• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제5회(2016년)
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• pp.350-354
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• 2016

최근 연구 되고 있는 Transition Metal Dichalcogenides(TMD)는 전이금속과 칼코젠족 화합물로, 반도체 소자로써 graphene이 가지고 있던 실질적인 응용의 한계를 극복 할 수 있는 2D 소자로 주목 받고 있다. 본 연구에서는 가장 대표적인 TMD물질인 $MoS_2$를 채널로 가지는 $MoS_2$ FET를 채널의 방향, gate 구조, Equivalent oxide thickness(EOT) 등의 변수에 대하여 시뮬레이션하고, 결과를 종합하여 저전력용 2D FET 모델을 제안하였다.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제5회(2016년)
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• pp.339-343
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• 2016

본 연구에서는 양자역학적 전하수송 모델링을 바탕으로 channel length ($L_{ch}$), equivalent oxide thickness (EOT), supply voltage ($V_{DS}$) 등의 소자 파라미터들에 초점을 맞춰 저전력 소자를 구현하였다. 본 연구에서 나타낸 최적의 소자 특성으로부터 ITRS에서 제시하고 있는 2021년 예측되는 소자 특성에 비하여 더 낮은 $V_{DS}$에서 동작을 하면서 더 높은 $I_{on}$과 낮은 SS 로서 구동하는 것이 가능할 것으로 기대된다. 뿐만 아니라 inverter 동작에 있어서 ideal inverter에 가까운 동작을 할 것으로 기대된다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제4권3호
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• pp.34-37
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• 2003

[ $HfO_2$ ] and $HfO_xN_y$ films were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition using $Hf[OC(CH_3)_3]_4$ as the precursor in the absence of $O_2$. The crystallization temperature of the $HfO_xN_y$ films is higher than that of the $HfO_2$ film. Nitrogen incorporation in $HfO_xN_y$ was confirmed by auger electron spectroscopy analysis. After post deposition annealing (PDA) at 800$\Box$, the EOT increased from 1.34 to 1.6 nm in the $HfO_2$ thin films, whereas the increase of EOT was suppressed to less than 0.02 nm in the $HfO_xN_y$. The leakage current density decreased from 0.18 to 0.012 $A/cm^2$ with increasing PDA temperature in the $HfO_2$ films. But the leakage current density of $HfO_xN_y$ does not vary with increasing PDA temperature because an amorphous $HfO_xN_y$ films suppresses the diffusion of oxygen through the gate dielectric.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제11권2호
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• pp.29-35
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• 2004

65 nm급 게이트 유전체로의 $HfO_2$의 적용을 위해 hydrogen-terminate된 Si 기판과 ECR $N_2$ plasma를 이용하여 SiNx를 형성한 기판 위에 MOCVD를 이용하여 $HfO_2$를 증착하였다. $450^{\circ}C$에서 증착시킨 박막의 경우 낮은 carbon 불순물을 가지며 비정질 matrix에 국부적인 결정화와 가장 적은 계면층이 형성되었으며 이 계면층은 Hf-silicate임을 알 수 있었다. 또한 $900^{\circ}C$, 30초간 $N_2$분위기에서 RTA 결과 $HfO_2/Si$의 single layer capacitor의 경우 계면층의 증가로 인해 EOT가 열처리전(2.6nm)보다 약 1 nm 증가하였다. 그러나 $HfO_2/SiNx/Si$ stack capacitor의 경우 SiNx 계면층은 열처리후에도 일정하게 유지되었으며 $HfO_2$ 박막의 결정화로 열처리전(2.7nm)보다 0.3nm의 EOT 감소를 나타내었으며 열처리후에도 $4.8{\times}10^{-6}A/cm^2$의 매우 우수한 누설전류 특성을 가짐을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제34권6호
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• pp.283-290
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• 2024

The aggressive scaling of dynamic random-access memory capacitors has increased the need to maintain high capacitance despite the limited physical thickness of electrodes and dielectrics. This makes it essential to use high-k dielectric materials. TiO₂ has a large dielectric constant, ranging from 30~75 in the anatase phase to 90~170 in rutile phase. However, it has significant leakage current due to low energy barriers for electron conduction, which is a critical drawback. Suppressing the leakage current while scaling to achieve an equivalent oxide thickness (EOT) below 0.5 nm is necessary to control the influence of interlayers on capacitor performance. For this, Pt and Ru, with their high work function, can be used instead of a conventional TiN substrate to increase the Schottky barrier height. Additionally, forming rutile-TiO₂ on RuO₂ with excellent lattice compatibility by epitaxial growth can minimize leakage current. Furthermore, plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) can be used to deposit a uniform thin film with high density and low defects at low temperatures, to reduce the impact of interfacial reactions on electrical properties at high temperatures. In this study, TiO₂ was deposited using PEALD, using substrates of Pt and Ru treated with rapid thermal annealing at 500 and 600 ℃, to compare structural, chemical, and electrical characteristics with reference to a TiN substrate. As a result, leakage current was suppressed to around 10^-6 A/cm² at 1 V, and an EOT at the 0.5 nm level was achieved.

