Abstract
We observed the absorptive optical bistability in the single layer amorphous $As_2S_3$ thin film which has an isolated electron pairs at roomtemperature, for the frist time, $Ar^+$ laser beam (λ=514.5 nm) was used as a light source and was focused by thin lens. The experiment was performed in cavityless system and the occurrence of optical bistability in this material could be explained by the temperature-dependent absorption coefficient of the sample. Also, this effect was explained by the reversible shift of the absorption edge in this material. The condition of optical bistability is determined by detuning value ($a_0L$) and this value was 0.12 when thikness of that sample was about 0.8 ${\mu}{\textrm}{m}$. The switching was observed clealy when light intensity is 150~180 mW and the swiching time was about $10^{-4}$ s.
고립전자쌍을 갖는 비정질 As$_{2}$S$_{3}$ 단층박막에서 처음으로 흡수형 광쌍안정현상을 관측하였다. 광원으로는 렌즈로 집속된 Ar$^{+}$ laser beam (.lambda.=514.5nm)을 사용하였다. 본 실험에서는 공진기가 없는 단층의 박막시료에서 시료의 흡수계수의 온도의존성에 의해 광쌍안정현상이 발생함을 알 수 있었고 이 효과는 물질내에서 흡수단의 가역적인 편이에 의해 설명되었다. 실험에서 광쌍안정조건은 매질의 초기흡수계수와 시료의 두께의 곱에 의해 결정되고 시료의 두께가 0.8.nu.m일 때 이 값은 약 0.12임을 알 수 있었다. 또한 입사 레이저광세기가 150-180mW일 때 스위칭이 뚜렷했고 스위칭시간은 약 $10^{-4}$초였다.