Sand drain as a vertical drainage is widely used in soft ground improvement. Recently, sand, the principal source of sand drain, is running out. A laboratory model test was carried out to utilize gravel as a substitute for sand. Though which the characteristics of gravel are compared to those of sand for engineering purpose. According to the test, the settlement was found to be smaller in gravel drain than in sand drain. The increase in bearing capacity by gravel rile explains the result. The clogging effect was not found in gravel column. As a result, it is assumed that gravel is relatively acceptable as a drainage material. Gravel material seems better than sand material in bearing capacity and it is found that bearing capacity is larger when gravel is used as compaction pile than as drain from in-situ test on bearing capacity. Increase of bearing capacity with gravel pile means an effect of composite ground by stiffness of gravel material. It can lie supposed to use gravel pile instead of sand pile in view of consolidation effect and bearing capacity.
본 연구에서는 연약지반의 지반개량과 오염물질정화를 동시에 수행 가능한 반응성 배수파일의 적용에 대한 지반공학적 특성을 평가하였다. 반응성 배수파일의 내부 반응물질로 사용되는 제강슬래그의 적용성을 확인하였으며, 내부 반응물질을 둘러싸고 있는 원통형 차단막 길이와 차단막 외부의 외부 배수층 설치에 따른 압밀거동을 분석하였다. 이를 위하여 반응성 배수파일이 타설된 지반을 모사할 수 있는 실험장비를 개발하였으며, 외부 배수층 유 무 및 차단막 길이를 변화시켜가며, 실내모형실험을 수행하였다. 실험결과, 차단막의 길이가 짧아질수록 압밀소요시간은 감소하는 것으로 나타났지만, 차단막 길이변화에 따른 압밀소요시간차이에 비해 외부 배수층 유 무에 따른 압밀소요시간의 차이가 더 큰 것으로 나타났다.
본 논문은 고효율 전력증폭기는 무선전력전송을 위한 게이트와 드레인 바이어스 조절 회로를 사용하여 설계하였다. 이 조절 회로는 PAE (Power Added Efficiency)를 개선하기 위해 사용되었다. 게이트와 드레인 바이어스 조절 회로는 directional coupler, power detector, and operational amplifier로 구성되어있다. 구동증폭기를 사용하여 고이득 2단 증폭기는 전력증폭기의 낮은 입력단에 사용되었다. 게이트와 드레인 바이어스 조절회로를 사용하여 제안된 전력증폭기는 낮은 전력에서 높은 효율성을 가질 수 있다. PAE는 80.5%까지 향상되었고 출력전력은 40.17dBm이다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제3권3호
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pp.145-152
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2003
Electrical gate and drain characteristics of double heterostructure InAlAs/InGaAs pseudomorphic HEMTs have been investigated under sub-bandgap photonic excitation ($hv). Drain $(V_{DS})-,{\;}gate($V_{DS})-$, and optical power($P_{opt}$)-dependent variation of the abnormal gate leakage current and associated physical mechanisms in the PHEMTs have been characterized. Peak gate voltage ($V_{GS,P}$) and the onset voltage for the impact ionization ($V_{GS.II}$) have been extracted and empirical model for their dependence on the $V_{DS}$ and $P_{opt} have been proposed. Anomalous gate and drain current, both under dark and under sub-bandgap photonic excitation, have been modeled as a parallel connection of high performance PHEMT with a poor satellite FET as a parasitic channel. Sub-bandgap photonic characterization, as a function of the optical power with $h\nu=0.799eV$, has been comparatively combined with those under dark condition for characterizing the bell-shaped negative humps in the gate current and subthreshold drain leakage under a large drain bias.
Park, Jinsu;Showdhury, Sanchari;Yoon, Geonju;Kim, Jaemin;Kwon, Keewon;Bae, Sangwoo;Kim, Jinseok;Yi, Junsin
한국전기전자재료학회논문지
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제33권3호
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pp.169-172
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2020
In this paper, the effect of hot carrier injection on an n-bulk fin field-effect transistor (FinFET) is analyzed. The hot carrier injection method is applied to determine the performance change after injection in two ways, channel hot electron (CHE) and drain avalanche hot carrier (DAHC), which have the greatest effect at room temperature. The optimum condition for CHE injection is VG=VD, and the optimal condition for DAHC injection can be indirectly confirmed by measuring the peak value of the substrate current. Deterioration by DAHC injection affects not only hot electrons formed by impact ionization, but also hot holes, which has a greater impact on reliability than CHE. Further, we test the amount of drain voltage that can be withstood, and extracted the lifetime of the device. Under CHE injection conditions, the drain voltage was able to maintain a lifetime of more than 10 years at a maximum of 1.25 V, while DAHC was able to achieve a lifetime exceeding 10 years at a 1.05-V drain voltage, which is 0.2 V lower than that of CHE injection conditions.