• 한국식품영양과학회지
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• 제45권7호
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• pp.1041-1048
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• 2016

본 연구에서 가금류의 주요 병원성 식중독 균을 인위적으로 오염시킨 훈제오리육을 진공포장 조건에서 10, 15, $24^{\circ}C$에 저장하면서 유통기한 동안 관찰한 미생물의 증식 및 생존 결과 Campylobacter jejuni는 저장기간 이내에 사멸하는 경향을 보였으며, Salmonella Typhimurium과 Listeria monocytogenes는 균주의 성장 속도에는 차이가 있었으나 증식하는 경향을 보였다. 훈제오리의 유통온도는 $10^{\circ}C$이며 유통기한이 약 30일인 것을 고려했을 때, 초기 오염 수준이 Campylobacter 균주에 의한 식중독을 유발하게 되는 균수 500 CFU/g 수준 이하에서는 유통기한 내에 문제가 없을 것으로 생각한다. 그러나 낮은 온도에서 저항성이 증가하며 살아있으나 배양은 불가능한 상태인 VBNC 상태의 C. jejuni의 특성에 따라 적절한 조건에서 회복되어 병원성을 일으킬 가능성이 있으므로 C. jejuni에 대한 지속적인 관리가 필요하다. 또한, S. Typhimurium과 L. monocytogenes의 경우 일반적인 유통/보관 온도인 $10^{\circ}C$에서도 증식이 가능하며, 특히 가공품 및 RTE 식품은 적절한 가열처리 없이 소비할 경우 식중독 발생 가능성이 높다는 점에서 제품 제조 단계에서부터 위생적인 관리가 필요하다. 본 연구에서는 C. jejuni biofilm cells을 인위적으로 오염시킨 훈제오리육을 진공포장 하여 일반 유통/보관 온도인 $10^{\circ}C$와 실온, 그리고 일반적으로 C. jejuni가 증식 가능한 온도인 $36^{\circ}C$에서 저장하였으나, C. jejuni biofilm cell은 훈제오리에서는 모든 온도에서 재증식이 불가능한 것으로 관찰되었다. 또한, $10^{\circ}C$의 저온에서 유도한 VBNC 상태의 C. jejuni를 훈제오리에 인위적으로 오염시키고 혐기적 조건에서 $42^{\circ}C$에 1일간 저장하며 VBNC 상태의 C. jejuni의 재증식 가능성을 분석하였으나, 최적 증식 온도인 $42^{\circ}C$에서도 재증식은 관찰되지 않았다. 이처럼 본 연구에서는 biofilm을 형성한 C. jejuni도 VBNC 상태의 C. jejuni는 살아 있으나 훈제오리에서의 증식은 관찰되지 않았다. 따라서 훈제오리에서의 C. jejuni의 위험성은 매우 적은 것으로 생각한다. 그러나 C. jejuni의 경우 매우 적은 양으로도 식중독을 일으킬 수 있고 C. jejuni biofilm 및 VBNC의 특성에 따라 잠재적인 위험성을 포함하는 동시에 유통/보관 온도인 냉장 온도에서 더 잘 살아남는다는 점에서 식중독 발생의 주요 원인으로 작용할 수 있는 교차오염과 전이를 예방하는 것이 중요하므로 이에 대한 관리가 강조되어야 할 것으로 생각한다.

• 한국군사과학기술학회지
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• 제2권1호
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• pp.170-182
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• 1999

본 논문에서는 전자광학 추적 시스템의 영상추적부가 가지는 시간지연 특성을 보상하여 추적 성능을 향상할 수 있는 방법을 제시하였다. 제안된 방법은 Smith 예측기와 칼만 필터를 사용하여 시선의 시간지연 현상 및 표적의 기동정보 지연에 대한 보상을 가능하게하여 기존의 PI 또는 Smith 예측기만의 제어루프를 사용한 경우보다 추적 오차를 매우 줄일 수 있다. 제안된 방법의 타당성 확인을 위하여 실제 EOTS에 적용하여 다양한 모의실험 및 실험을 실시하여 그 성능 향상을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1997년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.92-94
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• 1997

A stabilizing system of EOTS is constructed. This system has two major parts. One of them is for detecting the moving motion of a vehicle with electronic gyroscope. The other is for driving of two axes of the platform where the sensor is attached. The controller used in this paper is DSP(TMS320c31) and two BLDC DD motor are used.

• 제어로봇시스템학회논문지
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• 제19권10호
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• pp.873-878
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• 2013

An EOTS (Electro-Optical Tracking System) provides stabilized images while tracking a moving target. This paper presents a novel concept of driving the outer gimbal first for improving the maneuverability of an EOTS, contrary to the conventional inner gimbal mode. It has the advantages of faster positioning performance and stable operation in Nadir-point. Analysis of frequency responses reveal that the present scheme results in a wider control bandwidth and larger gain margin, compared to those of the previous one. The actual experimental results confirm that the maneuvering is stable although the input command has a large angular acceleration.

• 제어로봇시스템학회논문지
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• 제3권3호
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• pp.311-317
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• 1997

DTG(dynamically tuned gyroscope) is a sensor detecting disturbance in angle velocity control loop of EOTS(electro optical tracking system), which is used for the stabilization of gimbal. DTG is classified into rate mode or rate integrated mode according to operating mode. In this paper, basic principles and characteristics of DTG, depending on to operating mode, are compared and the model of rate integrated mode DTG is proposed. Also, the validity of the presented model is verified by computer simulations and experiments.