본 연구에서는 농업용 트랙터에 조립식으로 결합되는 캐빈에 사용되는 방진고무의 진동절연성능을 향상시키기 위하여 형상최적설계를 수행하였다. 초탄성거동을 보이는 고무의 물성을 평가하기 위하여 일축 및 이축 인장시험을 수행하였고 이를 이용하여 유한요소해석에 입력 가능한 재료 모델을 도출하였다. 실제 트랙터의 운전 상태에서 진동을 측정하여 방진고무로 전달되는 입력 가진 및 이로 인한 캐빈 프레임의 응답을 정량화하였다. 비선형 거동을 보이는 방진고무의 특성을 반영하기 위해 정해석을 이용하여 방진고무의 하중-변위 곡선을 도출하였다. 이로부터 특정 하중 혹은 변위가 가해진 상태에서 방진고무의 강성을 계산할 수 있었으며 이를 캐빈의 조화가진해석에 사용하였다. 해석결과와 시험 결과의 비교를 통하여 해석모델 및 기법의 타당성을 검증하였다. 방진고무의 형상설계를 위하여 다구찌의 인자설계법이 사용되었으며 이를 통하여 강성이 최소화된 방진고무의 형상을 찾을 수 있었다. 방진고무의 최적 형상을 고려하여 조화가진해석을 수행한 결과 초기설계 대비 35 % 이상 개선된 진동저감효과를 확인할 수 있었다.
Deep sub-micron bulk CMOS circuits require gate electrode materials such as metal silicide and titanium silicide for gate oxides. Many authors have conducted research to improve the quality of the sub-micron gate oxide. However, few have reported on the electrical quality and reliability of an ultra-thin gate. In this paper, we will recommend a novel shallow trench isolation structure and a two-step TiS $i_2$ formation process to improve the corner metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) for sub-0.1${\mu}{\textrm}{m}$ VLSI devices. Differently from using normal LOCOS technology, deep sub-micron CMOS devices using the novel shallow trench isolation (STI) technology have unique "inverse narrow-channel effects" when the channel width of the device is scaled down. The titanium silicide process has problems because fluorine contamination caused by the gate sidewall etching inhibits the silicide reaction and accelerates agglomeration. To resolve these Problems, we developed a novel two-step deposited silicide process. The key point of this process is the deposition and subsequent removal of titanium before the titanium silicide process. It was found by using focused ion beam transmission electron microscopy that the STI structure improved the narrow channel effect and reduced the junction leakage current and threshold voltage at the edge of the channel. In terms of transistor characteristics, we also obtained a low gate voltage variation and a low trap density, saturation current, some more to be large transconductance at the channel for sub-0.1${\mu}{\textrm}{m}$ VLSI devices.
본 논문은 두 개의 프로브 급전 단자만을 갖는 이중대역 이중 편파 마이크로스트립 패치 안테나를 제시한다. 급전 단자간 격리도와 교차 편파를 개선하기 위하여 패치와 급전 프로브간에 고리 모양 간격(annular gap)을 갖는 급전 구조를 설계하였으며, 제작된 안테나의 두 급전 단자간 격리도와 교차 편파는 반사 손실이 -10 dB 이하인 $1.84\;GHz\~l.93\;GHz$대역에서 각각 21 dB 이상, 22.2 dB 이상 그리고 $2.62\;GHz\~2.81\;GHz$ 대역에서는 각각 27 dB 이상, 19 dB 이상으로 우수한 급전 단자간 격리도와 교차 편파 특성을 가짐을 측정을 통해 확인하였다. 이득은 각 주파수 대역에서 약 6.9 dBi이다.
본 논문에서는, 초고집적 CMOS 회로를 위한 얕은 트랜치 격리로 기존의 수직 구조 보다 개선된 성질을 갖는 새로운 구조를 제안하고자 한다. 이를 위해서 제안한 구조는 회자 모양의 얕은 트랜치 격리 구조이다. 특성 분석은 기존 수직 구조와 제안한 구조에 대해서 전자농도 분포, 열전자 스트레스의 산화막 모양, 전위와 전계 플럭스, 열 손상의 유전 전계와 소자에서 전류-전압 특성을 분석 하고자 한다. 물리적 기본 모델들은 TCAD 툴을 이용하며, 집적화 소자들에 있어서 분석 조건은 주위 조건과 전류와 시간의 인가 스트레스 조건이다. 분석 결과, 얕은 트랜치 격리 구조가 소자의 크기가 감소됨에 따라서 수동적인 전기적 기능이었다. 트랜지스터 응용에서 제안한 회자 구조의 얕은 트랜치 격리 구조가 전기적 특성에서 전위차, 전계, 전자농도 분포가 높게 나타났으며, 활성영역에서 스트레스에 의한 산화막의 영향은 감소되었다. 이 결과 데이터를 바탕으로 소자의 전류-전압 특성 결과 분석도 양호한 특성으로 나타났다.
