Electric train is currently used widely, and much development is expected. But, in case of electric train, as comparison with diesel rolling stock, many electrical problem such as harmonic, voltage sag, EMI, EMC usually occur. Accordingly, in order to popularize an electric train, first, a study on electrical problem at an electric train must be accomplished. In this paper, one of electrical problems, arc characteristics according to loss of contact between pantograph and catenary was analyzed.
With the Contact angle of phase epoxy resin on the inorganic filler(glass plate) surface treated with air plasma, we have studied about the interface between epoxy resin and glass plate as simple model of a glass fiber reinforced composite materials. The contact angle on the inorganic filler surface varied with ambient temperature and surface treatment conditions.
Boundary lubrication condition arises in most lubricated systems, especially during motion reversals and start up phase of operation. In this work electric contact resistance variations with respect to sliding conditions under lubrication is investigated The motivation was to improve the understanding of the contact condition in the boundary lubrication regime. It is shown that electrical contact resistance is sensitive to sliding speed and surface condition of the specimens. Also, phenomena such as run-in during the initial phase of sliding and lubricant pile up near the sliding pin could be observed. The results of this work will aid in better understanding of the metal to metal contact condition in lubricated systems.
Kim, Hyung-Joon;Choi, Pyungho;Kim, Kwangsoo;Choi, Byoungdeog
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제13권6호
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pp.662-667
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2013
The effect of fluorine ions, which can be reacted with boron in high-doped BPSG, is investigated on the contact sidewall wiggling profile in semiconductor process. In the semiconductor device, there are many contacts on $p^+/n^+$ source and drain region. However these types of wiggling profile is only observed at the $n^+$ contact region. As a result, we find that the type of plug implantation dopant can affect the sidewall wiggling profile of contact. By optimizing the proper fluorine gas flow rate, both the straight sidewall profile and the desired electrical characteristics can be obtained. In this paper, we propose a fundamental approach to improve the contact sidewall wiggling profile phenomena, which mostly appear in high-doped BPSG on next-generation DRAM products.
To obtain the transistor with ambipolar transfer characteristics, IGZO/SiOC thin film transistor was prepared on SiOC with various polarities as a gate insulator. The interface between a channel and insulator showed the Ohmic and Schottky contacts in the bias field of -5V ~ +5V. These contact characteristics depended on the polarities of SiOC gate insulators. The transfer characteristics of TFTs were observed the Ohmic contact on SiOC with polarity, but Schottky contact on SiOC with low polarity. The IGZO/SiOC thin film transistor with a Schottky contact in a short range bias electric field exhibited ambipolar transfer characteristics, but that with Ohmic contact in a short range electric field showed unipolar characteristics by the trapping phenomenon due to the trapped ionized defect formation.
Boundary lubrication condition arises in most lubricated systems, especially during motion reversals and start up phase of operation. In this work electric contact resistance variations with respect to sliding conditions under lubrication is investigated. The motivation was to improve the understanding of the contact condition in the boundary lubrication regime. It is shown that electrical contact resistance is sensitive to sliding speed and surface condition of the specimens. Also, phenomena such as run-in during the initial phase of sliding and lubricant pile up near the sliding pin could be observed. The results of this work will aid in better understanding of the metal to metal contact condition in lubricated systems.
The Ag/WC electrical contacts were prepared via powder metallurgy using 60 wt% Ag, 40 wt% WC, and small amounts of Co3O4 with varying WC particle sizes. After the fabrication of the contact materials, microstructure observations confirmed that WC-1 had an average grain size (AGS) of 0.27 ㎛, and WC-2 had an AGS of 0.35 ㎛. The Ag matrix in WC-1 formed fine grains, whereas a significantly larger and continuous growth of the Ag matrix was observed in WC-2. This indicates the different flow behaviors of liquid Ag during the sintering process owing to the different WC sizes. The electrical conductivities of WC-1 and WC-2 were 47.8% and 60.4%, respectively, and had a significant influence on the Ag matrix. In particular, WC-2 exhibited extremely high electrical conductivity owing to its large and continuous Ag-grain matrix. The yield strengths of WC-1 and WC-2 after compression tests were 349.9 MPa and 280.7 MPa, respectively. The high yield strength of WC-1 can be attributed to the Hall-Petch effect, whereas the low yield strength of WC-2 can be explained by the high fraction of high-angle boundaries (HAB) between the WC grains. Furthermore, the relationships between the microstructure, electrical/mechanical properties, and deformation mechanisms were evaluated.
In this paper, we investigated the surface properties of polymer insulators to improve electrical insulation performance. First, after washing the polymer insulator in various ways, its contact angle was increased, thereby improving the hydrophobic properties and electrical insulation properties. In addition, TiO2 thin films, which have been used as a photocatalytic material and have been applied to the polymer insulator surface of to enhance the surface and electrical insulating properties. For the sputtering method, the contact angle after coating the TiO2 thin film increased with increasing RF power, but it was lower compared to that before coating, indicating that the hydrophobic properties of the surface were slightly deteriorated. Consequently, the electrical properties of the polymer-insulating material were maintained or improved after the TiO2 thin-film coating.
It is significant technique to increase competitiveness that solar cells have a high energy conversion efficiency and cost effectiveness. When making high efficiency crystalline Si solar cells, evaporated Ti/Pd/Ag contact system is widely used in order to reduce the electrical resistance of the contact fingers. However, the evaporation process is no applicable to mass production because high vacuum is needed. Furthermore, those metals are too expensive to be applied for terrestrial applications. Ni/Cu/Ag contact system of silicon solar cells offers a relatively inexpensive method of making electrical contact. Ni silicide formation is one of the indispensable techniques for Ni/Cu/Ag contact sytem. Ni was electroless plated on the front grid pattern, After Ni electroless plating, the cells were annealed by RTP(Rapid Thermal Process). Ni silicide(NiSi) has certain advantages over Ti silicide($TiSi_2$), lower temperature anneal, one step anneal, low resistivity, low silicon consumption, low film stress, absence of reaction between the annealing ambient. Ni/Cu/Ag metallization scheme is an important process in the direction of cost reduction for solar cells of high efficiency. In this article we shall report an investigation of rapid thermal silicidation of nickel on silngle crystalline silicon wafers in the annealing range of $350-390^{\circ}C$. The samples annealed at temperatures from 350 to $390^{\circ}C$ have been analyzed by SEM(Scanning Electron Microscopy).
내열금속인 W, Ti와 이들의 질화물인 $W_2$N, TiN 박막을 이용하여 탄화규소 ohmic 접촉을 연구하였다. 열처리 온도에 따른 고온 안정성과 전기적 특성 및 상호 확산 억제 특성을 고찰함으로써 이들 질화물의 고온에서 안정한 ohmic 접촉으로 이용가능성을 조사하였다. 새로운 유기화합물 원료인 bis-trimethylsilylmethane을 이용하여 화학기상 증착법으로 증착한 단결정 $\beta$-SiC 박막과 W이 가장 낮은 접촉 비저항, 2.17$\times$10(sup)-5Ω$\textrm{cm}^2$를 보였으며, Ti 계열은 상대적으로 높은 접촉 비저항 값을 나타내었다. 이들 전극 위에 산화 방지막으로 Pt 박막을 증착함으로써 전극의 산화를 막을 수 있었으며, 질화물 전극은 고온에서 금속접촉에 비해 안정한 전기적 특성을 나타내었고, 상호 확산 방지 특성 면에도 우수한 특성을 지니고 있음을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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