CuNi alloy films are deposited by co-sputtering of dual targets (Cu and Ni, respectively). Effects of the co-sputtering conditions, such as powers applied to the targets, deposition pressures, and substrate temperatures, on the structural and electrical properties of deposited films are systematically investigated. The composition ratio of Ni/Cu is almost linearly decreased by increasing the DC power applied to the Cu target from 25.6 W to 69.7 W with the RF power applied to the Ni target unchanged(140 W). it is noted that the chamber pressure during deposition and the film thickness give rise to a change of the Ni/Cu ratio within the films deposited. The former may be due to a higher sputtering yield of Cu atom and the latter due to the re-sputtering phenomenon of Cu atoms on the surface of deposited film. The film deposited at higher pressures or at lower substrate temperatures have a smaller crystallite size, a higher electrical resistivity, and much more voids. This may be attributed to a lower surface mobility of sputtered atoms over the substrate.
Purpose - The purpose of this study was to examine how job seekers' spec influence their actual employment especially focusing on the differentiating effects of applicants' specs depending on whether general or decent job employment. Design/methodology/approach - This study conducted analyses on 54,443 samples that incorporated data from the Graduates Occupational Mobility Survey for three years (2017-2019) collected by the Korea Employment Information Service. The linear probability model and logit model were used to examine the research questions. Findings - The results analyzed with the hierarchical regression model showed that most job seekers' specs were statistically significant in predicting employment status. Interestingly, there is a difference between the factors predicting employment for a general job and a decent job. This study suggests academic and practical implications for future research in the selection/ recruitment field by clarifying the critical factors to influence applicants' employment. Research implications or Originality The results of this study follow the screening hypothesis which explains that the applicants' specs have significant impacts on actual employment. Also, the dual labor market theory, which explains that applicants' specs differently affect actual employment between general and decent jobs, was reaffirmed.
mSCTP(Mobile SCTP)는 SCTP(Stream Control Transmission Protocol)와 DAR (Dynamic Address Reconfiguration) 확장을 이용해 트랜스포트 계층에서 이동성을 제공하기 위해 최근에 제안된 프로토콜이다. 현재 mSCTP의 가장 큰 문제점은 핸드오버 지연시간(Handover Latency Time)이 길어 실시간 어플리케이션에 적합하지 못하며 핸드오버 시점을 결정(Handover Decision)하는 명시적인 방법이 없다는 것이다. 이를 해결하기 위해 본 논문에서는 RA (Router Advertisement)를 미리 수신함으로써 핸드오버 지연시간을 최소화 하는 방법을 제안하고자 한다. 또한, RA를 빠르게 얻을 수 있는 방법으로 RA 캐시(Cache)를 이용한 방법, FMIPv6(Fast Handovers for Mobile IPv6)와 연동을 통한 방법, 듀얼 인터페이스(Dual Interface)를 이용한 방법 등 세가지를 소개 한다. 마지막으로, 제안된 방안의 성능 향상을 확인 하기 위해 세가지 방식 중 FMIPv6와의 연동 방식을 리눅스 기반의 실제 시험 환경을 구성하여 핸드오버 성능을 측정하였다. 실험한 결과 전체 핸드오버 지연시간의 대부분이 RA를 받는데 있음을 확인 할 수 있었고, 이를 줄임으로써 전체 핸드오버 성능을 크게 향상시킬 수 있었다.
노인인구가 지속적으로 증가함에 따라 향후 노인 행정복지서비스 사각지대가 더 증가할 것으로 전망된다. 본 연구는 노인인구가 증가하는 부산광역시 기장군을 대상으로 노인 행정복지서비스 사각지대 유형을 구분하고 유형별 정책방향을 제시하고자 하였다. GIS의 네트워크분석을 사용하여 읍·면 행정복지서비스 도달거리와 노인 이동가능거리를 분석하였다. 두 거리 간 비교를 통해 세 가지의 행정복지서비스 사각지대 유형(서비스공급사각지대, 이동불가사각지대, 이중사각지대)을 도출하였다. 기장군의 경우 노인 행정복지서비스 사각지대가 34.2%로 나타났다. 구체적으로 이동불가사각지대 21.5%로 가장 높았으며, 이중사각지대 9.5%, 서비스공급사각지대는 3.2%로 분석되었다. 분석 결과를 바탕으로 노인 행정복지서비스 사각지대 유형별 정책방향을 제시하였다.
Two-dimensional van der Waals (2D vdWs) materials have been extensively studied for future electronics and materials sciences due to their unique properties. Among them, black phosphorous (BP) has shown infinite potential for various device applications because of its high mobility and direct narrow band gap (~0.3 eV). In this work, we demonstrate a few-nm thick BP-based nonvolatile memory devices with an well-known poly(vinylidenefluoride-trifluoroethylene) [P(VDF-TrFE)] ferroelectric polymer gate insulator. Our BP ferroelectric memory devices show the highest linear mobility value of $1159cm^2/Vs$ with a $10^3$ on/off current ratio in our knowledge. Moreover, we successfully fabricate the ferroelectric complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) memory inverter circuits, combined with an n-type $MoS_2$ nanosheet transistor. Our memory CMOS inverter circuits show clear memory properties with a high output voltage memory efficiency of 95%. We thus conclude that the results of our ferroelectric memory devices exhibit promising perspectives for the future of 2D nanoelectronics and material science. More and advanced details will be discussed in the meeting.