본 논문에서는 자기구동 동기스위치를 이용한 비절연 고효율 고전압출력 DC-DC 컨버터를 제안한다. 제안하는 컨버터는 전통적인 승압형 DC-DC 컨버터 구조에 탭형 인덕터를 적용함으로써 고전압출력을 달성하며 주스위치부에 무손실 커패시터-다이오드(LCD, lossless capacitor-diode) 스너버를 적용하여 스위치 전압스트레스를 저감한다. 그리고 출력부에 다이오드 대신에 동기스위치를 적용함으로써 역회복 문제를 해결하고 고효율을 달성한다. 제안한 컨버터의 동기스위치는 자기구동방식을 이용하고 단순한 구조를 가진다. 본 논문에서는 제안한 컨버터의 동작원리를 먼저 설명하고, 후에 컨버터 프로토타입의 설계예를 제시한다. 그리고 설계된 회로파라미터로 제작된 프로토타입의 실험결과로써 제안한 컨버터의 특성을 보인다.
본 논문은 부하에 서로 다른 복소 임피던스로 종단되면서 출력 분배 비율이 다른 비대칭 전력 분배기를 구현하는 방법을 제안하였다. 제안된 방법은 출력의 종단된 복소 임피던스를 전송선로만을 이용하여 특정 임피던스 또는 특정 복소임피던스 값으로 정합하는 방법을 사용하여 설계하였으며, 또한 종단 복소 임피던스 포트 사이의 고립도를 만족하기 위한 고립회로를 설정하는 방법을 제시하였다. 이러한 방법의 타당성을 증명하기 위해서, 입력포트는 50 Ω이고 서로 다른 출력 복소 임피던스를 갖으면서 분배 비율이 k2 = 3 dB 와 1.7 dB 인 경우와 모든 포트가 서로 다른 복소 임피던스로 종단되어 있으면서 분배 비율이 k2 = 3 dB를 갖는 비대칭 전력분배기를 중심주파수 2 GHz에서 설계하였으며, 전기적 특성의 실험 결과는 시뮬레이션과 잘 일치함을 확인하였다.
Journal of information and communication convergence engineering
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제1권3호
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pp.139-142
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2003
In this paper, we consider the factors that affect a conversion loss performance in designing a single balanced diode mixer integrated with IRF(Image Reject Filter), based on the embedded electrical wavelength placed between the IRF and mixer, diode matching and LO drive amplifier. To evaluate the conversion loss performance, we suggest two types of a single balanced mixer using 90 degree branch line coupler, microstrip line and schottky diode. One is only mixer and the other is integrated with IRF and LO drive amplifier. The measured results of a single balance diode mixer integrated IRF show the conversion loss of 8.5 dB and the flatness of 1 dB p-p from 21.2 GHz to 22.6 GHz with 10 dBm LO. The measured input PI dB and IIP3 are 7 dBm and 15 dBm respectively under the nominal LO power level of 10dBm. The LO/RF and LO/IF isolation are 22 dB and 50 dB, respectively.
Journal of information and communication convergence engineering
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제1권3호
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pp.163-168
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2003
This paper presents a cascade multilevel PWM rectifier without the isolation transformers for energy build-up at each inverter modules. The features and advantages of the proposed PWM rectifier can be summarized as follows; I) It realizes the high power high voltage AC/DC power conversion, 2) It uses no transformer which is bulky and heavy, 3) It has hybrid structure so that switching devices can be effectively utilized, 4) It produces high quality AC current even in high power high voltage applications, 5) The input power factor remains unity by simple modulation index control. The multilevel rectifier is analyzed by using the circuit DQ transformation whereby the characteristics and control equations are obtained. Finally, it will be shown that the system simulation reveals the validity of analyses.
The Ku band that has been using for the satellite communication and broadcasting would be changed to K/Ka bands. The satellite system requires the antenna structure to fabricate low loss and small antenna that is able to be integrated with other Rf circuits for both Rx and Tx. So we should design it with dual feed antennas at K/Ka bands, high isolation between two different feeds and broadband circular polarization. This paper proposes the LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic) process for integration with other Rf circuits and the Axial mode of the helical antenna to satisfy those requirements.
The primary role of ZnO arresters is to protect transmission and distribution equipments against lightning surges. The extremely nonlinear V-I characteristics of the ZnO arrester obviates the need for isolation gaps and consequently it is continuously connected to line voltage. For this reason, ZnO arresters are degraded with increasing with time in actual power systems. In this work, the characteristics of the luminous events between the ZnO block and electrodes were investigated. As a result, the luminous events were effected by the impulse and the near polarity of the luminous event was intense near the grounded electrode. Also the luminous event may cause the degradation of ZnO arrester block.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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