectron sppectroscoppy(XppS) measurements were made using a monochromatized Al Ka(1486.6 eV) excitation source. The pphotoemitted electrons were detected by hemisppherical analyser with a ppass energy of 23.5 eV. Core-level binding energies were referenced to the Fermi level. To avoid the charging effect it was used the neutralizer. We studied the irradiation effects on ppolyimide with Ar+, Ne+, He+ ions and electrons by XppS which 추 pprovide detailed information concerning the bonding-induced changes.
Journal of the Korean Society of Fisheries and Ocean Technology
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v.37
no.2
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pp.140-146
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2001
In order to analyze the photodegradation of plastic materials for floats or frames of fisheries facilities, weathering experiment on 3 kinds of plastic materials like high density PE of Korea(KHDPE) and Norway(NHDPE) and high strength PVC(Hi-PVC) was carried out during 900 hours exposure by using xenon light source of weather-Ometer. The results obtained are as follows; With increasing of ultraviolet radiation(UVR) time, a remarkable losses in the mechanical properties of each specimen were observed except for the remaining strain of HDPE materials. As NHDPE lost almost 15% of its initial tensile stress during a 900 hours exposure followed by KHDPE 12% and Hi-PVC 6%. In addition, the remaining tensile stress RS(kg/$mm^2$) decreases almost linearly with the lapse of exposure time to light Y(Year) and the empirical equations of each specimen computed as follows; KHDPE : RS=2.6769-0.0003Y($r^2$=0.63) Hi-PVC : RS=5.3470-0.0003Y($r^2$=0.91) NHDPE : RS=2.4929-0.0004Y($r^2$=0.97) It was observed by scanning electron microscope that all specimens with UVR time had started to decompose and had bubbled areas and small holes.
We observed the absorptive optical bistability in the single layer amorphous $As_2S_3$ thin film which has an isolated electron pairs at roomtemperature, for the frist time, $Ar^+$ laser beam (λ=514.5 nm) was used as a light source and was focused by thin lens. The experiment was performed in cavityless system and the occurrence of optical bistability in this material could be explained by the temperature-dependent absorption coefficient of the sample. Also, this effect was explained by the reversible shift of the absorption edge in this material. The condition of optical bistability is determined by detuning value ($a_0L$) and this value was 0.12 when thikness of that sample was about 0.8 ${\mu}{\textrm}{m}$. The switching was observed clealy when light intensity is 150~180 mW and the swiching time was about $10^{-4}$ s.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2000.02a
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pp.183-183
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2000
Aigrain에 의해 Helicon이라는 이름이 명명된 이후, helicon은 저온의 금속과 같은 높은 전도도(conductivity)를 갖는 매질이나 강한 자기장이 걸려있는 plasma를 전파해 나가는 저주파 전자기장을 지칭해왔다. 이온화된 개스에서 이러한 전자기장은 전자 공명 주파수(electron cyclotron frequency)와 이온 공명 주파수(ion cyclotron frequency) 사이의 주파수로 전파하며 전리층 (ionosphere)을 통과하며 발생하는 가청 주파수 영역대의 음조가 강하하는 현상에 의해 low-frequency whistler라고도 불린다. Helicon wave plasma는 Boswell에 의해 처음 발생된 후, 높은 이온화율(~100%)로 인해 많은 연구가 이루어져 왔다. 1985년에 Chen은 helicon plasma의 높은 이온화율을 설명하기 위해 Landaudamping을 제시하였다. 이러한 설명은 1997년에 Shamrai에 의해 TG mode가 도입되기 전까지 직접적인 실험결과 없이 helicon plasma 발생의 mechanism으로 받아들여졌다. shamrai의 이론에 의하면 정전기파(electrostatic wave)는 plasma의 표면(surface)에서 강하게 감쇄되어 energy를 전달하게 된다. Cho는 radial density 분포가 외각보다 중심이 높을 경우 TG wave의 power 전달이 중심에서 일어날 수 있음을 계산하였다. Helicon plasma의 특성은 높은 이온화율에 의한 높은 밀도($\geq$1012cm3), 1-2 kW의 rf power에서 상대적으로 낮은 전자 온도( 4eV), $\omega$ci $\omega$LH<$\omega$$\omega$ce $\omega$pe 영역대의 주파수, 자기장 50-1200 Gauss, 압력 1-10 mTorr로 특정지을 수 있다. 이러한 외부분수들의 조건에 k라 helicon plasma는 여러 종류의 mode로 존재한다. Degeling은 이러한 mode의 변화를 capacitive mode, inductive mode, 그리고 helicon mode(wave mode)의 세가지 부분으로 구분하였다. Helicon plasma가 갖는 높은 이온화율은 여러 가지 응용으로의 가능성을 가지고 있다. 그 예로 plasma processing, plasma wave에 의한 입자 가속, 그리고 가스 레이저 활성 매질 발생 등이 있다. 특히 plasma processing의 경우 helicon plasma는 높은 밀도, 비교적 낮은 자기장, remote operation 등이 가능하다는 점에서 현재 연구가 활발히 진행되고 있다. 상업용으로도 PMT와 Lucas Signatone Corp.에 서 helicon source가 제작되었다. 또한 높은 해리율을 이용하여 저유전 물질인 SiOF의 증착에서 적용되고 있다. 이 외에도 다수의 연구결과들이 발표되었다.
