• 한국세라믹학회지
• /
• 제26권4호
• /
• pp.487-492
• /
• 1989

The microstructure and electrical properties of ZnO-Bi2O3 system with Bi2O3(0.5~5mol%) content have been investigated in relatin to sintering temperature and atmosphere. The grain size of ZnO increases sharply with Bi2O3(0.5~5mol%) content, but over 0.5mol% Bi2O3 increased less rapidly when sintered at 120$0^{\circ}C$. Electrical characteristics varied with sintering atmosphere and air-sintered conditions showed comparatively lower nonlinear exponents than the double-crucible conditions. Calculated barrier voltage was about 1.7V.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
• /
• 제2권1호
• /
• pp.43-48
• /
• 1998

The effect of mcirostructure on the electrical properties of yttria stabilized zirconia (YSZ) was analyzed by modeling layer arrangements and mixed phase structure. The YSZ thin films were deposited by RF magnetron sputtering using 30mol% YSZ and 8 mol% YSZ targets with yttrium pellets on porous alumina substrates. The structure, composition and electricla properties of the YSZ films were investigated as functions of sputtering conditons and layer arrangements by XRD, TEM, XPS and acimpedance spectroscopy. The results showed that the triple palyered YSZ films had highermicrohardness, lower compressive stress state and higher ionic conductivity by one order than single and double layered YSZ films. However, sputtered YSZ films have low conductivity compared to YSZ pellets or doctor bladed YSZ thin plates. These results were probably due to the influence of insulating alumina substrates, impractical for most stacking geometries and inductance induced by relatively long platinum, lead wire on YSZ conductivity.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.362-365
• /
• 2001

The chalcogenide glasses of thin films have the superior property of photoinduced anisotrophy(PA). In this study, we observed the linear dichroism(D) using the irradiation with polarized He-Ne laser light, in the Ag/As$\sub$40/Ge$\sub$10/Se$\sub$15/S$\sub$35/ multi-layer. Mutilayer structures farmed by alternating metal(Ag) a chalcogenide(As$\sub$40/Ge$\sub$10/Se$\sub$15/S$\sub$35/). Such multilayer structures have a greater sensitivity to illumination and larger dichroism in comparison the conventional double layer structure. Also new phenomena are discovered. These results will be show a capability of new method that suggested more improvement of photoinduced anisotropy property.

• 한국진공학회지
• /
• 제22권3호
• /
• pp.131-137
• /
• 2013

본 연구에서는 유기소자의 절연박막을 습식 공정이 아닌 건식 공정인 플라즈마 중합법을 이용하여 Styrene 유기물을 사용하여 절연박막을 제작하였다. 안정적인 플라즈마 형성을 위해 버블러와 써큐레이터를 활용하여 정량적인 모노머 주입을 가능하게 하였다. 본 연구에서는 플라즈마 중합된 Styrene 박막을 30, 60 nm 터널링층으로 활용하였고, Styrene 절연층의 두께를 430 nm, Au 메모리층의 두께를 7 nm, 활성층의 두께를 40 nm, 소스와 드레인 전극의 두께를 50 nm로 유기 메모리 소자를 제작하여 특성을 평가하였다. 40/-40 V의 double sweep시 45 V의 히스테리시스 전압을 얻을 수 있었고, 이는 MMA를 터널링층으로 활용한 유기 메모리 소자의 히스테리시스 전압이 27 V인 것과 비교하였을 때 60% 상승한 효과로 히스테리시스 전압이 18 V 이상 높은 결과이다. 이와 같은 결과로부터 플라즈마 중합된 Styrene 유기 박막의 높은 전하 포집 특성을 활용하여 전체층을 유기 재료로 제작한 유연한 메모리 소자의 응용 가능성을 기대한다.

• 조명전기설비학회논문지
• /
• 제13권1호
• /
• pp.9-14
• /
• 1999

삼파장 형광등의 제작에서 문제가 되는 것은 원하는 목표 색을 맞추기 위하여 혼합하는 세 가지 형광물질의 혼합비율이다. 한 형광체의 광 스펙트럼이 약간 변형되거나, 공정변수에 의하여 변경되거나, Ar과 Kr 같은 불활성가스의 스펙트럼이 혼재하거나 또는 재래 할로인산칼슘이 공존할 경우 원하는 정확한 색을 찾기가 매우 힘들어지게 된다. 이 연구에서는 원하는 목표 색을 빠르게 찾는 방법을 연구하였다. 세 개의 각각의 단일색의 형광등과 3색을 서로 다른 비율로 혼합한 형광등을 만들고 각각의 스펙트럼을 측정한 후 이로부터 알곤과 수은의 스펙트럼을 빼서 변형 색 좌표를 얻었다. 이 변형 색 좌표로부터 적생에 대한 청색과 녹색의 광속비를 그의 무게 비에 대하여 도시하여 무게 대 광속비의 관계를 구하였다. 이 관계식을 이용하여 생산라인에서 삼파장 형광체의 단일 도포 및 할로인산칼슘을 1차로 도포하는 2중 도포를 실시하여 목표색을 조합해본 결과 만족할만한 결과를 얻었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
• /
• pp.77-80
• /
• 2001