Poly(3-hexylthiophene) or P3HT based organic thin film transistor (OTFT) array was fabricated on flexible poly carbonate substrates and the electrical characteristics were investigated. As the gate dielectric, a dual layer structure of polyimide-$SiO_2$ was used to improve the roughness of $SiO_2$ surface and further enhancing the device performance and also source-drain electrodes were $O_2$ plasma treated for improvement of the electrical properties, such as drain current and field effect mobility. For the active layer, polymer semiconductor, P3HT layer was printed by contact-printing and spin-coating method. The electrical properties of OTFT devices printed by both methods were evaluated for the comparison. Based on the experiments, P3HT-based OTFT array with field effect mobility of 0.02~0.025 $cm^{2}/V{\cdot}s$ and current modulation (or $I_{on}/I_{off}$ ratio) of $10^{3}\sim10^{4}$ was fabricated.
AIGaN/GaN 고전자 이동도 트랜지스터 (High Electron Mobility Transistors, HEMTs)는 와이드 밴드-갭과 높은 항복 전계 및 우수한 채널 특성으로 인해 마이크로파 응용분야와 전력용 반도체에서 각광받고 있다. 최근, 전력 응용분야에서 요구되는 높은 항복 전압과 출력, 우수한 주파수 특성을 획득하기 인해 이중 게이트 AIGaN/GaN HEHTs에 관한 연구가 발표되고 있다. 본 논문에서는 AIGaN/GaN HEMTs에 이중 게이트를 적용하여, 두 개의 게이트와 드레인, 소스의 누설 전류를 각각 측정하여 이중 게이트 AIGaN/GaN HEMTS의 누설 전류 메커니즘을 분석하였다. 또한 제안된 소자의 $SiO_2$ 패시베이션 전 후의 누설 전류 특성을 비교하였다. $SiO_2 $ 패시베이션되지 않은 소자의 누설 전류는 드레인, 소스와 추가 게이트로부터 주 게이트로 흐른 반면, 패시베이션 된 소자 누설 전류는 드레인으로부터 주 게이트 방향의 누설 전류만 존재하였다. $SiO_2$ 패시베이션 된 소자의 누설 전류는 (87.31 nA ) 패시베이션 되지 않은 소자의 누설 전류 ( $8.54{\mu}A$ )에 비해 의게 감소하였다.
현재 무선 인터넷 접속 서비스는 3G 이동 통신 네트워크, mobile WiMAX, WiFi 등을 통해 언제 어디서든 이루어지고 있다. 다양한 무선 네트워크가 혼재해 있는 환경에서 사용자는 상황에 따라 네트워크를 선택할 수 있어야 하며 또한 동종 또는 이기종 네트워크간 이동성 지원도 필요로 하고 있다. 이러한 이유로, 서비스 지역이 가장 넓은 3G 네트워크를 주축으로 3G-mobile WiMAX(IEEE 802.16e)와 3G-WiFi(IEEE 802.11)에 대한 연동 방안들이 많이 연구되어 왔다. 그러나 최근 넷북, 전자책, 스마트폰 등의 등장과 함께 무선 인터넷 사용이 늘면서 mobile WiMAX와 WiFi 서비스 지역이 급속히 증가하고 있으며 특히 인터넷 전화 서비스와 같은 실시간 애플리케이션 사용이 가능해 짐에 따라 전통적인 음성 서비스를 하는 3G 이동 통신 네트워크의 비중은 점차 줄고 무선 인터넷 접속네트워크인 mobile WiMAX나 WiFi는 그 비중이 점차 커지고 있다. 따라서 본 논문에서는 mobile WiMAX와 WiFi간 이동성 지원과 핸드오버 지연을 최소화 하는 PMIPv6(Proxy Mobile IPv6) 기반의 핸드오버 방안을 제안한다. 제안한 방안에서 이동 노드(MN)는 WiFi와 mobile WiMAX 두 개의 인터페이스를 갖는 이중 스택 구조이며 WiFi가 이동성 지원을 하지 않으므로 기존 동종 네트워크간 핸드오버시 게이트웨이간 핸드오버 시그널링을 처리하는 기능을 이동 노드에 두도록 제안하고 있다. 동종 네트워크간 핸드오버와 비교해 제안된 핸드오버 방안은 해석적 평가를 통해 핸드오버 지연 및 전송 지연과 시그널링 오버헤드가 감소함을 보여준다.
Maintenance works of offshore wind turbines could take a longer time, which causes the reduction of their energy production efficiency, than those of onshore wind turbines owing to severe offshore environment. Subsequently, preventive maintenance measures are required to increase the production efficiency. Thus, we proposed a wheel-based Underwater Pole Climbing Robot (UPCR) platform, which was aimed at the periodic inspection and maintenance of the substructures of the offshore wind turbines, with three advantages: high speed, good mobility and low power consumption. In the proposed platform, a self-locking system using a gripper module was adopted for preventing slippery problem and a dual configuration was chosen for moving on a branched structure. As a result, the proposed robot was able to continuously climb, preserve it's position at the pole without consuming energy, and move from the pole to the other branched pole. The results of this research show that the UPCR has basic moving capabilities required for the underwater work for the substructures of the offshore wind turbines.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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