Weeds are widely grown in the field and are infected by many viruses. A survey was conducted to identify viruses infecting weeds in Korea. Virus-infected weed samples including Rorippa indica (L.) Hiern, R. islandica (Oed.) Bord, Crepidiastrum denticulatum (Houtt.) Pak & Kawanno, Achyranthes japonica (Miq.) Nakai, and Chrysanthemum boreale (Makino) Makino were collected in Kyonggi Province. These weeds were grown in the greenhouse and were isolated on 10 test plants. Several virus isolates were isolated fron infected tissues and were further studied by host range assay, serological test, electron microscopy (EM), reverse transcription-polymerase chain reaction (RT-PCR) and sequencing. Each isolated virus strain was mechanically transmitted to weeds and various hosts including Nicotiana spp., Brassica spp., Vigna unguiculata, Capsicum annuum, and Cucumis sativus and showed systemic mosaic, vein clearing, necrosis, mottle, malformation, chlorosis, and/or death of host plants in some cases. Each virus was then purified using infected leaves and observed by EM. From these results three viruses were isolated and identified as Turnip mosaic virus (TuMV), Broad bean wilt virus (BBWV), and Cucumber mosaic virus (CMV). RT-PCR using virus-specific oligonucleotide primers and the cloning were conducted to determine the nucleotide sequences of coat proteins of the three viruses their amino acid sequence were deduced. The amino acid sequence homologies were about 92.7 to 99.7%, 96.2 to 97.7%, and 93.9 to 98.6% to other reported TuMV, BBWV, and CMV strains, respectively. These results suggest that many weeds may serve as primary inoculum source of diseases caused by TuMV, BBWV, CMV and that the management of these viral diseases can be achieved through weed control.
This research aims to remove nitrogen in the piggery wastewater by combined process with upflow anaerobic sludge blanket (UASB) and biofilm process. For the effective denitrification. anaerobic and anoxic reactors were connected to a reactor. The effluent of aerobix reactor was recycled equally with influent in the upper filter of anaerobic reactor for denitrification and outlet of UBF reactor was connected to the settling tank with $1.5{\;}{\ell}$ capacity and the settling sludge was repeatedly recycled to UASB zone. The organic loading rate of total reactor was operated from 0.4 to $3.1kgCOD/m^{3}/d$ and it was observed that the removal rate of TCOD was 80 to 95 percentage. Ammonia nitrogen was removed over 90 percentage in the less volumetric loading rate than $0.1{\;}kgN/m^{3}/d$. But because of non-limitation of organic materials, it was reduced to 70 percentage in the more volumetric loading rate than $0.6{\;}kgN/m^{3}/d$. But denitrification rate was observed 100 percentage in the all of loading rate. This is caused by the maintenance of optimum temperature, sufficient carbon source, and competition of electron acceptors. The results of COD mass balance at the $1.21{\;}kgCOD/m^{3}/d$ was observed with the 71.7% percentage of influent COD. It was revealed that the most part of organic materials was removed in the aerobic and the anaerobic reactor because 38.4 percentage was conversed into $CH_{4}$ gas and 11 percentage was removed in the aerobic reactor with cell synthesis and metabolism. Besides, 5.7% organics was used to denitrification reaction and 3.7% organics related to sulfate reduction.