Crystallographic and magnetic characteristics of CoCr-based magnetic thin film for perpendicular magnetic recording media were influenced on preparing conditions. In these, there is that substrate temperature was parameter that increases perpendicular coercivity of CoCrTa magnetic layer using recording layer. While preparation of CoCr-based doublelayer, by optimizing substrate temperature, we expect to increase perpendicular anisotropy of CoCr magnetic layer and prepare ferromagnetic recording layer with a good quality by epitaxial growth. CoCrTa/Si doublelayer showed a good dispersion angle of c-axis orientation $\Delta\theta_{50}$ caused by inserting amorphous Si underlayer which prepared at underlayer substrate temperature 250C. Perpendicular coercivity was constant, in-plane coercivity was controlled a low value about 200Oe. This result implied that Si underlayer could restrain growth of initial layer of CoCrTa thin film, which showed bad magnetic properties effectively without participating magnetization patterns of magnetic layer. In case of CoCrTa/Si that prepared with ultra thin underlayer, crystalline orientation of CoCrTa was improved rather underlayer thickness 1nm, it was expected that amorphous Si layer played a important role in not only underlayer but also seed layer.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
• /
• pp.994-995
• /
• 2008

It is possible to suppress voltage drops, power loading fluctuations and regeneration power lapses for DC railway systems by applying an energy storage system. A electric double layer capacitor (EDLC) of the rapid charge/discharge type has been developed and used in wide ranges. It has a long life, high efficiency and maintenance free/low pollution features as a new energy storage element. In this paper, an efficient charge and discharge control method of a bidirectional DC-DC converter using the supercapacitor is proposed.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제7권4호
• /
• pp.331-340
• /
• 1994

Polysilicon on insulator has been recrystallized by zone melting recrystallization method with graphite strip heaters. Experiments are performed with non-seed SOI structures. When the capping layer thickness of Si$\_$3/N$\_$4//SiO$\_$2/ is 2.0.mu.m, grain boundaries are about 120.mu.m spacing and protrusions reduced. After the seed SOI films are annealed at 1100.deg. C in NH$\_$3/ ambient for 3 hours, the recrystallized silicon surface has convex shape. After ZMR process, the tensile stress is 2.49*10$\^$9/dyn/cm$\^$2/ and 3.74*10$\^$9/dyn/cm$\^$2/ in the seed edge and seed center regions. The phenomenon of convex shape and tensile stress difference are completely eliminated by using the PSG/SiO$\_$2/ capping layer. The characterization of SOI films are showed that the SOI films are improved in wetting properties. N channel SOI MOSFET has been fabricated to investigate the electrical characteristics of the recrystallized SOI films. In the 0.7.mu.m thickness SOI MOSFET, kink effects due to the floating substrate occur and the electron mobility was calculated from the measured g$\_$m/ characteristics, which is about 589cm$\^$2//V.s. The recrystallized SOI films are shown to be a good single crystal silicon.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제23권8호
• /
• pp.660-666
• /
• 2010

Carbon aerogels are promising materials as electrodes for electrical double layer capacitors (EDLCs). An optimum process is presented for synthesis of nanoporous carbon aerogels via pyrolyzing resorcinol-formaldehyde (RF) organic aerogels, which could be cost-effectively manufactured from RF wet gels. The major reactions between resorcinol and formaldehyde include an addition reaction to form hydroxymethyl derivatives ($-CH_2OH$), and then a condensation reaction of the hydroxymethyl derivatives ($-CH_2-$)- and methylene ether ($-CH_2OCH_2-$) bridged compounds. The textural properties of carbon aerogels obtained were characterized by nitrogen adsorption/desorption analysis and SEM and TEM. The application of the resultant carbon for electrodes of electric double layers capacitor (EDLC) in organic TEABF4/ACN electrolyte indicated that the ESR, as low as 55 $m{\Omega}$, was smaller than for commercially activated carbons. And EDLC with carbon Aerogel electrodes has an excellent stable more than for commercially activated carbons.

• 센서학회지
• /
• 제9권2호
• /
• pp.113-119
• /
• 2000

정류수 내 수소 가스를 감지할 수 있는 Pd 박막을 가진 Pd/Pt 게이트 MISFET 수소센서를 제조하였다. 감지게이트 MISFET와 기준 게이트 MISFET의 차동형 센서로 제작하여 MOSFET 고유의 드리프트를 최소화하였다. 수소유입으로 인한 드리프트는 $Si_3N_4/SiO_2$의 이중 게이트 절연막으로 줄였고, 수소에 의한 Pd의 격자 팽창에 의해 생기는 블리스터는 Pt을 넣어서 제거하였다. Pd 박막을 수소 여과기로 사용한 Pd/Pt 게이트 MISFET 센서로 측정한 결과 $0{\sim}500\;ppm$ 사이에서 선형적인 출력 특성을 얻을 수 있었다. 30 일간 $50^{\circ}C$의 정류수 속에서 장기안정도를 측정하였다. 전체적으로 감지 FET의 게이트 전압은 35 mV 상승하였고, 기준 FET는 48 mV 상승하여 안정한 특성을 나타내었다.