본 논문에서는 3GPP 중계기 및 기지국용 50W급 Doherty 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 이상적인 Doherty 전력증폭기는 효율개선과 고출력 특성이 뛰어나지만 이를 구현하기 위해서는 바이어스 조절이 어렵다. 이를 해결하고자 기존의 Gate 바이어스 조절회로를 가진 Doherty(GDCHD) 전력증폭기에 Drain 바이어스 조절회로를 첨가한 GDCHD(Gate and Drain Control Hybrid Doherty) 전력증폭기를 구현하였다. 실험결과 3GPP 동작주파수 대역인 $2.11{\sim}2.17\;GHz$에서 이득이 57.03 dB이고, PEP 출력이 50.30 dBm, W-CDMA 평균전력 47.01 dBm, 5MHz offset 주파수대역에서 -40.45 dBc의 ACLR 특성을 가졌으며, 각각의 파라미터는 설계하고자 하는 증폭기의 사양을 만족하였다. 특히 GDCHD 전력증폭기는 일반적인 Doherty 전력증폭기에 비해 ACLR에 따른 효율 개선성능이 우수하였다.
본 연구는 vertical drain well 설치지반의 보다 더 실제적이고 합리적인 변형해석을 목적으로 drain well 타설로 인하여 발생하는 well 주변 점토층의 교란(smear)영향, well과 인접점토층의 강성차이에서 오는 접합면 변형의 불연속거동 표현이 가능한 유한요소해석 방법을 제시하고자 하는데 목적이 있다. 유한요소해석의 구성은 변형의 지배방정식으로서 Biot의 압밀이론을 근간으로 여기에 흙의 구성식과 접합요소이론을 결합하여 이루어진다. 본 논문에서 제시한 해석법의 정도는 Siriwardane과 Ghaboussi 등이 사용한 지반에 적용하여 검증한 바 있다. 여기에서는 이를 다시 모델지반과 실제지반에 대해서 유한요소해석법을 적용하여 강성이 다른 이질재료간 경계에서의 불연속변형의 영향에 따른 지반내 거동특성을 살펴보고 이것을 함께 고려한 해석법의 정도를 알아보고자 한 것이다. 그 결과는 침하에 있어서 매우 만족스럽다고 보아지지만 간극수압등에는 잘 일치하지 않는 점이 있어 앞으로의 더 많은 연구가 필요하다고 판단된다.
We proposed AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) using thermal oxidation for NiOx passivation. Auger electron spectroscopy, secondary ion mass spectroscopy, and pulsed I-V were used to study oxidation features. The oxidation process diffused Ni and O into the AlGaN barrier and formed NiOx on the surface. The breakdown voltage of the proposed device was 1520 V while that of the conventional device was 300 V. The gate leakage current of the proposed device was 3.5 ${\mu}A/mm$ and that of the conventional device was 1116.7 ${\mu}A/mm$. The conventional device exhibited similar current in the gate-and-drain-pulsed I-V and its drain-pulsed counterpart. The gate-and-drain-pulsed current of the proposed device was about 56 % of the drain-pulsed current. This indicated that the oxidation process may form deep states having a low emission current, which then suppresses the leakage current. Our results suggest that the proposed process is suitable for achieving high breakdown voltages in the GaN-based devices.
Recycled concrete aggregate (RCA) is widely used as a construction material in road construction, concrete structures, embankments, etc. However, it has been reported that calcite (CaCO3) precipitation from RCA can be a cause of clogging when used in drainage applications. An accelerated calcite precipitation (ACP) procedure has been devised to evaluate the long-term geochemical performance of RCA in subsurface drainage systems. While the ACP procedure was useful for the French Drain application, there remained opportunities for improvement. In this study, key factors that control the formation of calcite precipitation were quantitatively evaluated, and the results were used to improve the current prototype ACP method. A laboratory parametric study was carried out by investigating the effects of reaction temperature and time on the formation of calcite precipitation of RCA, with determining an optimum reaction temperature and time which maximizes calcite precipitation. The improved ACP procedure was then applied to RCA samples that were graded for Type I Underdrain application, to compare the calcite precipitation. Two key findings are (1) that calcite precipitation can be maximized with the optimum heating temperature (75℃) and time (17 hours), and (2) the potential for calcite precipitation from RCA is not as significant as for limestone. With the improved ACP procedure, the total amount of calcite precipitation from RCAs within the life cycle of a drain system can be determined when RCAs from different sources are used as pipe backfill materials in a drain system.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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