Fermentation efficiencies of organic wastes from the variety of sources were evaluated based on the production of total volatile acids(TVA) in batch reactor. Mixing and pH were not significant factors in producing TVA from the organic wastes. After a 10-day fermentation, final TVA concentrations in piggery, cattle, poultry, and primary settled sludge of domestic wastewater were 8,900, 2,900, 7,370 and 1,630 mg/L, respectively. The pH of organic wastes was decreased from neutral to 5.7. The ratio of TVA to $NH_4{^+}-N$ produced from the animal waste ranged from 11.5 to 30.1, whereas, that in the primary settled sludge of domestic wastewater, was 5.4. Possibility of fermented organic wastes as the electron donors for denitrification in the activated sludge was investigated. In both acclimated and nonacclimated activated sludge, higher denitrification rates were obtained with fermented piggery sludge added than with either methanol or acetate added. The fermented organic acids derived from the primary settled sludge gave the higher denitrification rate ($4.2mg\;NO_3-N/g\;vss{\cdot}hr$) in the acclimated activated sludge. Denitrification rate was $1.5mg\;NO_3-N/g\;vss{\cdot}hr$ in the nonacclimated sludge with the fermented acids from the primary settled sludge of domestic wastewater added.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.260-260
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2011
투명 비정질 산화물반도체는 디스플레이의 구동소자인 박막 트랜지스터에 채널층으로 사용된다. 또한 투명하면서 유연성이 있는 소자를 저비용으로 제작할 수 있는 장점을 가진다. 투명 산화물반도체 재료 중 IGZO는 Si 또는 GaAs와 같은 공유결합성 반도체와는 다른 전자 배치로 전도대가 금속이온의 ns 궤도에서 형성되며, 가전도대가 산소 음이온의 2p 궤도에서 형성된다. 특히 큰 반경의 금속 양이온은 인접한 양이온과 궤도 겹침이 크게 발생하게 되며 캐리어의 효과적인 이동 경로를 제공해줌으로써 다른 비정질 반도체와는 다르게 높은 전하이동도(~10 $cm^2$/Vs)를 가진다. 따라서 저온공정에서 우수한 성능의 TFT소자를 제작할 수 있는 장점이 있다. 본 연구에서는 TFT 채널층으로 사용하기 위한 a-IGZO박막의 산소분압에 따른 특성변화를 분석 하였다. a-IGZO박막은 Pulsed Laser Deposition (PLD)를 이용하여 산소분압(20~200 mTorr) 변화에 따라 Glass기판에 증착하였다. 증착된 a-IGZO 박막의 구조적 특성으로는 X-ray diffraction (XRD), Field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), 광학적 특성은 UV-vis spectroscopy 분석을 통해서 알아보았다. TFT 채널층의 조건으로는 낮은 off-current, 높은 on-off ratio를 위해 고저항 ($10^3\;{\Omega}cm$)의 진성반도체 성질과 source/drain금속과의 낮은 접촉저항(ohmic contact) 등의 전기적 성질이 필요하다. 따라서 이러한 전기적 특성확인을 위해 transmission line method (TLM)을 사용하여 접촉저항과 비저항을 측정하였고, 채널층으로 적합한 분압조건을 확인해볼 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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